组合物、膜、层叠结构体、发光装置及显示器制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种具有发光性的组合物，其包含(1)及(2)，并且还包含(3)或(4)中的至少一者。(1)半导体微粒；(2)卤代烃化合物；(3)溶剂；(4)选自聚合性化合物及聚合物中的至少1种。上述(1)优选为以A、B及X作为构成成分的钙钛矿化合物的微粒。A是在钙钛矿型晶体结构中位于以B为中心的六面体的各顶点的成分，其是1价阳离子。X表示在钙钛矿型晶体结构中位于以B为中心的八面体的各顶点的成分，其是选自卤化物离子及硫氰酸根离子中的1种以上阴离子。B为金属离子。

Composition, film, cascade structure, light emitting device and display

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】组合物、膜、层叠结构体、发光装置及显示器
本专利技术涉及组合物、膜、层叠结构体、发光装置及显示器。本申请基于在2016年12月22日向日本提出申请的日本特愿2016-250171号要求优先权，并将其内容援引于此。
技术介绍
近年来，对半导体材料的发光特性的关心不断高涨。报道了例如在室温条件下在从紫外到红色的光谱区域的范围具有强发光强度的组合物(非专利文献1)。现有技术文献非专利文献非专利文献1：M.Era，A.ShimizuandM.Nagano，Rep.Prog.Polym.Phys.Jpn.，42，473-474(1999)
技术实现思路
专利技术要解决的课题然而，在使用上述非专利文献1记载的组合物作为发光材料的情况下，要求进一步提高量子收率。本专利技术是鉴于上述课题而完成的专利技术，其目的在于提供包含半导体微粒的量子收率高的组合物、膜、层叠结构体、发光装置及显示器。用于解决课题的手段为了解决上述课题，本专利技术人等进行了深入研究，结果完成了以下的本专利技术。即，本专利技术包括下述[1]～[9]的专利技术。[1]一种具有发光性的组合物，其包含(1)及(2)，并且还包含(3)及(4)中的至少一者。(1)半导体微粒(2)卤代烃化合物(3)溶剂(4)选自聚合性化合物及聚合物中的至少1种[2]根据上述[1]所述的组合物，其中，上述(1)为以A、B及X作为构成成分的钙钛矿化合物的微粒。A是在钙钛矿型晶体结构中位于以B为中心的六面体的各顶点的成分，其是1价阳离子。X表示在钙钛矿型晶体结构中位于以B为中心的八面体的各顶点的成分，其是选自卤化物离子及硫氰酸根离子中的1种以上阴离子。B是在钙钛矿型晶体结构中位于将A配置于顶点的六面体及将X配置于顶点的八面体的中心的成分，其是金属离子。[3]根据上述[1]或[2]所述的组合物，其还包含(5)选自氨、胺、羧酸以及它们的盐或离子中的至少1种。[4]一种组合物，其是包含(1)、(2)及(4’)的组合物，其中，(1)、(2)及(4’)的合计含量相对于上述组合物的总质量为90质量％以上。(1)半导体微粒(2)卤代烃化合物(4’)聚合物[5]根据上述[4]所述的组合物，其还包含(5)选自氨、胺、羧酸以及它们的盐或离子中的至少1种。[6]一种膜，其包含上述[4]或[5]所述的组合物。[7]一种层叠结构体，其具有多个层，且至少一层为包含上述[4]或[5]所述的组合物的层。[8]一种发光装置，其具备上述[7]所述的层叠结构体。[9]一种显示器，其具备上述[7]所述的层叠结构体。专利技术的效果根据本专利技术，能够提供包含半导体微粒的量子收率高的组合物、膜、层叠结构体、发光装置及显示器。附图说明图1为表示本专利技术涉及的层叠结构体的一个实施方式的剖视图。图2为表示本专利技术涉及的显示器的一个实施方式的剖视图。图3为表示在实施例中取得的本专利技术涉及的组合物的量子收率的结果的图。具体实施方式以下，示出实施方式对本专利技术进行详细说明。＜组合物>本专利技术的组合物具有发光性。“发光性”是指发出光的性质。发光性优选为通过电子的激发而发光的性质，更优选为通过基于激发光的电子激发而发光的性质。激发光的波长可以为例如200nm～800nm，也可以为250nm～700nm，还可以为300nm～600nm。本专利技术的组合物包含(1)及(2)，并且还包含(3)及(4)中的至少一者。(1)半导体微粒(2)卤代烃化合物(3)溶剂(4)选自聚合性化合物及聚合物中的至少1种上述组合物可以还包含(5)选自氨、胺、羧酸以及它们的盐或离子中的至少1种。另外，上述组合物可以具有除了上述(1)～(5)以外的其它成分。作为其它成分，可列举例如若干的杂质、以及具有包含构成半导体微粒的元素成分的非晶态结构的化合物、聚合引发剂。其它成分的含量相对于组合物的总质量优选为10质量％以下，更优选为5质量％以下，进一步优选为1质量％以下。本专利技术人等进行了深入研究，结果发现：在(1)半导体微粒、(2)卤代烃化合物、(3)溶剂以及(4)选自聚合性化合物及聚合物中的1种以上物质之中，包含(1)和(2)并且还包含(3)或(4)中的至少一者的组合物能够提高量子收率。认为这是由于：利用(2)有机化合物，防止被(1)半导体微粒的表面的缺陷捕获的电子失活，电子被激发，从而提高量子收率。在本实施方式的组合物中，(1)及(2)、以及选自(3)和(4)中的至少一者的合计含量相对于上述组合物的总质量可以为90质量％以上，也可以为95质量％以上，还可以为99质量％以上，还可以为100质量％。本专利技术的组合物可以是包含(1)、(2)及(4’)，并且(1)、(2)及(4’)的合计含量相对于上述组合物的总质量为90质量％以上的组合物。(1)半导体微粒(2)卤代烃化合物(4’)聚合物在本实施方式的组合物中，(1)、(2)及(4’)的合计含量相对于上述组合物的总质量可以为95质量％以上，也可以为99质量％以上，还可以为100质量％。本组合物可以还包含(5)选自氨、胺、羧酸以及它们的盐或离子中的至少1种。作为除了(1)、(2)、(4’)及(5)以外的成分，可列举与上述其它成分同样的成分。在包含(1)、(2)、以及选自(3)和(4)中的任一者或两者的本实施方式的组合物中，(1)相对于组合物总质量的含量并无特别限定，从不易使半导体微粒凝缩的观点以及防止浓度猝灭的观点出发，优选为50质量％以下，更优选为1质量％以下，进一步优选为0.1质量％以下，另外，从得到良好的量子收率的观点出发，优选为0.0001质量％以上，更优选为0.0005质量％以上，进一步优选为0.001质量％以上。上述的上限值及下限值可以任意地组合。(1)相对于组合物总质量的含量通常为0.0001～50质量％。(1)相对于组合物总质量的含量优选为0.0001～1质量％，更优选为0.0005～1质量％，进一步优选为0.001～0.1质量％。(1)的配合范围为上述范围内的组合物不易发生(1)半导体微粒的凝聚，还能良好地发挥发光性，在这一点上是优选的。在本说明书中，相对于组合物总质量的(1)半导体微粒的含量例如可以利用电感耦合等离子体质谱分析仪(以下也称作ICP-MS)及离子色谱仪来测定。在包含(1)、(2)、以及选自(3)和(4)中的任一者或两者的本实施方式的组合物中，(1)及(2)相对于组合物总质量的合计含量并无特别限定，从不易使半导体微粒凝缩的观点及防止浓度猝灭的观点出发，优选为60质量％以下，更优选为10质量％以下，进一步优选为2质量％以下，特别优选为0.2质量％以下，另外，从得到良好的量子收率的观点出发，优选为0.0002质量％以上，更优选为0.002质量％以上，进一步优选为0.005质量％以上。上述的上限值及下限值可以任意地组合。(1)及(2)相对于组合物总质量的合计含量通常为0.0002～60质量％。(1)及(2)相对于组合物总质量的合计含量优选为0.001～10质量％，更优选为0.002～2质量％，进一步优选为0.005～0.2质量％。(1)及(2)的配合比的范围为上述范围内的组合物不易发生(1)半导体微粒的凝聚，还能良好地发挥发光性，在这一点上是优选的。在包含(1)、(2)及(4’)的本实施方式的组合物中，(1)相对于组合物总容积的含量并无特别限定，从不易本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有发光性的组合物，其包含(1)及(2)，并且还包含(3)及(4)中的至少一者，(1)半导体微粒；(2)卤代烃化合物；(3)溶剂；(4)选自聚合性化合物及聚合物中的至少1种。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.12.22 JP 2016-2501711.一种具有发光性的组合物，其包含(1)及(2)，并且还包含(3)及(4)中的至少一者，(1)半导体微粒；(2)卤代烃化合物；(3)溶剂；(4)选自聚合性化合物及聚合物中的至少1种。2.根据权利要求1所述的组合物，其中，所述(1)为以A、B及X作为构成成分的钙钛矿化合物的微粒，A是在钙钛矿型晶体结构中位于以B为中心的六面体的各顶点的成分，其是1价阳离子，X表示在钙钛矿型晶体结构中位于以B为中心的八面体的各顶点的成分，其是选自卤化物离子及硫氰酸根离子中的1种以上阴离子，B是在钙钛矿型晶体结构中位于将A配置于顶点的六面体及将X配置于顶点的八面...

【专利技术属性】
技术研发人员：内藤翔太，酒谷能彰，
申请(专利权)人：住友化学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP