【技术实现步骤摘要】
一种基于碳基材料的PN结的制备方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种基于碳基材料的PN结的制备方法。
技术介绍
自1940年贝尔实验室制造出第一个Si的PN结以及1948年威廉·肖克利在贝尔实验室内部刊物发表的论文《半导体中的P-N结和P-N结型晶体管的理论》后，PN结的发展与应用便备受关注。PN结是构成各种半导体器件的基础。根据PN结的材料、掺杂分布、几何结构和偏置条件的不同，可以使器件具有整流、促进光催化、光致发光和光敏性等功能。其中，根据掺杂物的不同，可以形成P型或N型半导体，从而制备PN结。石墨烯及其相关材料可以根据掺杂物的性质调整成P型或N型半导体(JournalofMaterialsChemistryA，2018，6)，如氧化石墨烯(GO)或还原氧化石墨烯(rGO)已被广泛用作各种半导体和金属纳米颗粒的载体(ACSAppliedMaterials&Interfaces9(5),2017，4558-4569)。目前，基于石墨烯的全碳材料形成PN结已有先例(NatureCommunications9，2018，3750)，但其制备方法稍显...
【技术保护点】
1.一种基于碳基材料的PN结的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将碳基材料进行热还原，得到还原碳基材料；在所述还原碳基材料的表面覆盖碳基材料，得到PN结。
【技术特征摘要】
1.一种基于碳基材料的PN结的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将碳基材料进行热还原，得到还原碳基材料；在所述还原碳基材料的表面覆盖碳基材料，得到PN结。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述碳基材料为氧化石墨烯膜、部分还原的氧化石墨烯膜或石墨烯膜。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述碳基材料的膜厚度为0.2～100μm。4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述碳基材料的制备方法包括以下步骤：将碳基悬浮液涂覆于疏水纸表面，干燥，得到碳基材料；所述碳基悬浮液为氧化石墨烯悬浮液、部分还原的氧化石墨烯悬浮液或石墨烯悬浮液。5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：裘银伟，陈亮，樊艳，伊若冰，郑军，
申请(专利权)人：浙江农林大学，
类型：发明
国别省市：浙江,33
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