一种隔离无源MOS管安全驱动电路制造技术

本实用新型专利技术涉及一种隔离无源MOS管安全驱动电路，包括电容C1、变压器T1、倍压整流电路和驱动电路，电容C1的一端与变压器T1的初级线圈一端电连接，变压器T1次级线圈的一端与倍压整流电路的输入端电连接，倍压整流电路的电压输出端与驱动电路的电压输入端电连接，倍压整流电路的信号输出端与驱动电路的信号输入端电连接，驱动电路的电压输出端与MOS管的栅极电连接，变压器T1次级线圈的另一端和MOS管的源极电连接。本实用新型专利技术通过变压器对外部脉冲驱动信号进行变压隔离后,经过倍压整流电路进行调理后给驱动芯片进行供电，同时为驱动芯片提供输入信号，以满足MOS管对脉冲驱动信号的幅度及波形质量的要求，电路结构简单，无需外加供电电源，性价比较高。

A Secure Driving Circuit for Isolated Passive MOS Transistors

【技术实现步骤摘要】
一种隔离无源MOS管安全驱动电路
本技术涉及电子电路
，尤其涉及一种隔离无源MOS管安全驱动电路。
技术介绍
目前开关电源对效率要求越来越高，所以电路也复杂了许多，对驱动电路也提出更高的要求。当前方案有：1.变压器隔离驱动。2.光耦隔离驱动。前者电路简单，只能适应频率不高，对波形要求不严的场合；后者电路复杂，需另加供电电源，性价比低。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是针对上述现有技术的不足，提供一种隔离无源MOS管安全驱动电路。本技术解决上述技术问题的技术方案如下：一种隔离无源MOS管安全驱动电路，包括耦合电容C1、变压器T1、倍压整流电路和驱动电路，所述耦合电容C1的一端与所述变压器T1的初级线圈一端电连接，外部脉冲驱动信号通过所述耦合电容C1的另一端与所述变压器T1的初级线圈另一端接入，所述变压器T1次级线圈的一端与所述倍压整流电路的输入端电连接，所述倍压整流电路的电压输出端与所述驱动电路的电压输入端电连接，所述倍压整流电路的信号输出端与所述驱动电路的信号输入端电连接，所述驱动电路的电压输出端与MOS管的栅极电连接，所述变压器T1次级线圈的另一端和MOS管的源极均与所述驱动电路的接地端电连接。本技术的有益效果是：本技术的隔离无源MOS管安全驱动电路,通过变压器对外部脉冲驱动信号进行变压隔离后,经过倍压整流电路进行调理后给驱动芯片进行供电，同时为驱动芯片提供输入信号，以满足MOS管对脉冲驱动信号的幅度及波形质量的要求，电路结构简单，无需外加供电电源，性价比较高。在上述技术方案的基础上，本技术还可以做如下改进：进一步：所述倍压整流电路包括电容C2、二极管D1、电容C3和二极管D2，所述变压器T1次级线圈的一端通过所述电容C2与所述二极管D1的负极电连接，所述二极管D1的正极与所述变压器T1次级线圈的另一端电连接，所述二极管D1的负极与所述二极管D2的正极电连接，所述二极管D2的负极通过所述电容C3与所述二极管D1的正极电连接，所述二极管D2的负极与所述驱动电路的电源输入端电连接，所述变压器T1次级线圈的另一端与所述驱动电路的接地端电连接，所述二极管D1的负极与所述信号输入端电连接。上述进一步方案的有益效果是：通过所述倍压整流电路可以对所述变压器输出的脉冲驱动信号进行2倍压和整流处理，并且所述驱动芯片U1提供电源,同时驱动所述驱动电路工作，最后通过驱动电路的输出端驱动MOS管安全工作。进一步：所述的隔离无源MOS管安全驱动电路还包括反向稳压二极管D3，所述二极管D1的负极与所述反向稳压二极管D3的负极电连接，所述反向稳压二极管D3的正极与所述信号输入端电连接。上述进一步方案的有益效果是：通过所述反向稳压二极管D3可以对输入至所述驱动电路的控制信号进行限幅，保证所述驱动电路安全稳定的工作。进一步：所述的隔离无源MOS管安全驱动电路还包括泄放电阻R1，所述泄放电阻R1并联在所述电容C2的两端。上述进一步方案的有益效果是：通过所述泄放电阻R1可以使得在关机或者异常关断时将残余的电压进行泄放，避免对整个电路造成损害，保证整个电路安全驱动MOS管工作。附图说明图1为本技术的隔离无源MOS管安全驱动电路结构示意图。具体实施方式以下结合附图对本技术的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本技术，并非用于限定本技术的范围。如图1所示，一种隔离无源MOS管安全驱动电路，包括耦合电容C1、变压器T1、倍压整流电路和驱动电路，所述耦合电容C1的一端与所述变压器T1的初级线圈一端电连接，外部脉冲驱动信号通过所述耦合电容C1的另一端与所述变压器T1的初级线圈另一端接入，所述变压器T1次级线圈的一端与所述倍压整流电路的输入端电连接，所述倍压整流电路的电压输出端与所述驱动电路的电压输入端电连接，所述倍压整流电路的信号输出端与所述驱动电路的信号输入端电连接，所述驱动电路的电压输出端与MOS管的栅极电连接，所述变压器T1次级线圈的另一端和MOS管的源极均与所述驱动电路的接地端电连接。本技术的隔离无源MOS管安全驱动电路,通过变压器对外部脉冲驱动信号进行变压隔离后,经过倍压整流电路进行调理后给驱动芯片进行供电，同时为驱动芯片提供输入信号，以满足MOS管对脉冲驱动信号的幅度及波形质量的要求，电路结构简单，无需外加供电电源，性价比较高。本技术提供的实施例中，所述倍压整流电路包括电容C2、二极管D1、电容C3和二极管D2，所述变压器T1次级线圈的一端通过所述电容C2与所述二极管D1的负极电连接，所述二极管D1的正极与所述变压器T1次级线圈的另一端电连接，所述二极管D1的负极与所述二极管D2的正极电连接，所述二极管D2的负极通过所述电容C3与所述二极管D1的正极电连接，所述二极管D2的负极与所述驱动电路的电源输入端电连接，所述变压器T1次级线圈的另一端与所述驱动电路的接地端电连接，所述二极管D1的负极与所述信号输入端电连接。通过所述倍压整流电路可以对所述变压器输出的脉冲驱动信号进行2倍压和整流处理，并且所述驱动芯片U1提供电源,同时驱动所述驱动电路工作，最后通过驱动电路的输出端驱动MOS管安全工作。优选地，本技术提供的实施例中，所述的隔离无源MOS管安全驱动电路还包括反向稳压二极管D3，所述二极管D1的负极与所述反向稳压二极管D3的负极电连接，所述反向稳压二极管D3的正极与所述信号输入端电连接。通过所述反向稳压二极管D3可以对输入至所述驱动电路的控制信号进行限幅，保证所述驱动电路安全稳定的工作。优选地，本技术提供的实施例中，所述的隔离无源MOS管安全驱动电路还包括泄放电阻R1，所述泄放电阻R1并联在所述电容C2的两端。通过所述泄放电阻R1可以使得在关机或者异常关断时将残余的电压进行泄放，避免对整个电路造成损害，保证整个电路安全驱动MOS管工作。本技术提供的实施例中，所述驱动电路可以采用Ixdn602或mic4422等型号的驱动芯片U1。本技术的隔离无源MOS管安全驱动电路，脉冲驱动信号通过变压器隔离后，经由倍压整流电路调理后给驱动芯片供电，同时驱动所述驱动电路工作，以达到MOS管对驱动幅度及波形质量的要求。同时在异常关断时，迅速切断输出，通过泄放电阻R1泄放残余电平，使输出无残余直流电平，实现安全驱动。以上所述仅为本技术的较佳实施例，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种隔离无源MOS管安全驱动电路，其特征在于：包括耦合电容C1、变压器T1、倍压整流电路和驱动电路，所述耦合电容C1的一端与所述变压器T1的初级线圈一端电连接，外部脉冲驱动信号通过所述耦合电容C1的另一端与所述变压器T1的初级线圈另一端接入，所述变压器T1次级线圈的一端与所述倍压整流电路的输入端电连接，所述倍压整流电路的电压输出端与所述驱动电路的电压输入端电连接，所述倍压整流电路的信号输出端与所述驱动电路的信号输入端电连接，所述驱动电路的电压输出端与MOS管的栅极电连接，所述变压器T1次级线圈的另一端和MOS管的源极均与所述驱动电路的接地端电连接。

【技术特征摘要】
1.一种隔离无源MOS管安全驱动电路，其特征在于：包括耦合电容C1、变压器T1、倍压整流电路和驱动电路，所述耦合电容C1的一端与所述变压器T1的初级线圈一端电连接，外部脉冲驱动信号通过所述耦合电容C1的另一端与所述变压器T1的初级线圈另一端接入，所述变压器T1次级线圈的一端与所述倍压整流电路的输入端电连接，所述倍压整流电路的电压输出端与所述驱动电路的电压输入端电连接，所述倍压整流电路的信号输出端与所述驱动电路的信号输入端电连接，所述驱动电路的电压输出端与MOS管的栅极电连接，所述变压器T1次级线圈的另一端和MOS管的源极均与所述驱动电路的接地端电连接。2.根据权利要求1所述的隔离无源MOS管安全驱动电路，其特征在于：所述倍压整流电路包括电容C2、二极管D1、电容C3和二极管D2，所述变压器T1次级线圈的一端通...

【专利技术属性】
技术研发人员：尤延庆，肖俊伟，
申请(专利权)人：湖北集润科技有限公司，
类型：新型
国别省市：湖北,42