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本发明公开了一种半导体半真空瞬间反应炉，包括反应炉外壳，所述反应炉外壳的上方设置有驱动电机，所述驱动电机的下表面固定连接有反应炉盖，且反应炉盖与反应炉外壳固定连接，所述反应炉盖的下表面设置有搅拌转轴，且搅拌转轴贯穿反应炉盖与驱动电机固定连接...
该专利属于潘正顺所有，仅供学习研究参考，未经过潘正顺授权不得商用。

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