导电模组、具备该导电模组的触摸屏及显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了一种导电模组、具备该导电模组的触摸屏及显示装置。导电模组，包括第一纳米银线导电电极层、第一光学胶层、第二纳米银线导电电极层以及基底，所述导电模组还包括设置在第一纳米银线导电电极层和/或第二纳米银线导电电极层上的金属网格层，所述金属网格层延伸至与所述基底的至少一个边缘等齐。导电模组导电模组该导电模组及具有该导电模组的触摸屏和显示装置不仅增加了纳米银线导电电极层与基底的粘着性，还可以起到保护电极材料，增加屏体强度作用。

Conductive module, touch screen and display device with the conductive module

【技术实现步骤摘要】
导电模组、具备该导电模组的触摸屏及显示装置
本技术属于显示领域，具体涉及一种导电模组及具备该导电模组的触摸屏和显示装置。
技术介绍
随着现代触控技术的进步，触摸屏应用范围不断扩大，手机、平板电脑中触控功能几近成为标准配置；在笔记本电脑、超极本、一体机中，具备触控功能的产品占有市场份额也不断扩大；从触摸屏产业的角度看，触摸屏低成本、量产性是未来发展的方向；而对于普通消费者，触摸屏的轻薄性、高透过性则会得到更多关注；随着触控技术的发展，传统的电阻式触摸屏逐步被更轻薄、触控性能更佳的电容式触摸屏技术所取代；在诸多电容式触摸屏结构中，以OGS及TOL结构的触摸屏轻薄性、透过率最佳；对于已有OGS及TOL工艺，业界通常使用单层ITO或ITO垮桥结构来形成触摸电极结构，工艺上需要使用真空溅射设备沉积ITO薄膜，然后使用黄光制程形成图形，对于垮桥结构还需在垮桥下制作透明绝缘层材料；无论是哪种结构，都需要昂贵的真空溅射工艺沉积ITO透明导电膜层；另外核心材料的氧化铟锡也逐渐暴露出诸多问题：第一、铟资源储备有限，ITO作为透明电极在越来越多的领域得到广泛应用，这就加速铟资源的消耗速度，铟价格也逐步提高，直接造成器件制造成本的增加；第二、ITO薄膜需要昂贵的真空镀膜设备并且在较高的基板温度下才能获得高性能的ITO透明导电膜，设备投资巨大，工艺难度较高，并且溅射机台很容易成为产线瓶颈，限制产能；第三、为了获得较小的方阻值，通常ITO沉积的厚度较大，这就造成ITO图形易见，为了克服这个缺点，业界往往在沉积ITO之前使用真空溅射沉积二氧化硅、五氧化二铌等复合消隐层，这就更加增加了制造成本，限制产能。基于上述因素，纳米银线替换ITO成为趋势，研究者发现采用银纳米线材料制备的涂层具有优异的导电性、透光率和耐弯折性能，但银纳米线材料同时也具有接触电阻较高、与基底附着性差、耐腐蚀性不强等缺点。美国斯坦福大学发现在银纳米线层上电镀金膜并进行热压处理可以减小线与线之间的接触电阻；后来又发现采用卤钨灯照射可以使银纳米线交叉点在低温下焊接在一起，进一步减小了银纳米线之间的接触电阻，获得的透明导电涂层透光率在80％时表面电阻只有10Ω/□。虽然这些方法能够有效地减小银线的接触电阻，但对提高涂层的耐蚀性没有作用。美国加利福尼亚大学的一个研究组在银纳米线涂层表面先涂覆一层TiO2溶胶，烘干后再涂一层导电高分子PEDOT:PSS，获得了银纳米线-TiO2-PEDOT:PSS复合涂层；此复合涂层附着性、耐蚀性都有很大的提高，但需要的原料较多，步骤比较繁琐，不适用于大面积成膜。CN102087886A在基底表面先涂覆一层粘附剂(如PVA)，再涂覆银纳米线，经过干燥之后得到的复合涂层。这种方法虽然使涂层的附着性大幅度提高，却降低了涂层的导电性。另外也有不少研究组将银纳米线与化学气相沉积法(CVD)制备的石墨烯复合，先是在金属基底上采用化学气相沉积法制备石墨烯，然后将石墨烯从金属基底上转移到银涂层上，转移方法有基体腐蚀法等。所述方法得到的复合涂层虽然导电性和附着性都有明显提高，但化学气相沉积法制备石墨烯，成本较高，工艺复杂，且石墨烯的高质量转移过程也是一大难题(例如CN103325442A，CN203085198U)。本领域亟待开发一种透明导电薄膜，其能够提高银纳米线涂层的导电性、附着力，还可以起到保护电极材料，增加屏体强度作用，同时其工艺简单、生产成本低廉。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种导电能力强、灵敏度好并且成本低，尤其适用于各种柔性触摸屏的导电模组。本技术的目的在于提供一种导电能力强、灵敏度好并且成本低，尤其适用于各种柔性触摸显示装置的触摸屏。本技术的目的在于提供一种导电能力强、灵敏度好并且成本低的显示装置，尤其是具有柔性触摸屏的显示装置。为实现上述专利技术目的中的一个，本技术提供了一种导电模组，包括第一纳米银线导电电极层、第一光学胶层、第二纳米银线导电电极层以及基底，所述导电模组还包括设置在第一纳米银线导电电极层和/或第二纳米银线导电电极层上的金属网格层，所述金属网格层延伸至与所述基底的至少一个边缘等齐。作为本技术一实施方式的进一步改进，所述金属网格层设置于所述第一纳米银线导电电极层上。作为本技术一实施方式的进一步改进，所述金属网格层延伸至与所述基底的多个边缘或所有边缘等齐。作为本技术一实施方式的进一步改进，所述金属网格层在所述基底上的投影所述基底完全重叠。作为本技术一实施方式的进一步改进，所述金属网格层的厚度在1nm-20nm之间。作为本技术一实施方式的进一步改进，所述基底构造为柔性可弯曲基底。作为本技术一实施方式的进一步改进，所述基底的厚度在9nm-180nm之间。作为本技术一实施方式的进一步改进，所述纳米银线的直径小于50nm，长度范围在20um-50um之间。为实现上述专利技术目的中的另一个，本技术还提供了一种触摸屏，所述触摸屏包括如上任意一个实施方式所述的导电模组。为实现上述专利技术目的中的再一个，本技术还提供了一种显示装置，所述显示装置包括如上所述的触摸屏。与现有技术相比，本技术提供的导电模组、触摸屏以及显示装置，通过在纳米银线导电电极层上设置金属网格层，并且金属网格层延伸至与基底的至少一个边缘等齐，不仅增加了纳米银线导电电极层与基底的粘着性，还可以起到保护电极材料，增加屏体强度作用，同时其工艺简单、生产成本低廉。附图说明图1是本技术导电模组的截面结构示意图；图2是图1中的导电模组的平面示意图；图3是本技术纳米银线导电电极层分布于基底的截面结构示意图；图4是图3中纳米银线导电电极层分布于基底的平面示意图。具体实施方式为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请具体实施方式及相应的附图对本申请技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施方式仅是本申请一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本申请中的实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本申请保护的范围。下面详细描述本技术的实施方式，所述实施方式的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的，仅用于解释本技术，而不能理解为对本技术的限制。如图1和图2所示，本技术实施例提供了一种导电模组，尤其是一种纳米银线透明导电薄膜组，其从上至下依次包括第一纳米银线导电电极层10、第一光学胶层20、第二纳米银线导电电极层30以及基底40，导电膜还包括设置在第一纳米银线导电电极层10和/或第二纳米银线导电电极层30上的金属网格层50，金属网格层50延伸至与基底40的至少一个边缘等齐。通过在纳米银线导电电极层上增加一层金属网格层50，不仅增加了纳米银线导电电极层与基底40的粘着性，还可以起到保护电极材料，增加屏体强度作用。优选的，金属网格层50设置于第一纳米银线导电电极层30上，这样只需设置一层金属网格层即可实现增加第一纳米银线导电电极层10和第二纳米银线导电电极层30与基底40的粘着性，从而减小导电模组的整体厚度。另外，金属网格层50延伸至与基底40的多个边缘本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种导电模组，包括第一纳米银线导电电极层、第一光学胶层、第二纳米银线导电电极层以及基底，其特征在于，所述导电模组包括设置在第一纳米银线导电电极层和/或第二纳米银线导电电极层上的金属网格层，所述金属网格层延伸至与所述基底的至少一个边缘等齐。

【技术特征摘要】
1.一种导电模组，包括第一纳米银线导电电极层、第一光学胶层、第二纳米银线导电电极层以及基底，其特征在于，所述导电模组包括设置在第一纳米银线导电电极层和/或第二纳米银线导电电极层上的金属网格层，所述金属网格层延伸至与所述基底的至少一个边缘等齐。2.根据权利要求1所述的导电模组，其特征在于，所述金属网格层设置于所述第一纳米银线导电电极层上。3.根据权利要求1所述的导电模组，其特征在于，所述金属网格层延伸至与所述基底的多个边缘或所有边缘等齐。4.根据权利要求1所述的导电模组，其特征在于，所述金属网格层在所述基底上的投影所述基底...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭祥，应如波，
申请(专利权)人：昆山国显光电有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32