一种半导体半真空瞬间反应炉制造技术

本发明专利技术公开了一种半导体半真空瞬间反应炉，包括反应炉外壳，所述反应炉外壳的上方设置有驱动电机，所述驱动电机的下表面固定连接有反应炉盖，且反应炉盖与反应炉外壳固定连接，所述反应炉盖的下表面设置有搅拌转轴，且搅拌转轴贯穿反应炉盖与驱动电机固定连接，所述搅拌转轴的一端固定连接有搅拌桨，所述反应炉盖的一侧设置有气体回收口，且气体回收口与反应炉外壳固定连接，所述反应炉盖的另一侧设置有加配料口，且加配料口与反应炉外壳固定连接，所述气体回收口的下方设置有废渣出口；本发明专利技术结构简单，在使用时可有效的提高其反应效率，同时还便捷了使用者的使用，以简单的操作换得高纯度的成品，极大的降低了成本，提高了经济效益。

A Semi-vacuum Instantaneous Reaction Furnace for Semiconductor

【技术实现步骤摘要】
一种半导体半真空瞬间反应炉
本专利技术属于半导体
，具体涉及一种半导体半真空瞬间反应炉。
技术介绍
半导体，指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。半导体在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用。如二极管就是采用半导体制作的器件。半导体是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料。无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。今日大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关连。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，而硅更是各种半导体材料中，在商业应用上最具有影响力的一种。现有的半导体反应炉其反应效率低下，反应不够完全，从而导致其在使用时不够便捷，且无法进行一体式反应和回收的问题，为此我们提出一种半导体半真空瞬间反应炉。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种半导体半真空瞬间反应炉，以解决上述
技术介绍
中提出现有的半导体反应炉其反应效率低下，反应不够完全，从而导致其在使用时不够便捷，且无法进行一体式反应和回收的问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种半导体半真空瞬间反应炉，包括反应炉外壳，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体半真空瞬间反应炉，包括反应炉外壳(7)，其特征在于：所述反应炉外壳(7)的上方设置有驱动电机(3)，所述驱动电机(3)的下表面固定连接有反应炉盖(4)，且反应炉盖(4)与反应炉外壳(7)固定连接，所述反应炉盖(4)的下表面设置有搅拌转轴(9)，且搅拌转轴(9)贯穿反应炉盖(4)与驱动电机(3)固定连接，所述搅拌转轴(9)的一端固定连接有搅拌桨(8)，所述反应炉盖(4)的一侧设置有气体回收口(2)，且气体回收口(2)与反应炉外壳(7)固定连接，所述反应炉盖(4)的另一侧设置有加配料口(5)，且加配料口(5)与反应炉外壳(7)固定连接，所述气体回收口(2)的下方设置有废渣出口(1)，...

【技术特征摘要】
1.一种半导体半真空瞬间反应炉，包括反应炉外壳(7)，其特征在于：所述反应炉外壳(7)的上方设置有驱动电机(3)，所述驱动电机(3)的下表面固定连接有反应炉盖(4)，且反应炉盖(4)与反应炉外壳(7)固定连接，所述反应炉盖(4)的下表面设置有搅拌转轴(9)，且搅拌转轴(9)贯穿反应炉盖(4)与驱动电机(3)固定连接，所述搅拌转轴(9)的一端固定连接有搅拌桨(8)，所述反应炉盖(4)的一侧设置有气体回收口(2)，且气体回收口(2)与反应炉外壳(7)固定连接，所述反应炉盖(4)的另一侧设置有加配料口(5)，且加配料口(5)与反应炉外壳(7)固定连接，所述气体回收口(2)的下方设置有废渣出口(1)，且废渣出口(1)与反应炉外壳(7)固定连接，所述加配料口(5)的下方设置有自动下料管A(6)，且自动下料管A(6)与反应炉外壳(7)固定连接，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘正顺，
申请(专利权)人：潘正顺，
类型：发明
国别省市：安徽,34