一种非制冷红外列级积分及单斜率转换读出电路制造技术

技术编号:21911761 阅读:45 留言:0更新日期:2019-08-21 11:46
本申请披露了一种读出电路,包括:RC有源积分器、RC有源积分型斜坡产生电路、高线性度采样保持电路和比较器;所述RC有源积分器包括运算放大器OPA0、第一可调电容单元组,所述第一可调电容单元组包括i个第一电容单元,每个第一电容单元包括电容Cinti,其中,i为任意正整数;当第一电容单元处于第一状态时,电容Cinti的第一端连接所述运算放大器OPA0的负输入端,电容Cinti的第二端连接所述运算放大器OPA0的输出端;当第一电容单元处于第二状态时,电容Cinti的第一端连接高电平VDD,电容Cinti的第二端连接地端VSS。

A Readout Circuit for Uncooled Infrared Column Integration and Single Slope Conversion

【技术实现步骤摘要】
一种非制冷红外列级积分及单斜率转换读出电路
本专利技术涉及一种读出电路。具体的,涉及一种非制冷红外列级积分及单斜率转换读出电路。
技术介绍
在非制冷红外读出电路中,列级的模拟前端电压通常需要经过积分器的放大,以增大摆幅并滤除低频噪声,然后再由列级的单斜率ADC完成数模转换。积分及单斜率数模转换电路设计的核心目标为低噪声、高线性度、低温漂以及较小的面积功耗代价。为了实现低噪声的读出,通常需要尽可能地延长积分时间,因此传统的做法是采用奇偶的采样保持电容,实现积分及单斜率转换的流水线操作。现有的一种结构为奇偶采样电容的读出电路,该结构中采样电容完成一行的积分后,即切入比较器进行下一行的转换。但由于该结构是无源的采样保持,在开关切换时,由于开关的寄生晶体管电容影响,会导致较差的积分非线性。另一方面,采样时VDD也会引入噪声。为了补偿温漂,并减小采样保持的噪声,现有的另一种结构采用了奇偶电容积分并采样保持的结构,并利用斜坡信号的斜率温漂补偿积分器的温漂。该结构的缺点为,奇偶电容在版图设计时容易产生失配及串扰,导致行列的固定噪声。
技术实现思路
针对现有技术中读出电路的非线性及行列固定噪声的情况,本本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种读出电路,其特征在于,包括:RC有源积分器、RC有源积分型斜坡产生电路、高线性度采样保持电路和比较器;所述RC有源积分器包括运算放大器OPA0、第一可调电容单元组,所述第一可调电容单元组包括i个第一电容单元,每个第一电容单元包括电容Cinti,其中,i为任意正整数;当第一电容单元处于第一状态时,电容Cinti的第一端连接所述运算放大器OPA0的负输入端,电容Cinti的第二端连接所述运算放大器OPA0的输出端;当第一电容单元处于第二状态时,电容Cinti的第一端连接高电平VDD,电容Cinti的第二端连接地端VSS。

【技术特征摘要】
1.一种读出电路,其特征在于,包括:RC有源积分器、RC有源积分型斜坡产生电路、高线性度采样保持电路和比较器;所述RC有源积分器包括运算放大器OPA0、第一可调电容单元组,所述第一可调电容单元组包括i个第一电容单元,每个第一电容单元包括电容Cinti,其中,i为任意正整数;当第一电容单元处于第一状态时,电容Cinti的第一端连接所述运算放大器OPA0的负输入端,电容Cinti的第二端连接所述运算放大器OPA0的输出端;当第一电容单元处于第二状态时,电容Cinti的第一端连接高电平VDD,电容Cinti的第二端连接地端VSS。2.如权利要求1所述的读出电路,其特征在于,所述RC有源积分型斜坡产生电路包括:运算放大器OPA3、第二可调电容单元组,所述第二可调电容单元组包括j个第二电容单元,每个第二电容单元包括电容Cintrj,其中,j为任意正整数;当第二电容单元处于第一状态时,电容Cintrj的第一端连接所述运算放大器OPA3的负输入端,电容Cintrj的第二端连接所述运算放大器OPA3的输出端;当第二电容单元处于第二状态时,电容Cintrj的第一端连接高电平VDD,电容Cintrj的第二端连接地端VSS。3.如权利要求2所述的读出电路,其特征在于,所述RC有源积分器还包括第一开关SW1,所述RC有源积分型斜坡产生电路还包括第二开关SW1r,第一开关SW1的第一端连接所述运算放大器OPA0的负输入端,第一开关SW1的第二端连接所述运算放大器OPA0的输出端;第二开关SW1r的第一端连接所述运算放大器OPA3的负输入端,第一开关SW1r的第二端连接所述运算放大器OPA3的输出端;当所述第一开关SW1和所述第二开关SW1r闭合时,所述运算放大器OPA0和所述运算放大器OPA3复位。4.如权利要求2所述的读出电路,所述第一可调电容单元组还包括第一电容Cint0,所述第二可调电容单元组还包括第二电容Cintr0,其特征在于,所述第一电容Cint0的第一端连接所述运算放大器OPA0的负输入端,所述第一电容Cint0的第二端连接所述运算放大器OPA0的输出端;所述第二电容Cintr0的第一端连接所述运算放大器OPA3的负输入端,所述第二电容Cintr0的第二端连接所述运算放大器OPA3的输出端。5.如权利要求1所述的读出电路,其特征在于,所述第一电容单元还包括开关SW2i、开关SW3i、开关SW4i、开关SW5i,其中,所述电容Cinti的第一端连接开关SW2i的第一端和开关SW4i的第一端,所述电容Cinti的第二端连接开关SW3i的第一端和开关SW5i的第一端;开关SW2i的第二端连接所述运算放大器OPA0的负输入端,开关SW3i的第二端连接所述运算放大器OPA0的输出端,开关SW4i的第二端连接高电平VDD,开关SW5i的第二端连接地端VSS;当开关SW2i和开关SW3i接通且开关SW4i和开关SW5i断开时,所述第一电容单元处于第一状态,当开关SW2i和开关SW3i断开时且开关SW4i和开关SW5i接通时,所述第一电容单元处于第二状态。6.如权利要求2所述的读出电路,...

【专利技术属性】
技术研发人员:施薛优陈光毅
申请(专利权)人:北京安酷智芯科技有限公司
类型:发明
国别省市:北京,11

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1