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一种以低钴含量烧结碳化钨为基体的聚晶金刚石复合片制造技术

技术编号:21844136 阅读:67 留言:0更新日期:2019-08-13 22:50
本发明专利技术是关于一种具有涂层覆盖的、以低钴含量烧结碳化钨作为基体的聚晶金刚石复合片。该复合片是由聚晶金刚石层和烧结碳化钨基体构成,其中:聚晶金刚石层为未脱除触媒材料或脱除触媒材料(部分或全部)的,烧结碳化钨基体含有3%~10%(重量百分数)的钴或钴基合金作为粘结剂。涂层至少覆盖烧结碳化钨基体的部分表面,可扩展覆盖聚晶金刚石层的部分乃至全部表面。涂层为单层或者多层,但至少包含一金属或合金层。涂层的制备方法有物理气相沉积、化学气相沉积、热反应沉积和扩散、电镀、化学镀、或者它们的组合。本发明专利技术的聚晶金刚石复合片具有减少的残余应力、低脆性,以及优异的抗冲蚀耐磨性能和可钎焊性能。

A Polycrystalline Diamond Composite Based on Sintered Tungsten Carbide with Low Cobalt Content

【技术实现步骤摘要】
一种以低钴含量烧结碳化钨为基体的聚晶金刚石复合片
本专利技术是关于一种用于切削工具、磨具及钻具上以低钴含量烧结碳化钨为基体的聚晶金刚石复合片,属于道路桥梁建设、机械加工、石材加工、采矿、石油钻探及开采等领域。
技术介绍
聚晶金刚石复合片(PolycrystallineDiamondCutter,PDC)业已为人们所熟知,它是由一聚晶金刚石(PolycrystallineDiamond,PCD)层和硬质合金(烧结碳化物)支撑基体构成,聚晶金刚石复合片制备通常是在高温高压下、在触媒材料的辅助下、在烧结碳化物基体上、将细小的金刚石颗粒烧结粘合在一起,常见的金属触媒材料为钴、镍、铁及其它们的合金,该工艺即为常见的高温高压过程。聚晶金刚石复合片的支撑基体为烧结碳化物,例如:以钴作为粘结剂的烧结碳化钨。在高温高压烧结过程中,烧结碳化物基体中的钴或其它金属触媒材料可扩散至聚晶金刚石层中的金刚石颗粒间,作为触媒,它促进金刚石颗粒间的结合(金刚石与金刚石键结合,即Diamond-to-Diamond,简称D-D键结合),形成聚晶金刚石层。另一种方法,先将金刚石颗粒与粉末状的触媒材料预先混合均匀,然后在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种以低钴含量烧结碳化钨为基体的聚晶金刚石复合片,其特征在于,包括未脱除触媒材料或脱除触媒材料的聚晶金刚石层及低钴含量烧结碳化钨基体,其中:按重量百分数计,低钴含量烧结碳化钨基体含有3~10%的钴或钴基合金作为粘结剂;低钴含量烧结碳化钨基体表面至少部分被涂层所包覆。

【技术特征摘要】
2018.02.06 US 62/6269061.一种以低钴含量烧结碳化钨为基体的聚晶金刚石复合片,其特征在于,包括未脱除触媒材料或脱除触媒材料的聚晶金刚石层及低钴含量烧结碳化钨基体,其中:按重量百分数计,低钴含量烧结碳化钨基体含有3~10%的钴或钴基合金作为粘结剂;低钴含量烧结碳化钨基体表面至少部分被涂层所包覆。2.根据权利要求1所述的以低钴含量烧结碳化钨为基体的聚晶金刚石复合片,其特征在于,低钴含量烧结碳化钨基体是以碳化钨作为唯一的碳化物组元的硬质合金,或者是除碳化钨外还含有其它碳化物组元的硬质合金,其它碳化物组元采用碳化钛、碳化钽、碳化铌的至少一种。3.根据权利要求1所述的以低钴含量烧结碳化钨为基体的聚晶金刚石复合片,其特征在于,涂层中包含有金属或合金层,它是从下列金属或合金中选取:镍、铁、钴、钛、铌、锆、钒、钽、铪、铬、钨、钼、锰、银、铜、金、铂、钯,或者含有至少一种这些金属元素的合金。4.根据权利要求1所述的以低钴含量烧结碳化钨为基体的聚晶金刚石复合片,其特征在于,涂层中包含有以碳化物形成金属元素钛、铌、锆、钒、钽、铪、铬、钨、钼或者含有至少一种这些金属元素的合金为结合层,它直接与聚...

【专利技术属性】
技术研发人员:姜文辉
申请(专利权)人:姜文辉
类型:发明
国别省市:辽宁,21

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