一种含硫的萘二酰亚胺衍生物及其制备方法、应用技术

技术编号:21907598 阅读:39 留言:0更新日期:2019-08-21 10:33
本发明专利技术涉及一种含硫的萘二酰亚胺衍生物及其制备方法、应用,属于有机半导体技术领域。本发明专利技术的含硫的萘二酰亚胺衍生物,具有如下式(Ⅰ)所示的结构。其中,R1和R2为苯基;R3、R4、R5、R6分别独立地选自碳原子数为1‑20的烷基。本发明专利技术的含硫的萘二酰亚胺衍生物,在萘环的2,3,6,7位引入了杂原子官能团(S),并引入苯基基团,使得萘二酰亚胺衍生物分子的光谱吸收和HOMO、LUMO值能够被杂原子官能团来调节,从而适应各种功能材料的需求。

A sulfur-containing naphthalimide derivative and its preparation method and Application

【技术实现步骤摘要】
一种含硫的萘二酰亚胺衍生物及其制备方法、应用
本专利技术涉及一种含硫的萘二酰亚胺衍生物及其制备方法、应用,属于有机半导体

技术介绍
无机半导体材料作为上世纪信息技术的基石,其发挥了不可替代的作用。进入21世纪以来,有机半导体材料逐渐引起了人们的关注。特别的,在有机场效应晶体管、有机太阳能电池和有机传感器等方面应用了较多的有机半导体材料。有机材料相较于无机材料,有着明显的优点:品种多、反应条件不如无极材料那么苛刻,容易制备,且有机材料具有良好的柔性、韧性、弹性,便于在应用到各个领域时适应不同的加工需求。另外,有机半导体材料有着较高的迁移率,更加促进了有机半导体材料的应用。目前,p型有机半导体材料发展较为成熟,n型有机半导体材料的发展相对较慢。随着技术的发展,n型有机半导体材料也逐渐开始在多个领域开始研究和应用。酰亚胺结构的化合物是目前研究得较多的一种n型有机半导体材料,其中萘二酰亚胺(NDI)材料以其简便的合成方法、溶解性较好以及良好的分子平面性等特点吸引了广大的研究者。上世纪70年代,Hunig等人最先对萘二酰亚胺衍生物(NDIs)进行探索研究。90年代,萘二酰亚胺衍生物(本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种含硫的萘二酰亚胺衍生物,其特征在于,具有如下式(Ⅰ)所示的结构:

【技术特征摘要】
1.一种含硫的萘二酰亚胺衍生物,其特征在于,具有如下式(Ⅰ)所示的结构:其中,R1和R2为R3、R4、R5、R6分别独立地选自碳原子数为1-20的烷基。2.一种含硫的萘二酰亚胺衍生物的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:将具有如式(Ⅱ)所示结构的苯基化合物与具有如式(Ⅲ)所示结构的DNDI化合物在有机溶剂中混合反应,即得;其中,R3、R4、R5、R6分别独立地选自碳原子数为1-20的烷基;所述M为Zn或Ni。3.根据权利要求2所述的含硫的萘二酰亚胺衍生物的制备方法,其特征在于,所述具有如式(Ⅱ)所示结构的苯基化合物与具有如式(Ⅲ)所示结构的DNDI化合物的摩尔比为1-2:1-2。4.根据权利要求2所述的含硫的萘二酰亚胺衍生物的制备方法,其特征在于,所述有机溶剂为二氯甲烷、四氢呋喃中的至少一种。5.根据权利要求2-4任意一项所述的含硫的萘二酰亚胺衍生物的制备方法,其特征在于,所述D...

【专利技术属性】
技术研发人员:罗河伟贺冬冬王力臻吴诗德张林森张勇王诗文
申请(专利权)人:郑州轻工业学院
类型:发明
国别省市:河南,41

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