阵列基板及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置，属于显示技术领域。本发明专利技术的阵列基板，包括：基底；遮光层，位于所述基底之上；薄膜晶体管，位于遮光层之上；有机电致发光二极管，其第一极与薄膜晶体管的漏极连接；所述遮光层具有散射结构，所述有机电致发光二极管在所述基底上的正投影与至少部分所述散射结构在所述基底上的正投影重叠。

Array Substrate and Its Preparation Method and Display Device

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制备方法、显示装置
本专利技术属于显示
，具体涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。
技术介绍
OLED(有机电致发光二极管：OrganicLight-EmittingDevice，简称OLED)是一种利用有机固态半导体作为发光材料的发光器件，由于其具有制备工艺简单、成本低、功耗低、发光亮度高、工作温度范围广等优点，使其具有广阔的应用前景。现有技术中的OLED显示装置，一般选择透明玻璃或者塑料作为基底材料，在基底上依次设置阳极层、发光层和阴极层。对于底部发光型OLED器件，发光层发出的光经阳极层、基底最后到达空气才能入射到人的眼睛。发光层为有机小分子材料，其折射率大致为1.6-1.7，阳极层为氧化铟锡(ITO)薄膜，其折射率为1.8，基板10为玻璃或塑料，其折射率为1.4-1.5，那么光从阳极层传到基底，以及从基底传到空气中，都是从光密介质到光疏介质的，存在全反射现象，入射角大于临界角的光线由于全反射会从侧面出射或者在内部消耗掉，这样从正面发出的光比例就会大大降低，而且从侧面射出的光集中在某一波段，会使得正面出射的光谱不全，外量子效率很低。因此，如何提高OLED器件的光输出效率成为技术人员的研发热点。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板，包括：基底；遮光层，位于所述基底之上；薄膜晶体管，位于遮光层之上；有机电致发光二极管，其第一极与薄膜晶体管的漏极连接所述遮光层具有散射结构，所述有机电致发光二极管在所述基底上的正投影与至少部分所述散射结构在所述基底上的正投影重叠。优选的是，所述遮光层包括依次设置在基底上的透明导电层和遮光金属层；其中，所述遮光金属层在所述基底上的正投影至少与薄膜晶体管的有源层在基底上的这投影重叠；所述透明导电层在所述基底上的正投影覆盖所述薄膜晶体管和有机电致发光二极管所在区域在所述基底上正投影重叠；其中，所述透明导电层在对应所述有机电致发光二极管所在区域的位置形成有散射结构。优选的是，所述透明导电层的材料包括：氧化铟锡。优选的是，所述遮光层包括遮光金属层；其中，所述遮光金属层在所述基底上的正投影覆盖所述薄膜晶体管和有机电致发光二极管所在区域在所述基底上正投影重叠；其中，所述遮光金属层在对应所述有机电致发光二极管所在区域的位置形成有散射结构。优选的是，在所述基底上还设置有存储电容；其中，所述存储电容的第一极片与所述薄膜晶体管的源极和漏极同层设置，且材料相同；所述存储电容的第二极片与所述薄膜晶体管的有源层一体成型。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板的制备方法，包括：在基底上形成遮光层；在所述遮光层上形成包括薄膜晶体管的各层结构的图形；在所述薄膜晶体管的各层结构上形成有机电致发光二极管的各层结构；其中，所述有机电致发光二极管的第一极与所述薄膜晶体管的漏极连接；所述形成遮光层的步骤，包括：对遮光层进行处理形成散射结构；其中，所述有机电致发光二极管在所述基底上的正投影与至少部分所述散射结构在所述基底上的正投影重叠。优选的是，所述对遮光层进行处理形成散射结构的步骤，包括：在基底上依次沉积透明导电材料层、金属材料层、光刻胶层，并对光刻胶层进行曝光，以形成与待形成的薄膜晶体管的区域对应半曝光区，以及与待形成的有机电致发光二极管的区域对应完全曝光区；去除完全曝光区的光刻胶，以及位于半曝光区的部分光刻胶，并刻蚀去除位于完全曝光区的金属材料，形成遮光金属层；对位于完全曝光区的透明导电材料层，进行等离子体处理，在透明导电材料层形成散射结构，以形成透明导电层；去除剩余的光刻胶，以形成遮光层。优选的是，所述对位于完全曝光区的透明导电层，进行等离子体处理，在透明导电层形成散射结构的步骤包括：通入SiH4气体，对于位于完全曝光区的透明导电层，进行等离子体处理，以形成散射结构。优选的是，所述对遮光层进行处理形成散射结构的步骤，包括：在基底形成遮光金属层，并对遮光金属层在对应所述有机电致发光二极管所在区域的位置进行处理，形成有散射结构。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种显示装置，其包括上述的阵列基板。附图说明图1为本专利技术的实施例1的阵列基板的结构示意图；图2为本专利技术的实施例1的阵列基板的另一结构示意图；图3为本专利技术的实施例2的阵列基板的结构示意图；图4为本专利技术的实施例3的阵列基板的制备方法的流程图。其中附图标记为：10、基底；1、薄膜晶体管；2、有机电致发光二极管；3、遮光层；31、透明导电层；311、散射结构；32、遮光金属层；4、存储电容；5、缓冲层；6、平坦化层；61、连接过孔。具体实施方式为使本领域技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细描述。在此需要说明的是，有机电致发光二极管通常包括基底，位于基底上之上的第一极、第二极，以及设置在第一极和第二极之间的发光层；其中，第一极和第二极中的一者为阳极，另一者为阴极；在本专利技术实施例中是以第一极为阳极，第二极为阴极为例进行说明的。有机电致发光二极管按照光的出射方向分为顶发射型和底发射型；其中，底发射型的有机电致发光二极管的光经由基底一侧射出，该种结构的有机电致发光二极管的阴极通常采用金属材料，作为反射电极。顶发射型的发光二极管的光则是由阴极射出，该种结构的有机电致发光二极管的阴极虽然也可以采用金属材料，但需要蒸镀较薄的金属材料作为阴极，以使光线可以从阴极射出，相应的，该种结构的有机电致发光二极管的阳极可以是反射阳极，也可以是在阳极靠近基底的一侧设置反射层，以使光线经由阴极射出。本专利技术实施例的阵列基板中的有机电致发光二极管可以是顶发射型的，也可以是底发射型的，在下述具体实施例中将会给出具体说明。而且，在本实施例中的有机电致发光二极管的发光颜色可以是白色，也可以红、绿、蓝等任意颜色。在阵列基板上不仅包括有机电致发光二极管，还有控制有机电致发光二极管的开关元件，即薄膜晶体管。其中，阵列基板中的薄膜晶体管可以是顶栅型薄膜晶体管，也可以底栅型薄膜晶体管，而在本专利技术实施例中是以顶栅型薄膜晶体管为例进行说明的。实施例1：如图1所示，本实施例提供一种阵列基板，包括基底10，位于基底10之上的薄膜晶体管1和与薄膜晶体管1漏极14连接的有机电致发光二极管2；该薄膜晶体管1采用顶栅型薄膜晶体管1，该有机电致发光二极管2采用顶发射型有机电致发光二极管2。其中，由于顶栅型薄膜晶体管1的有源层12较栅极11靠近基底10，因此，为避免外界光线照射薄膜晶体管1的有源层12，而影响薄膜晶体管1的开关特性，在薄膜晶体管1靠近基底10的一侧设置有遮光层3。特别的是，在本实施例中，遮光层3由薄膜晶体管1所在区域延时至有机电致发光二极管2所在区域，且有机电致发光二极管2在所述基底10上的正投影与至少部分散射结构311在基底10上的正投影重叠，也即遮光层3在至少对应有机电致发光二极管2所在区区域的位置具有散射结构311，能够将对有机电致发光二极管2所发出的光进行散射，并经由有机电致发光二极管2的阴极射出。由于在本实施例中的阵列基板中，遮光层3在至少对应有机电致发光二极管2所在区域的位置具有散射结构311，且该散射结本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，包括：基底；遮光层，位于所述基底之上；薄膜晶体管，位于遮光层之上；有机电致发光二极管，其第一极与薄膜晶体管的漏极连接；其特征在于，所述遮光层具有散射结构，所述有机电致发光二极管在所述基底上的正投影与至少部分所述散射结构在所述基底上的正投影重叠。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括：基底；遮光层，位于所述基底之上；薄膜晶体管，位于遮光层之上；有机电致发光二极管，其第一极与薄膜晶体管的漏极连接；其特征在于，所述遮光层具有散射结构，所述有机电致发光二极管在所述基底上的正投影与至少部分所述散射结构在所述基底上的正投影重叠。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述遮光层包括依次设置在基底上的透明导电层和遮光金属层；其中，所述遮光金属层在所述基底上的正投影至少与薄膜晶体管的有源层在基底上的这正影重叠；所述透明导电层在所述基底上的正投影覆盖所述薄膜晶体管和有机电致发光二极管所在区域在所述基底上正投影重叠；其中，所述透明导电层在对应所述有机电致发光二极管所在区域的位置形成有散射结构。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述透明导电层的材料包括：氧化铟锡。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，其特征在于，所述遮光层包括遮光金属层；其中，所述遮光金属层在所述基底上的正投影覆盖所述薄膜晶体管和有机电致发光二极管所在区域在所述基底上正投影重叠；其中，所述遮光金属层在对应所述有机电致发光二极管所在区域的位置形成有散射结构。5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，在所述基底上还设置有存储电容；其中，所述存储电容的第一极片与所述薄膜晶体管的源极和漏极同层设置，且材料相同；所述存储电容的第二极片与所述薄膜晶体管的有源层一体成型。6.一种阵列基板的制备方法，包括：在基底上形成遮光层；在所述遮光层上形成包括薄膜晶体管的各层结构的图形；在所述薄...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔承镇，
申请(专利权)人：合肥京东方显示技术有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34