一种辅助电源控制芯片供电过欠压保护电路制造技术

本实用新型专利技术属于供电过欠压保护电路技术领域，尤其涉及一种辅助电源控制芯片供电过欠压保护电路，NPN三极管Q2、电容C9、电容C10、二极管D6、二极管D7、电阻R9、电阻R10、电阻R11和电阻R12，二极管D6、电阻R10和电阻R11均电连接在二极管D6的一端。该种辅助电源控制芯片供电过欠压保护电路，利用一个NPN三极管、两个电解电容、一个稳压二极管、一个普通二极管以及四个电阻组成的简单电路，实现了辅助电源主控制芯片供电过、欠压保护功能，从而不仅所需器件数量少、成本低、可靠性高，而且可快速实现芯片供电过、欠压保护，解决现有技术中芯片本身不具备供电过压保护功能等问题。

An Overvoltage and Undervoltage Protection Circuit for Auxiliary Power Control Chip

【技术实现步骤摘要】
一种辅助电源控制芯片供电过欠压保护电路
本技术属于供电过欠压保护电路
，尤其涉及一种辅助电源控制芯片供电过欠压保护电路。
技术介绍
常见开关电源中各种控制电路、保护电路以及通信电路所需供电功率不会超过50W，而反激电路因为电路拓扑简单、所需器件数量少、不需要输出滤波电感、易实现多路输出、调试简单、易实现小功率输出，因此广泛应用于开关电源内部辅助电源电路。现有辅助电源电路中，控制芯片供电首先由辅助电源输入电压进行分压后提供，当所分电压超过芯片低压锁定门限后，芯片开始输出驱动信号，辅助电源开始正常输出，如图1所示为采用反激拓扑来实现的辅助电源电路，其中芯片供电由两部分来提供，分别是：一、输入电压分压；二、一路输出电压15V，虽然芯片本身具有供电欠压锁定保护功能，但是，芯片本身并没有供电过压保护功能，在图1所示常见辅助电源电路中，也并未考虑芯片供电过压保护，如当输入电压分压或者15V电压无法稳压而超过芯片供电电压上限后，就会对芯片产品不可恢复的损坏，导致开关电源无法正常工作。可见，现有技术中至少存在以下缺陷：芯片本身不具备供电过压保护功能。因此，有必要提供一种技术手段以解决上述缺陷。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术之缺陷，提供一种辅助电源控制芯片供电过欠压保护电路，以解决现有技术中芯片本身不具备供电过压保护功能等问题。本技术是这样实现的，一种辅助电源控制芯片供电过欠压保护电路，包括：NPN三极管Q2、电容C9、电容C10、二极管D6、二极管D7、电阻R9、电阻R10、电阻R11和电阻R12，所述二极管D6、电阻R10和电阻R11均电连接在二极管D6的一端，所述电阻R9电连接在二极管D6负极，所述电阻R10电连接在二极管D6正极，所述NPN三极管Q2一端电连接有主控芯片，所述电容C9电连接在电阻R9与电阻R10一端，所述电阻R11电连接在NPN三极管Q2的一端，所述电阻R12电连接在电阻R11的一端，所述二极管D7电连接在电阻R12的一端，所述电容C10电连接在电阻R12和电阻R11的一端。具体地，所述二极管D6为稳压二极管。进一步地，所述电容C9和电容C10均为电解电容。具体地，所述稳压二极管的电压为12V。进一步地，所述主控芯片包括1脚、2脚、3脚、4脚、5脚、6脚、7脚和8脚，所述电容C10通过3脚与主控芯片电连接。与现有技术相比，本技术的有益效果是：该种辅助电源控制芯片供电过欠压保护电路，利用一个NPN三极管、两个电解电容、一个稳压二极管、一个普通二极管以及四个电阻组成的简单电路，实现了辅助电源主控制芯片供电过、欠压保护功能，从而不仅所需器件数量少、成本低、可靠性高，而且可快速实现芯片供电过、欠压保护。附图说明图1为一款采用反激拓扑的辅助电源部分电路图；图2为本技术实施例的辅助电源主控芯片供电过、欠压保护电路图。具体实施方式为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者可能同时存在居中元件。当一个元件被称为是“连接于”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。如图1至图2所示，本技术的优选的具体实施方式是，一种辅助电源控制芯片供电过欠压保护电路，包括：NPN三极管Q2、电容C9、电容C10、二极管D6、二极管D7、电阻R9、电阻R10、电阻R11和电阻R12，所述二极管D6、电阻R10和电阻R11均电连接在二极管D6的一端，所述电阻R9电连接在二极管D6负极，所述电阻R10电连接在二极管D6正极，所述NPN三极管Q2一端电连接有主控芯片，所述二极管D6为稳压二极管，所述电容C9和电容C10均为电解电容，所述稳压二极管的电压为12V，当辅助电源工作正常后，主控芯片供电由一路输出15V来提供，此时NPN三极管Q2基级电压升高，基级电流升高，集电极电流相应增大，NPN三极管Q2进去饱和区导通，把电压3.3V拉低；根据上述实施例所述，本实施例中与上述实施例不同的是，所述电容C9电连接在电阻R9与电阻R10一端，所述电阻R11电连接在NPN三极管Q2的一端，所述电阻R12电连接在电阻R11的一端，所述二极管D7电连接在电阻R12的一端，所述电容C10电连接在电阻R12和电阻R11的一端，所述主控芯片包括1脚、2脚、3脚、4脚、5脚、6脚、7脚和8脚，所述电容C10通过3脚与主控芯片电连接，当电压3.3V拉低后，主控芯片3脚输入电压不会超过保护阈值(1V)，主控芯片正常工作，另外，主控芯片的供电电压为12V稳压二极管二极管D6电压加上电阻R9上的电压；进一步的，当输入电压分压或者一路输出电压15V因为异常而急剧升高，因为12V二极管D6的存在，芯片供电电压会保持在12V稳压二极管上电压加上电阻R9上的电压，保证芯片不会被高压击穿，起到供电过压后保护辅助电源控制芯片的作用；进一步的，当输入电压分压或者一路输出电压15V因为异常而降低到低于12V后，NPN三极管Q2不再导通，NPN三极管Q2基级电压降低，基级电流减小，集电极电流相应减小直至变为零，NPN三极管Q2进入截止区，3.3V电压通过电阻R12和二极管D7进入控制芯片的3脚，因为3.3V电压高于3脚保护阈值，芯片停止输出驱动信号，辅助电源停止工作，起到供电欠压后保护辅助电源控制芯片的作用，辅助电源在刚开始工作时，输入电压分压低于12V，而内部供电电压15V和3.3V电压也并未建立，但是当3.3V建立时间短于内部供电电压15V建立时间，则芯片供电过、欠压保护电路会发生误动作，而导致辅助电源无法正常启动工作，为避免这种情况的发生，可以通过调整电容C10的容量，延长3.3V电压的建立时间，在辅助电源开始工作时，输入电压分压高于控制芯片欠压启动电压后，内部15V供电电压和3.3V电压均在上升，由于电解电容C10的充电时间常数较长，所以电解电容C10电压未被充到高于芯片3脚保护阈值时，NPN三极管Q2已经导通，辅助电源正常启动工作，其中电容C9的作用是对输入分压电压进行滤波，避免干扰电压影响电路正常保护判断，电阻R10为NPN三极管Q2的基级钳位电阻，如无此电阻，NPN三极管Q2不会导通，电阻R11为NPN三极管Q2集电极限流电阻。以上所述仅为本技术较佳的实施例而已，其结构并不限于上述列举的形状，凡在本技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种辅助电源控制芯片供电过欠压保护电路，其特征在于，包括：NPN三极管Q2、电容C9、电容C10、二极管D6、二极管D7、电阻R9、电阻R10、电阻R11和电阻R12，所述二极管D6、电阻R10和电阻R11均电连接在二极管D6的一端，所述电阻R9电连接在二极管D6负极，所述电阻R10电连接在二极管D6正极，所述NPN三极管Q2一端电连接有主控芯片，所述电容C9电连接在电阻R9与电阻R10一端，所述电阻R11电连接在NPN三极管Q2的一端，所述电阻R12电连接在电阻R11的一端，所述二极管D7电连接在电阻R12的一端，所述电容C10电连接在电阻R12和电阻R11的一端。

【技术特征摘要】
1.一种辅助电源控制芯片供电过欠压保护电路，其特征在于，包括：NPN三极管Q2、电容C9、电容C10、二极管D6、二极管D7、电阻R9、电阻R10、电阻R11和电阻R12，所述二极管D6、电阻R10和电阻R11均电连接在二极管D6的一端，所述电阻R9电连接在二极管D6负极，所述电阻R10电连接在二极管D6正极，所述NPN三极管Q2一端电连接有主控芯片，所述电容C9电连接在电阻R9与电阻R10一端，所述电阻R11电连接在NPN三极管Q2的一端，所述电阻R12电连接在电阻R11的一端，所述二极管D7电连接在电阻R12的一端，所述电容C...

【专利技术属性】
技术研发人员：张西恩，王金明，
申请(专利权)人：晟道科技石家庄有限公司，
类型：新型
国别省市：河北,13