NAND闪存的垃圾回收方法及NAND闪存技术

本申请涉及一种NAND闪存的垃圾回收方法及NAND闪存，所述NAND闪存的待回收数据块分为多个待读取子数据块，每个待读取子数据块与一个通道相对应，每个待读取子数据块中存储着有效数据或无效数据，不同待回收数据块的同一位置的待读取子数据块对应相同的通道；所述NAND闪存包括：多个SRAM，每个SRAM与一个所述通道相对应，用于读取对应通道的待读取子数据块的数据，控制器，用于控制所述SRAM对数据的读/写；所述垃圾回收方法包括：所述每个SRAM同时读取对应通道的待读取子数据块的有效数据。本发明专利技术实施例进一步提高了NAND闪存的垃圾回收的效率。

Garbage Recycling Method of NAND Flash and NAND Flash

【技术实现步骤摘要】
NAND闪存的垃圾回收方法及NAND闪存
本申请涉及存储器领域，尤其涉及一种NAND闪存的垃圾回收方法及NAND闪存。
技术介绍
NAND闪存和传统闪存相比，是一种功耗更低、容量更大、重量更轻和性能更佳的产品。NAND因其结构，具有最小写入量。NAND最小写入量为16KB，即如果写入的数据小于16KB，会以无效数据(dummydata)的形式补足16KB，一个16KB的数据为一个数据块。因为最小写入量的影响，NAND闪存中可能会有较多的dummydata存在，影响存储总量，因此需要回收dummydata占据的存储空间，此过程可以称为垃圾回收(garbagecollection，简称GC)。现有的NAND闪存的垃圾回收方法效率低，无法满足NAND闪存的高速读/写需求。
技术实现思路
为了解决上述技术问题或者至少部分地解决上述技术问题，本申请提供了一种NAND闪存的垃圾回收方法及NAND闪存，能提高NAND闪存的垃圾回收效率。第一方面，本申请提供了一种NAND闪存的垃圾回收方法，所述NAND闪存的待回收数据块分为多个待读取子数据块，每个待读取子数据块与一个通道相对应，每个待读取子数据块中存储着有效数据或无效数据，不同待回收数据块的同一位置的待读取子数据块对应相同的通道；所述NAND闪存包括：多个SRAM，每个SRAM与一个所述通道相对应，用于读取对应通道的待读取子数据块的数据，控制器，用于控制所述SRAM对数据的读/写；所述垃圾回收方法包括：所述每个SRAM同时读取对应通道的待读取子数据块的有效数据。可选的，所述每个SRAM同时读取对应通道的待读取子数据块的有效数据，包括：所述控制器判断所述通道对应的当前待读取子数据块中是否为有效数据；若当前待读取子数据块中为有效数据，则所述SRAM读取对应通道的当前待读取子数据块中的有效数据。可选的，若当前待读取子数据块中为无效数据，则所述控制器判断对应通道的下一个待读取子数据块中的数据是否为有效数据；若所述下一个待读取子数据块中的数据为有效数据，则读取下一个待读取子数据块中的有效数据。可选的，所述每个SRAM在同一个回收周期内读取有效数据。可选的，所述SRAM将读取到的有效数据存储在闲置数据块中。可选的，所述待回收数据块中的有效数据被读取后，所述待回收数据块被清除，成为闲置数据块。第二方面，提供了一种NAND闪存，所述NAND闪存的待回收数据块分为多个待读取子数据块，每个待读取子数据块与一个通道相对应，每个待读取子数据块中存储着有效数据或无效数据，不同待回收数据块的同一位置的待读取子数据块对应相同的通道；所述NAND闪存包括：多个SRAM，每个SRAM与一个所述通道相对应，用于读取对应通道的待读取子数据块的数据，控制器，用于控制所述SRAM对数据的读/写；所述NAND闪存中，所述每个SRAM同时读取对应通道的待读取子数据块的有效数据。可选的，所述每个SRAM同时读取对应通道的待读取子数据块的有效数据，包括：所述控制器判断所述通道对应的当前待读取子数据块中是否为有效数据；若当前待读取子数据块中为有效数据，则所述SRAM读取对应通道的当前待读取子数据块中的有效数据。可选的，若当前待读取子数据块中为无效数据，则所述控制器判断对应通道的下一个待读取子数据块中的数据是否为有效数据；若所述下一个待读取子数据块中的数据为有效数据，则读取下一个待读取子数据块中的有效数据。可选的，所述每个SRAM在同一个回收周期内读取有效数据。本申请实施例提供的该方法，所述NAND闪存的待回收数据块分为多个待读取子数据块，每个待读取子数据块与一个通道相对应，每个待读取子数据块中存储着有效数据或无效数据，不同待回收数据块的同一位置的待读取子数据块对应相同的通道；所述NAND闪存包括：多个SRAM，每个SRAM与一个所述通道相对应，用于读取对应通道的待读取子数据块的数据，控制器，用于控制所述SRAM对数据的读/写；所述垃圾回收方法包括：所述每个SRAM同时读取对应通道的待读取子数据块的有效数据。本专利技术实施例中，NAND闪存包括多个SRAM，待回收数据块也被分为多个待读取子数据块，所述每个SRAM同时读取对应通道的待读取子数据块的有效数据，不会有闲置的SARM，提高了SRAM的利用率，进一步提高了NAND闪存的垃圾回收的效率。附图说明此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本专利技术的实施例，并与说明书一起用于解释本专利技术的原理。为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例的待回收数据块的示意图；图2所示为本专利技术实施例的NAND闪存的垃圾回收方法的示意图；图3所示为本专利技术实施例的NAND闪存的垃圾回收方法的示意图。具体实施方式为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。本专利技术实施例提供了一种NAND闪存的垃圾回收方法，所述NAND闪存的待回收数据块分为多个待读取子数据块，每个待读取子数据块与一个通道相对应，每个待读取子数据块中存储着有效数据或无效数据，不同待回收数据块的同一位置的待读取子数据块对应相同的通道；所述NAND闪存包括：多个SRAM(StaticRandom-AccessMemo，静态随机存取存储器)，每个SRAM与一个所述通道相对应，用于读取对应通道的待读取子数据块的数据，控制器，用于控制所述SRAM对数据的读/写；所述垃圾回收方法包括：所述每个SRAM同时读取对应通道的待读取子数据块的有效数据。本专利技术实施例的方法，简单说就是按照通道来读取有效数据，每个SRAM依次读取对应通道中的有效数据，而不需要按照待回收数据块来读取有效数据。如果以一个待回收数据块看成一“行”，而一个通道看成一“列”，那么本专利技术实施例的方式是按照“列”来读取数据。本专利技术实施例中，NAND闪存包括多个SRAM，待回收数据块也被分为多个待读取子数据块，所述每个SRAM同时读取对应通道的待读取子数据块的有效数据，多个SRAM同时读取数据，且多个SRAM都同时读取到有效数据，提高了SRAM的利用率，进一步提高了NAND闪存的垃圾回收的效率。本专利技术实施例中，所述每个SRAM同时读取对应通道的待读取子数据块的有效数据，包括：所述控制器判断所述通道对应的当前待读取子数据块中是否为有效数据；若当前待读取子数据块中为有效数据，则所述SRAM读取对应通道的当前待读取子数据块中的有效数据。本专利技术实施例中，若当前待读取子数据块中为无效数据，则所述控制器判断对应通道的下一个待读取子数据块中的数据是否为有效数据；若所述下一个待读取子数据块中的数据为有效数据，则读取下一个待读取子数据块中的有效数据。本专利技术实施例中，所述每个SRAM在同一个回收周期内读取有效数据。本专利技术实施例中，所述SRA本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种NAND闪存的垃圾回收方法，其特征在于，所述NAND闪存的待回收数据块分为多个待读取子数据块，每个待读取子数据块与一个通道相对应，每个待读取子数据块中存储着有效数据或无效数据，不同待回收数据块的同一位置的待读取子数据块对应相同的通道；所述NAND闪存包括：多个SRAM，每个SRAM与一个所述通道相对应，用于读取对应通道的待读取子数据块的数据，控制器，用于控制所述SRAM对数据的读/写；所述垃圾回收方法包括：所述每个SRAM同时读取对应通道的待读取子数据块的有效数据。

【技术特征摘要】
1.一种NAND闪存的垃圾回收方法，其特征在于，所述NAND闪存的待回收数据块分为多个待读取子数据块，每个待读取子数据块与一个通道相对应，每个待读取子数据块中存储着有效数据或无效数据，不同待回收数据块的同一位置的待读取子数据块对应相同的通道；所述NAND闪存包括：多个SRAM，每个SRAM与一个所述通道相对应，用于读取对应通道的待读取子数据块的数据，控制器，用于控制所述SRAM对数据的读/写；所述垃圾回收方法包括：所述每个SRAM同时读取对应通道的待读取子数据块的有效数据。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述每个SRAM同时读取对应通道的待读取子数据块的有效数据，包括：所述控制器判断所述通道对应的当前待读取子数据块中是否为有效数据；若当前待读取子数据块中为有效数据，则所述SRAM读取对应通道的当前待读取子数据块中的有效数据。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，若当前待读取子数据块中为无效数据，则所述控制器判断对应通道的下一个待读取子数据块中的数据是否为有效数据；若所述下一个待读取子数据块中的数据为有效数据，则读取下一个待读取子数据块中的有效数据。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述每个SRAM在同一个回收周期内读取有效数据。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述SRAM将读取到的有效数据存储在闲置数据块中。6.如权利要求5所...

【专利技术属性】
技术研发人员：李创锋，李嘉伦，
申请(专利权)人：深圳市金泰克半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44