像素电路及其驱动方法及一种有源矩阵有机发光显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种像素电路及其驱动方法及一种有源矩阵有机发光显示装置。其中的像素电路通过在晶体管T2的栅极和晶体管T6的栅极之间串联电容器C3，相当于将晶体管T6的阈值电压的信息存储到电容器C3上，晶体管T6的阈值电压发生波动时，可以通过电容器C3的充电或者放电来进行补偿。初始化阶段行扫描线Sn-1为二阶低电平信号或多阶低电平信号，能够使得电压的变化过程较为平缓。由于行扫描线Sn-1与晶体管T6的栅极电连接，通过这种阶梯式的低电位可以有效减弱开关电压瞬间关闭时晶体管T6内部寄生电容Cgd产生的Feed Through电压（跳变）的影响，可以进一步保证OLED器件发光的均匀性。

【技术实现步骤摘要】
像素电路及其驱动方法及一种有源矩阵有机发光显示装置
本专利技术涉及有机发光显示
，尤其涉及一种可有效改善TFT器件漏电流Ioff偏大带来的显示不良的有机发光像素电路及其驱动方法以及一种有源矩阵有机发光显示装置。
技术介绍
在平板显示技术中，AMOLED（ActiveMatrixOrganicLightEmittingDiode---有源矩阵有机发光显示器件）以其轻薄、主动发光、响应速度快、广视角、色彩丰富及高亮度、低功耗、耐高低温等优点，已被应用于高性能和大尺寸显示中，并逐步成为显示领域的新一代显示技术。目前AMOLED显示技术多采用LTPS（LowTemperaturePoly-silicon—低温多晶硅）工艺来实现，是因为与一般的AmorphousSI（非晶硅）工艺相比，LTPS实现的薄膜晶体管具有更高的电子迁移率和更高的稳定性。然而，LTPS工艺实现的薄膜晶体管的器件漏电流Ioff会影响器件的稳定性与性能。因此现有技术中通过补偿晶体管开启电压来减小Ioff带来的影响提高显示电路的稳定性。结合图1所示的像素电路和图2所示的驱动方法对像素电路的发光过程进行说明，其中VDD表示第一电源，VSS表示第二电源，Vinit表示第三电源。t1时间段为初始化阶段：行扫描线Sn-1为低电平，行扫描线Sn、发光控制信号En、数据电压信号Dm为高电平，此时只有晶体管T6导通，OLED器件关闭，晶体管T2的栅极电压Vg被初始化，此时晶体管T2的栅极电压Vg=Vinit。t2时间段为数据写入阶段：行扫描线Sn-1、发光控制信号En为高电平，行扫描线Sn、数据电压信号Dm为低电平，此时晶体管T1和T3导通，晶体管T2以二极管的形式工作，晶体管T2的源极电压即为数据电压信号Dm的电压VDm，因此晶体管T2的栅极电压Vg=VDm-│Vth│，Vth为晶体管T2的阈值电压。t3时间段为发光阶段：发光控制信号En为低电平，行扫描线Sn-1和行扫描线Sn均为高电平。发光控制信号En使得晶体管T2的源极电压Vs为VDD，晶体管T2的栅极电压Vg保持在VDm-│Vth│；晶体管T2的栅源极间的电压Vsg根据下述公式得到：Vsg=Vs-Vg=VDD-（VDm-│Vth│），则Vsg-│Vth│=VDD-VDm。这样即使晶体管T2的阈值电压Vth有变化，晶体管T2的上的电压也能保持稳定，进而经过晶体管T2的驱动电流保持稳定，实现了一定程度的补偿效果。但是实际像素电路工作时并不能如上述公式中体现的那样理想，因为晶体管T2的栅极与晶体管T6的源极电连接，因此当晶体管T6的漏电/阈值电压发生变化时，会影响到晶体管T2的栅极电压，即仍然会因为晶体管T6存在的漏电流导致晶体管T2电压的不稳定，从而影响到经过晶体管T2的驱动电流进而影响OLED器件驱动电流的稳定性，破坏画面品质。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是现有技术中的像素电路由于晶体管的漏电流和阈值电压不稳定导致的OLED器件驱动电流不稳定影响画面品质，从而提供一种能够抵消晶体管阈值电压波动的像素电路及其驱动方法，并提供一种应用该像素电路和驱动方法的有源矩阵有机发光显示装置。为解决上述技术问题，本专利技术是通过以下技术方案实现的：本专利技术提供一种像素电路，包括：OLED器件、晶体管T1-T6，电容器C1、电容器C2以及储能元件；所述晶体管T1，其栅极与行扫描线Sn、所述电容器C2的第一端和所述晶体管T3的栅极电连接；其第一端与所述晶体管T4的第二端和所述晶体管T2的第一端电连接；其第二端与数据电压信号电连接；所述晶体管T2，其栅极与所述晶体管T3的第一端、所述晶体管T6的第一端、所述电容器C2的第二端、所述电容器C1的第二端和所述储能元件的第一端电连接；其第二端与所述晶体管T3的第二端和所述晶体管T5的第一端电连接；所述晶体管T4，其栅极与发光控制信号En和所述晶体管T5的栅极电连接；其第一端与第一电源和所述电容器C1的第一端电连接；所述晶体管T5，其第二端与所述OLED器件的阳极电连接；所述晶体管T6，其栅极与行扫描线Sn-1和所述储能元件的第二端电连接；其第二端与第三电源电连接；所述电容器C1，其第一端与第一电源电连接；所述储能元件，其第二端与行扫描线Sn-1、所述晶体管T6的栅极电连接；所述OLED器件的阴极与第二电源电连接。上述的像素电路，所述储能元件为电容器C3。上述的像素电路，所述电容器C3大于或等于0.03PF。上述的像素电路，所述电容器C3大于或等于0.5PF。上述的像素电路，所述晶体管T1-T6均为P沟道金属氧化物半导体晶体管。上述的像素电路，所述第一电源为高电平电源，所述第二电源为低电平电源。本专利技术还提供一种驱动上述像素电路的驱动方法，扫描周期包括如下时间段：初始化：控制行扫描线Sn、发光控制信号En、数据电压信号为高电平，行扫描线Sn-1为二阶以上低电平信号；数据写入：控制行扫描线Sn-1、发光控制信号En为高电平；行扫描线Sn、数据电压信号为低电平；发光：控制发光控制信号En为低电平，行扫描线Sn-1、行扫描线Sn、数据电压信号均为高电平。上述的驱动方法，所述初始化时阶段中，行扫描线Sn-1为四阶低电平信号。本专利技术还提供一种有源矩阵有机发光显示装置，包括上述的像素电路。上述的有机发光显示装置，采用所述的驱动方法驱动所述像素电路。本专利技术的上述技术方案相比现有技术具有以下优点：（1）本专利技术所述的像素电路，通过在晶体管T2的栅极和晶体管T6的栅极之间串联有储能元件电容器C3，相当于将晶体管T6的阈值电压的信息存储到电容器C3上，这样晶体管T6的阈值电压发生波动时，可以通过电容器C3的充电或者放电来进行补偿。上述方案有效避免了现有技术中晶体管T2的栅极电压被晶体管T6的漏电影响导致发光不均匀的问题。（2）本专利技术所述的像素电路，所述电容C3大于或等于0.03PF，进一步地，所述电容C3大于或等于0.5PF。在选择电容器C3的大小时，也要考虑到工艺条件和版图空间的限制，因为电容器本身也需要占用一定的空间，在像素电路制备过程中，根据电容器设置位置所剩余的空间结合对像素电路的发光均匀度要求来综合考量电容器C3的大小，例如如果针对现有4.6Inch设计，电容器C3可以设计为0.1pF。而电容器C3按上述取值选择，经过试验，可以将晶体管T2的栅极电压的保持率有效提高。（3）本专利技术所述的驱动方法，在初始化阶段行扫描线Sn-1为二阶低电平信号或多阶低电平信号，能够使得电压的变化过程较为平缓。由于行扫描线Sn-1与晶体管T6的栅极电连接，通过这种阶梯式的低电位可以有效减弱开关电压瞬间关闭时晶体管T6内部寄生电容Cgd产生的FeedThrough电压（跳变电压）的影响，可以进一步保证OLED器件发光的均匀性。附图说明为了使本专利技术的内容更容易被清楚的理解，下面结合附图，对本专利技术作进一步详细的说明，其中，图1是本专利技术
技术介绍
所述像素电路的像素电路图；图2是本专利技术所述
技术介绍
所述像素电路的驱动时序图；图3是本专利技术一个实施例所述有源矩阵有机发光显示装置的像素电路图；图4本专利技术一个实施例所述像素电路图；图5是本专利技术一个实施例所述驱动时序图；图6本专利技术一个实施例所述驱动时序图。图中附图标记表示为：本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素电路，其特征在于，包括：OLED器件、晶体管T1‑T6，电容器C1、电容器C2以及储能元件；所述晶体管T1，其栅极与行扫描线Sn、所述电容器C2的第一端和所述晶体管T3的栅极电连接；其第一端与所述晶体管T4的第二端和所述晶体管T2的第一端电连接；其第二端与数据电压信号电连接；所述晶体管T2，其栅极与所述晶体管T3的第一端、所述晶体管T6的第一端、所述电容器C2的第二端、所述电容器C1的第二端和所述储能元件的第一端电连接；其第二端与所述晶体管T3的第二端和所述晶体管T5的第一端电连接；所述晶体管T4，其栅极与发光控制信号En和所述晶体管T5的栅极电连接；其第一端与第一电源和所述电容器C1的第一端电连接；所述晶体管T5，其第二端与所述OLED器件的阳极电连接；所述晶体管T6，其栅极与行扫描线Sn‑1和所述储能元件的第二端电连接；其第二端与第三电源电连接；所述电容器C1，其第一端与第一电源电连接；所述储能元件，其第二端与行扫描线Sn‑1、所述晶体管T6的栅极电连接；所述OLED器件的阴极与第二电源电连接。

【技术特征摘要】
1.一种像素电路，包括：OLED器件、晶体管T1-T6，电容器C1、电容器C2；所述晶体管T1，其栅极与行扫描线Sn、所述电容器C2的第一端和所述晶体管T3的栅极电连接；其第一端与所述晶体管T4的第二端和所述晶体管T2的第一端电连接；其第二端与数据电压信号电连接；所述晶体管T2，其栅极与所述晶体管T3的第一端、所述晶体管T6的第一端、所述电容器C2的第二端、所述电容器C1的第二端电连接；其第二端与所述晶体管T3的第二端和所述晶体管T5的第一端电连接；所述晶体管T4，其栅极与发光控制信号En和所述晶体管T5的栅极电连接；其第一端与第一电源和所述电容器C1的第一端电连接；所述晶体管T5，其第二端与所述OLED器件的阳极电连接；所述晶体管T6，其栅极与行扫描线Sn-1电连接；其第二端与第三电源电连接；所述电容器C1，其第一端与第一电源电连接；所述OLED器件的阴极与第二电源电连接；其特征在于，还包括储能元件，所述储能元件的第一端与所述电容器C1的第二端和所述晶体管T2的栅极电连接，所述储能元件的第二端与行扫描线Sn-1、所述晶体管T6的栅极电连接。2.根据权利要求1所述的像素电路，其特征在于：所述储能元件为电容器C3。3.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：张金方，朱修剑，韩真真，
申请(专利权)人：昆山国显光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32