纳米晶模切包边工艺及设备制造技术

本发明专利技术提供一种纳米晶模切包边工艺及设备，其中，所述卷料纳米晶模切包边工艺包括：对纳米晶进行模切；在模切得到的单片纳米晶的上表面和下表面均覆盖保护膜；对上、下表面的保护膜进行模切，且使得模切后的保护膜的边缘超出单片纳米晶的边缘；将上、下表面的保护膜超出单片纳米晶的边缘的部分对单片纳米晶的边缘进行包边。本发明专利技术的纳米晶模切包边工艺通过模切以及辊切，对纳米晶及其上的保护膜分别进行切割，如此有利于减少毛刺的产生，同时预留能够包覆纳米晶边缘的包边，有利于避免毛刺漏出。

Technology and Equipment for Cutting and Edging of Nanocrystalline Mould

【技术实现步骤摘要】
纳米晶模切包边工艺及设备
本专利技术涉及纳米晶模切
，尤其涉及一种纳米晶模切包边工艺及设备。
技术介绍
锰锌铁氧体是具有尖晶石结构的软磁铁氧体，也是一种用途广、产量大、成本低的电子工业及机电工业基础材料，被广泛用作电子开关元件、高速切换元件、磁头材料、磁记录材料等。尤其在高速切换开关中，纳米晶软磁铁氧体的应用受到格外关注。在实际生产加工过程中，需要对纳米晶进行模切，使之形成需求尺寸规格以及形状的产品。然而，由于纳米晶连同其上下表面的保护膜的厚度较厚，在模切时容易产生毛边且碎屑较多。因此，针对上述问题，有必要提出进一步地解决方案。
技术实现思路
本专利技术旨在提供一种，以克服现有技术中存在的不足。为解决上述技术问题，本专利技术的技术方案是：一种纳米晶模切包边工艺，其包括：对纳米晶进行模切；在模切得到的单片纳米晶的上表面和下表面均覆盖保护膜；对上、下表面的保护膜进行模切，且使得模切后的保护膜的边缘超出单片纳米晶的边缘；将上、下表面的保护膜超出单片纳米晶的边缘的部分对单片纳米晶的边缘进行包边。作为本专利技术的纳米晶模切包边工艺的改进，所述保护膜为粘附于所述单片纳米晶上下表面的黑色胶带。为解决上述技术问题，本专利技术的技术方案是：一种用于实如上所述纳米晶模切包边工艺的设备，其包括依次设置的：模切机构、贴膜机构、辊切机构；所述模切机构包括：上刀模和下刀模，所述上刀模包括：上刀模座以及设置于所述上刀模座模切出单片纳米晶的刀刃，所述下刀模包括：下刀模座以及开设于所述下刀模座上的收容所述刀刃的刀槽；所述贴膜机构包括：上导料辊、下导料辊以及剥离刀，所述上导料辊与下导料辊上下相对设置，所述剥离刀位于所述下导料辊的上游，且所述剥离刀朝向所述下导向辊设置，且其刀刃与所述下导料辊的辊面保持相切，所述辊切机构包括：辊切刀，所述辊切刀的辊刀周长略大于所述单片纳米晶的长度。作为本专利技术的纳米晶模切包边工艺的设备的改进，所述刀刃为适于切割出单片纳米晶的矩形刀刃，所述刀槽对应设置为矩形刀槽。作为本专利技术的纳米晶模切包边工艺的设备的改进，所述模切机构包括：前导向辊和后导向辊，所述前导向辊靠近所述模切机构的入口位置，所述后导向辊靠近所述模切机构的出口位置，所述剥离刀位于所述后导向辊和下导料辊之间。作为本专利技术的纳米晶模切包边工艺的设备的改进，所述上导料辊与下导料辊之间的间距等于单片纳米晶的厚度。作为本专利技术的纳米晶模切包边工艺的设备的改进，所述辊切刀旋转一周所需时间略大于单片纳米晶自辊切刀下方通过的时间。与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：本专利技术的纳米晶模切包边工艺通过模切以及辊切，对纳米晶及其上的保护膜分别进行切割，如此有利于减少毛刺的产生，同时预留能够包覆纳米晶边缘的包边，有利于避免毛刺漏出。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术的用于实现纳米晶模切包边工艺的设备一实施例的结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术的一实施例提供一种纳米晶模切包边工艺，其包括：对纳米晶进行模切；在模切得到的单片纳米晶的上表面和下表面均覆盖保护膜；对上、下表面的保护膜进行模切，且使得模切后的保护膜的边缘超出单片纳米晶的边缘；将上、下表面的保护膜超出单片纳米晶的边缘的部分对单片纳米晶的边缘进行包边。其中，所述保护膜可以为粘附于所述单片纳米晶上下表面的黑色胶带。在一个替代的实施例中，在对纳米晶进行模切，得到单片纳米晶的同时，还可以同步切割适应尺寸的保护膜，然后再将保护膜覆盖在单片纳米晶的上表面和下表面，此时应当控制覆盖的纳米晶的保护膜的边缘超出单片纳米晶的边缘。其中，所述保护膜可以为粘附于所述单片纳米晶上下表面的黑色胶带。基于上述第一实施例提供的纳米晶模切包边工艺，本专利技术还提供一种用于实现该纳米晶模切包边工艺的设备。具体地，如图1所示，所述设备包括依次设置的：模切机构1、贴膜机构2、辊切机构3。所述模切机构1用于实现纳米晶的模切，其包括：上刀模11和下刀模12，上刀模11位于所述下刀模12的上方，并能够在动力机构的驱动下与下刀模12实现合模。其中，动力机构可以为气缸等。所述上刀模11具体包括：上刀模座111以及设置于所述上刀模座111模切出单片纳米晶的刀刃112。所述下刀模12具体包括：下刀模座121以及开设于所述下刀模座121上的收容所述刀刃112的刀槽122。优选地，所述刀刃112为适于切割出单片纳米晶的矩形刀刃112，相应的，所述刀槽122对应设置为矩形刀槽122。此外，所述模切机构1还包括：前导向辊13和后导向辊14，所述前导向辊13靠近所述模切机构1的入口位置，所述后导向辊14靠近所述模切机构1的出口位置。从而，所述模切机构1工作时，纳米晶在前导向辊13的导向下，自模切机构1的入口送入到上刀模座111和下刀模座121之间，上刀模座111与下刀模座121合模时，上刀模座111对纳米晶进行模切，获得单片纳米晶。模切后，由于单片纳米晶与其余部分之间具有一定的摩擦力，其仍让随着其与部分一同向后传输。并在后导向辊14的导向下，自模切机构1的出口离开。所述贴膜机构2用于在单片纳米晶的上、下表面贴附保护膜，当保护膜为黑色胶带时，将黑色胶带贴附在单片纳米晶的上、下表面。所述贴膜机构2具体包括：上导料辊21、下导料辊22以及剥离刀23，所述上导料辊21与下导料辊22上下相对设置。其中，所述剥离刀23位于所述下导料辊22的上游，且所述剥离刀23朝向所述下导向辊设置，且其刀刃112与所述下导料辊22的辊面保持相切，且所述剥离刀23位于所述后导向辊14和下导料辊22之间从而，所述贴膜机构2工作时，单片纳米晶在剥离刀23的作用下翘曲，并由下导料辊22引入的保护膜带走，同时上导料辊21引入的保护膜粘附在单片纳米晶的上表面。此外，所述上导料辊21与下导料辊22之间的间距等于单片纳米晶的厚度，如此在上导料辊21与下导料辊22的挤压作用下，保护膜能够牢固地粘附在单片纳米晶上。所述辊切机构3用于将粘附的保护膜进行辊切，其具体包括：辊切刀31，所述辊切刀31的辊刀周长略大于所述单片纳米晶的长度。同时，所述辊切刀31旋转一周所需时间略大于单片纳米晶自辊切刀31下方通过的时间。如此，辊切机构3工作时，通过设定辊切刀31的辊切位置，携带单片纳米晶的保护膜经过辊切刀31时，由辊切刀31上的刀刃可对单片纳米晶的周侧的保护膜进行辊切，使得保护膜的边缘超出单片纳米晶的边缘。最后，可通过人工的方式将保护膜的边缘超出单片纳米晶的边缘的部分进行包边。综上所述，本专利技术的纳米晶模切包边工艺通过模切以及辊切，对纳米晶及其上的保护膜分别进行切割，如此有利于减少毛刺的产生，同时预留能够包覆纳米晶边缘的包边，有利于避免毛刺漏出。对于本领域技术人员而本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种纳米晶模切包边工艺，其特征在于，所述卷料纳米晶模切包边工艺包括：对纳米晶进行模切；在模切得到的单片纳米晶的上表面和下表面均覆盖保护膜；对上、下表面的保护膜进行模切，且使得模切后的保护膜的边缘超出单片纳米晶的边缘；将上、下表面的保护膜超出单片纳米晶的边缘的部分对单片纳米晶的边缘进行包边。

【技术特征摘要】
1.一种纳米晶模切包边工艺，其特征在于，所述卷料纳米晶模切包边工艺包括：对纳米晶进行模切；在模切得到的单片纳米晶的上表面和下表面均覆盖保护膜；对上、下表面的保护膜进行模切，且使得模切后的保护膜的边缘超出单片纳米晶的边缘；将上、下表面的保护膜超出单片纳米晶的边缘的部分对单片纳米晶的边缘进行包边。2.根据权利要求1所述的纳米晶模切包边工艺，其特征在于，所述保护膜为粘附于所述单片纳米晶上下表面的黑色胶带。3.一种用于实现权利要求1或2所述纳米晶模切包边工艺的设备，其特征在于，所述设备包括依次设置的：模切机构、贴膜机构、辊切机构；所述模切机构包括：上刀模和下刀模，所述上刀模包括：上刀模座以及设置于所述上刀模座模切出单片纳米晶的刀刃，所述下刀模包括：下刀模座以及开设于所述下刀模座上的收容所述刀刃的刀槽；所述贴膜机构包括：上导料辊、下导料辊以及剥离刀，所述上导料辊与下导料辊上下相对设...

【专利技术属性】
技术研发人员：王春生，贾志江，徐鑫，唐界斌，
申请(专利权)人：苏州安洁科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32