一种ACDC电源电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种ACDC电源电路，包括芯片U1、变阻器RT1、电容C1、电容C2、电容C3、极性电容C6、极性电容C7、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、肖特基二极管D4、二极管D3、变压器T1、场效应管增强型N‑MOS Q1、二极管D6、芯片U2、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R12和肖特基二极管D7；芯片U2的型号为CR6853，肖特基二极管D1、肖特基二极管D5、发光二极管D2、电阻R1、极性电容C4、极性电容C8、电容C5、电容C9、芯片U3、芯片U4、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R13、电阻R14、电阻R15、电容C10和电容C11。

An ACDC Power Supply Circuit

【技术实现步骤摘要】
一种ACDC电源电路
本技术涉及电路设计
，具体涉及一种ACDC电源电路。
技术介绍
随着科学技术的不断发展，各种各样的电子设备已广泛应用于人们的日常生活以及工作中，为人们的生活以及工作带来了极大的便利。随着整个开关电源领域的不断创新和发展，ACDC开关电源作为交流(AC)转直流(DC)的必备环节逐渐被应用于各个领域。例如LED照明、家用电器驱动电源以及外置式电源适配器等。现有的ACDC开关电源电路电源不稳定，这样会给电子产品带来极大的损坏；或者获得的直流电源单一，使用不方便。
技术实现思路
有鉴于此，为了解决现有技术中的上述问题，本技术提出一种ACDC电源电路，能提供15V和12V两种直流电压。本技术通过以下技术手段解决上述问题：一种ACDC电源电路，包括芯片U1、变阻器RT1、电容C1、电容C2、电容C3、极性电容C6、极性电容C7、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、肖特基二极管D4和二极管D3；芯片U1的型号为DB157S；芯片U1的脚2连接电源ACN，芯片U1的脚1通过变阻器RT1连接电源ACL，芯片U1的脚3分别连接极性电容C6的正极、电阻R3的一端、电阻R2的一端、电容C3的一端，极性电容C6的负极连接芯片U1的脚4，芯片U1的脚4接地，电阻R3的另一端连接电阻R4的一端，电阻R4的另一端分别连接电阻R5的一端、极性电容C7的正极，极性电容C7的负极接地，电阻R5的另一端连接肖特基二极管D4的负极，电阻R2的另一端分别连接二极管D3的负极、电容C3的另一端，电容C1的一端连接电容C2的一端并接地，电容C1的另一端接地，电容C2的另一端接地；还包括变压器T1、场效应管增强型N-MOSQ1、二极管D6、芯片U2、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R12和肖特基二极管D7；芯片U2的型号为CR6853；电容C3的一端通过变压器T1的第一初级绕组连接场效应管增强型N-MOSQ1的D极，二极管D3的正极连接场效应管增强型N-MOSQ1的D极，极性电容C7的负极通过变压器T1的第二初级绕组连接肖特基二极管D4的正极，场效应管增强型N-MOSQ1的G极分别连接电阻R6的一端、电阻R7的一端，电阻R6的另一端分别连接芯片U2的脚1、二极管D6的负极，二极管D6的正极连接电阻R6的一端，电阻R7的另一端连接电阻R12的一端并接地，电阻R12的另一端分别连接芯片U2的脚4、场效应管增强型N-MOSQ1的S极，场效应管增强型N-MOSQ1的S极连接肖特基二极管D7的正极，肖特基二极管D7的负极连接场效应管增强型N-MOSQ1的D极，芯片U2的脚2连接极性电容C7的正极，芯片U2的脚8通过电阻R8连接芯片U2的脚5，芯片U2的脚8接地；还包括肖特基二极管D1、肖特基二极管D5、发光二极管D2、电阻R1、极性电容C4、极性电容C8、电容C5和电容C9；肖特基二极管D1的正极通过变压器T1的第一次级绕组连接电容C5的一端，电容C5的另一端连接肖特基二极管D1的负极，肖特基二极管D1的负极分别连接极性电容C4的正极、电阻R1的一端，电阻R1的另一端连接发光二极管D2的正极，发光二极管D2的负极分别连接极性电容C4的负极、电容C5的一端，极性电容C4的负极接地，肖特基二极管D5的正极通过变压器T1的第二次级绕组连接电容C9的一端，电容C9的另一端连接肖特基二极管D5的负极，肖特基二极管D5的负极连接极性电容C8的正极，极性电容C8的负极连接电容C9的一端，极性电容C8的负极接地；还包括芯片U3、芯片U4、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R13、电阻R14、电阻R15、电容C10和电容C11；芯片U3的型号为PC817，芯片U4的型号为TL431；芯片U3的脚4分别连接电阻R13的一端、电容C10的一端，电阻R13的另一端连接芯片U2的脚7，电容C10的另一端连接芯片U3的脚3，芯片U3的脚3接地，芯片U3的脚1连接电阻R9的一端，电阻R9的另一端分别连接极性电容C4的正极、电阻R10的一端、电阻R11的一端，芯片U3的脚2分别连接电阻R10的另一端、电容C11的一端、芯片U4的脚1，电容C11的另一端连接电阻R14的一端，电阻R14的另一端连接电阻R11的另一端，芯片U4的脚3接地，芯片U4的脚2通过电阻R15连接芯片U4的脚3。与现有技术相比，本技术的有益效果至少包括：本技术能提供15V和12V电压，使用灵活性更好，并且直流电压稳定，电路简单方便，实用性更好。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术ACDC电源电路的电路原理图。具体实施方式为使本技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面将结合附图和具体的实施例对本技术的技术方案进行详细说明。需要指出的是，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。实施例如图1所示，本技术提供一种ACDC电源电路，包括芯片U1、变阻器RT1、电容C1、电容C2、电容C3、极性电容C6、极性电容C7、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、肖特基二极管D4和二极管D3；芯片U1的型号为DB157S；芯片U1的脚2连接电源ACN，芯片U1的脚1通过变阻器RT1连接电源ACL，芯片U1的脚3分别连接极性电容C6的正极、电阻R3的一端、电阻R2的一端、电容C3的一端，极性电容C6的负极连接芯片U1的脚4，芯片U1的脚4接地，电阻R3的另一端连接电阻R4的一端，电阻R4的另一端分别连接电阻R5的一端、极性电容C7的正极，极性电容C7的负极接地，电阻R5的另一端连接肖特基二极管D4的负极，电阻R2的另一端分别连接二极管D3的负极、电容C3的另一端，电容C1的一端连接电容C2的一端并接地，电容C1的另一端接地，电容C2的另一端接地；还包括变压器T1、场效应管增强型N-MOSQ1、二极管D6、芯片U2、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R12和肖特基二极管D7；芯片U2的型号为CR6853；电容C3的一端通过变压器T1的第一初级绕组连接场效应管增强型N-MOSQ1的D极，二极管D3的正极连接场效应管增强型N-MOSQ1的D极，极性电容C7的负极通过变压器T1的第二初级绕组连接肖特基二极管D4的正极，场效应管增强型N-MOSQ1的G极分别连接电阻R6的一端、电阻R7的一端，电阻R6的另一端分别连接芯片U2的脚1、二极管D6的负极，二极管D6的正极连接电阻R6的一端，电阻R7的另一端连接电阻R12的一端并接地，电阻R12的另一端分别连接芯片U2的脚4、场效应管增强型N-MOSQ1的S极，场效应管增强型N-MOSQ1的S极连接肖特基二极管D7的正极，肖特基二极管D7的负极连接场效应管增强型N-MOSQ1的D极，芯片U2的脚2连接极性电容C7的正极，芯片U2的脚8通过电阻R8连本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种ACDC电源电路，其特征在于，包括芯片U1、变阻器RT1、电容C1、电容C2、电容C3、极性电容C6、极性电容C7、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、肖特基二极管D4和二极管D3；芯片U1的型号为DB157S；芯片U1的脚2连接电源ACN，芯片U1的脚1通过变阻器RT1连接电源ACL，芯片U1的脚3分别连接极性电容C6的正极、电阻R3的一端、电阻R2的一端、电容C3的一端，极性电容C6的负极连接芯片U1的脚4，芯片U1的脚4接地，电阻R3的另一端连接电阻R4的一端，电阻R4的另一端分别连接电阻R5的一端、极性电容C7的正极，极性电容C7的负极接地，电阻R5的另一端连接肖特基二极管D4的负极，电阻R2的另一端分别连接二极管D3的负极、电容C3的另一端，电容C1的一端连接电容C2的一端并接地，电容C1的另一端接地，电容C2的另一端接地；还包括变压器T1、场效应管增强型N‑MOS Q1、二极管D6、芯片U2、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R12和肖特基二极管D7；芯片U2的型号为CR6853；电容C3的一端通过变压器T1的第一初级绕组连接场效应管增强型N‑MOS Q1的D极，二极管D3的正极连接场效应管增强型N‑MOS Q1的D极，极性电容C7的负极通过变压器T1的第二初级绕组连接肖特基二极管D4的正极，场效应管增强型N‑MOS Q1的G极分别连接电阻R6的一端、电阻R7的一端，电阻R6的另一端分别连接芯片U2的脚1、二极管D6的负极，二极管D6的正极连接电阻R6的一端，电阻R7的另一端连接电阻R12的一端并接地，电阻R12的另一端分别连接芯片U2的脚4、场效应管增强型N‑MOS Q1的S极，场效应管增强型N‑MOS Q1的S极连接肖特基二极管D7的正极，肖特基二极管D7的负极连接场效应管增强型N‑MOS Q1的D极，芯片U2的脚2连接极性电容C7的正极，芯片U2的脚8通过电阻R8连接芯片U2的脚5，芯片U2的脚8接地；还包括肖特基二极管D1、肖特基二极管D5、发光二极管D2、电阻R1、极性电容C4、极性电容C8、电容C5和电容C9；肖特基二极管D1的正极通过变压器T1的第一次级绕组连接电容C5的一端，电容C5的另一端连接肖特基二极管D1的负极，肖特基二极管D1的负极分别连接极性电容C4的正极、电阻R1的一端，电阻R1的另一端连接发光二极管D2的正极，发光二极管D2的负极分别连接极性电容C4的负极、电容C5的一端，极性电容C4的负极接地，肖特基二极管D5的正极通过变压器T1的第二次级绕组连接电容C9的一端，电容C9的另一端连接肖特基二极管D5的负极，肖特基二极管D5的负极连接极性电容C8的正极，极性电容C8的负极连接电容C9的一端，极性电容C8的负极接地；还包括芯片U3、芯片U4、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R13、电阻R14、电阻R15、电容C10和电容C11；芯片U3的型号为PC817，芯片U4的型号为TL431；芯片U3的脚4分别连接电阻R13的一端、电容C10的一端，电阻R13的另一端连接芯片U2的脚7，电容C10的另一端连接芯片U3的脚3，芯片U3的脚3接地，芯片U3的脚1连接电阻R9的一端，电阻R9的另一端分别连接极性电容C4的正极、电阻R10的一端、电阻R11的一端，芯片U3的脚2分别连接电阻R10的另一端、电容C11的一端、芯片U4的脚1，电容C11的另一端连接电阻R14的一端，电阻R14的另一端连接电阻R11的另一端，芯片U4的脚3接地，芯片U4的脚2通过电阻R15连接芯片U4的脚3。...

【技术特征摘要】
1.一种ACDC电源电路，其特征在于，包括芯片U1、变阻器RT1、电容C1、电容C2、电容C3、极性电容C6、极性电容C7、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、肖特基二极管D4和二极管D3；芯片U1的型号为DB157S；芯片U1的脚2连接电源ACN，芯片U1的脚1通过变阻器RT1连接电源ACL，芯片U1的脚3分别连接极性电容C6的正极、电阻R3的一端、电阻R2的一端、电容C3的一端，极性电容C6的负极连接芯片U1的脚4，芯片U1的脚4接地，电阻R3的另一端连接电阻R4的一端，电阻R4的另一端分别连接电阻R5的一端、极性电容C7的正极，极性电容C7的负极接地，电阻R5的另一端连接肖特基二极管D4的负极，电阻R2的另一端分别连接二极管D3的负极、电容C3的另一端，电容C1的一端连接电容C2的一端并接地，电容C1的另一端接地，电容C2的另一端接地；还包括变压器T1、场效应管增强型N-MOSQ1、二极管D6、芯片U2、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R12和肖特基二极管D7；芯片U2的型号为CR6853；电容C3的一端通过变压器T1的第一初级绕组连接场效应管增强型N-MOSQ1的D极，二极管D3的正极连接场效应管增强型N-MOSQ1的D极，极性电容C7的负极通过变压器T1的第二初级绕组连接肖特基二极管D4的正极，场效应管增强型N-MOSQ1的G极分别连接电阻R6的一端、电阻R7的一端，电阻R6的另一端分别连接芯片U2的脚1、二极管D6的负极，二极管D6的正极连接电阻R6的一端，电阻R7的另一端连接电阻R12的一端并接地，电阻R12的另一端分别连接芯片U2的脚4、场效应管增强型N-MOSQ1的S极，场效应管增强型N-MOSQ1的S极连接肖特基二极管D7的正极，肖...

【专利技术属性】
技术研发人员：王云翔，
申请(专利权)人：王云翔，
类型：新型
国别省市：陕西,61