【技术实现步骤摘要】
一种局域表面等离子谐振传感器及其制备方法和应用
本专利技术涉及传感器材料
,具体涉及一种局域表面等离子谐振传感器及其制备方法和应用。
技术介绍
随着纳米加工技术的快速发展,金属纳米颗粒或者纳米阵列结构局域表面等离子谐振技术,得到了广泛关注。入射光与金属纳米颗粒或者纳米阵列结构表面自由电荷密度振荡耦合,产生局域表面等离子谐振,出现很强的谐振吸收光谱。谐振吸收波长与纳米颗粒或者纳米阵列结构的结构、形状、尺寸、分布及周围环境的介电系数有关。局域表面等离子谐振传感器可以分为反射型和透射型,其中透射型局域表面等离子谐振传感器需要采用透明材料作为衬底。聚碳酸酯因其具有突出的透明性,可以作为透射型局域表面等离子谐振传感器的衬底材料,但聚碳酸酯材料的耐溶剂性能比较差,在溶剂作用下容易产生应力松弛和裂纹开裂;此外,聚碳酸酯材料的耐紫外老化性能较差,在紫外光的照射下反应变黄,导致透光性能下降,无法满足局域表面等离子谐振传感器的检测应用要求。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术的不足之处而提供一种局域表面等离子谐振传感器及其制备方法和应用。为实现上述目的,本专利技术采取的 ...
【技术保护点】
1.一种局域表面等离子谐振传感器,其特征在于,所述传感器包括透明介质层和银膜;所述透明介质层由聚碳酸酯材料制备得到,包括衬底和分布在所述衬底上的纳米柱阵列,所述纳米柱阵列中的每个纳米柱的顶部与其底部的形状及横截面均相同,且纳米柱的顶部的横截面积大于其中部的横截面积,纳米柱的底部与所述衬底连接;纳米柱的顶部和所述衬底上均覆盖有银膜,其中,所述衬底上覆盖的银膜与纳米柱之间均有间隙;纳米柱的表面涂覆还有SiO2/TiO2复合涂层。
【技术特征摘要】
1.一种局域表面等离子谐振传感器,其特征在于,所述传感器包括透明介质层和银膜;所述透明介质层由聚碳酸酯材料制备得到,包括衬底和分布在所述衬底上的纳米柱阵列,所述纳米柱阵列中的每个纳米柱的顶部与其底部的形状及横截面均相同,且纳米柱的顶部的横截面积大于其中部的横截面积,纳米柱的底部与所述衬底连接;纳米柱的顶部和所述衬底上均覆盖有银膜,其中,所述衬底上覆盖的银膜与纳米柱之间均有间隙;纳米柱的表面涂覆还有SiO2/TiO2复合涂层。2.根据权利要求1所述的局域表面等离子谐振传感器,其特征在于,所述纳米柱的横截面均为正六边形。3.根据权利要求1所述的局域表面等离子谐振传感器,其特征在于,所述纳米柱阵列为四方晶格、三角晶格或六角晶格周期排列。4.根据权利要求1所述的局域表面等离子谐振传感器,其特征在于,所述银膜的厚度均为15~20nm。5.根据权利要求1或4所述的局域表面等离子谐振传感器,其特征在于,所述纳米柱的彼此间距为20~1000nm。6.根据权利要求1~5任一项所述的局域表面等离子谐振传感器的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)利用纳米加工技术在聚碳酸酯衬底材...
【专利技术属性】
技术研发人员:余得胜,
申请(专利权)人:广州星坛电子产品有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
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