电容器组件制造技术

本发明专利技术提供了一种电容器组件，所述电容器组件包括：半导体基板，包括第一部和第二部；沟槽，从所述半导体基板的一个表面到所述半导体基板的另一个表面贯穿所述半导体基板，以将所述半导体基板的所述第一部和所述第二部彼此分开；介电层，设置在所述沟槽中以及所述半导体基板的所述一个表面上；第一焊盘电极和第二焊盘电极，彼此分开并且贯穿所述介电层以分别与所述半导体基板的所述第一部和所述第二部接触；以及钝化层，设置在所述介电层上，覆盖所述第一焊盘电极的一部分和所述第二焊盘电极的一部分，并且暴露所述第一焊盘电极和所述第二焊盘电极中的每个的至少一部分。

Capacitor assembly

【技术实现步骤摘要】
电容器组件本申请要求于2018年1月31日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0012040号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
本公开涉及一种电容器组件。
技术介绍
随着电子装置变得更薄，越来越需要更薄的电容器组件。此外，随着电子装置的通信频率增大，越来越需要提高电容器组件的自谐振频率(SRF)。由于多层陶瓷电容器(MLCC)(一种电容器)具有包括多个内电极层和形成在相邻的内电极层之间的介电层的组件，因此在减薄MLCC方面存在限制。另外，由于形成在相邻的内电极层之间的电容并联连接，并且在MLCC中外电极之间的距离相对长，所以存在难以提高自谐振频率的结构限制。
技术实现思路
本公开的一方面可提供一种用于高频射频(RF)的匹配的电容器组件，所述电容器组件可具有高自谐振频率(SRF)和低电容并且可单独地制造以安装在电路板上。此外，本公开的另一方面可通过最小化焊盘电极之间的间隔和最小化电流通路来提供具有低等效串联电感(ESL)的电容器。根据本公开的一方面，一种电容器组件可包括：半导体基板，包括第一部和第二部；沟槽，从所述半导体基板的一个表面到所述半导体基板的另一个表面贯穿所述半导体基板，以将所述半导体基板的所述第一部和所述第二部彼此分开；介电层，设置在所述沟槽中以及所述半导体基板的所述一个表面上；第一焊盘电极和第二焊盘电极，彼此分开并且贯穿所述介电层以分别与所述半导体基板的所述第一部和所述第二部接触；以及钝化层，设置在所述介电层上，覆盖所述第一焊盘电极的一部分和所述第二焊盘电极的一部分，并且暴露所述第一焊盘电极和所述第二焊盘电极中的每个的至少一部分。根据本公开的另一方面，一种电容器组件可包括：第一内电极主体和第二内电极主体，均利用半导体制成；介电层，包括嵌入部和延伸部，所述嵌入部设置在所述第一内电极主体和第二内电极主体之间，所述延伸部在所述第一内电极主体和所述第二内电极主体中的每个的一个表面上延伸；多个焊盘电极，分别贯穿所述延伸部并分别连接到所述第一内电极主体和所述第二内电极主体；以及钝化层，贯穿所述多个焊盘电极以分开所述多个焊盘电极。附图说明通过以下结合附图进行的详细描述，本公开的以上和其他方面、特征及优点将被更清楚地理解，在附图中：图1是示意性地示出根据本公开中的示例性实施例的电容器组件的示图；图2是沿图1的线I-I'截取的截面图；图3是示意性地示出根据本公开中的另一示例性实施例的电容器组件的截面图；以及图4至图12是依次示出根据本公开中的示例性实施例的电容器组件的制造工艺的示图。具体实施方式在下文中，将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例。在附图中，第一方向或长度方向可被定义为X方向，第二方向或宽度方向可被定义为Y方向，并且第三方向或厚度方向可被定义为Z方向。在下文中，将参照附图详细描述根据本公开中的示例性实施例的电容器组件和制造电容器组件的方法。在参照附图的描述中，相同的参考标号表示相同或相应的元件，并且将省略其冗余的描述。电容器组件图1是示意地示出根据本公开中的示例性实施例的电容器组件的示图。图2是沿图1的线I-I'截取的截面图。参照图1和图2，根据本公开中的示例性实施例的电容器组件1000可包括第一内电极主体110、第二内电极主体120、沟槽200、介电层300、第一焊盘电极410、第二焊盘电极420以及钝化层500。第一内电极主体110和第二内电极主体120中的每个的尺寸和形状不受具体限制。作为示例，第一内电极主体110和第二内电极主体120中的每个可具有大体上六面体形状，但是示例性实施例不限于此。另外，作为示例，可设置第一内电极主体110和第二内电极主体120中的每个的尺寸，使得根据本示例性实施例的包括介电层300和钝化层500的电容器组件1000可具有长度×宽度×厚度为“0.4mm×0.2mm×0.2mm”的0402尺寸，但是示例性实施例不限于此。第一内电极主体110和第二内电极主体120可形成为半导体基板(例如，图4的半导体基板100)。第一内电极主体110和第二内电极主体120可通过由下面将描述的沟槽划分半导体基板而形成。半导体基板可以是单晶硅晶圆或多晶硅晶圆，但是不限于此。半导体基板可具有相对低的电阻率，使得根据本示例性实施例的电容器组件1000的第一内电极主体110和第二内电极主体120可用作内电极。为此，半导体基板可以是非本征半导体。作为示例，半导体基板可以是掺杂有诸如磷(P)的施主(donor)的N型硅晶圆，但是不限于此。作为示例，半导体基板的电阻率可小于10-3Ω·cm。为此，半导体基板可以以小于或等于1020ions/cm3的浓度掺杂有诸如磷(P)的施主，但是示例性实施例不限于此。沟槽200可从基板的一个表面到基板的另一个表面贯穿基板，以划分基板。换句话说，沟槽200可划分基板以形成第一内电极主体110和第二内电极主体120。因此，沟槽200可在基板的厚度方向上贯穿基板，并且在基板的宽度方向上贯穿基板。沟槽200的深度(图1的Z方向)、沟槽200的宽度(图1的Y方向)和沟槽200的长度(图1的X方向)可考虑到电容器组件的所需的电容、所需的封装件厚度等进行设计。具体地，例如，当沟槽200的深度设置为100μm、沟槽200的宽度设置为200μm、沟槽200的长度设置为0.7μm，并且在沟槽200中形成相对介电常数为3.9的二氧化硅(SiO2)时，可获得具有1pF的容量的电容器组件。介电层300可形成在第一内电极主体110的一个表面上、第二内电极主体120的一个表面上以及沟槽200上。介电层300可包括二氧化硅(SiO2)。当半导体基板包括硅(Si)时，介电层300可通过在其上形成有沟槽的半导体基板上执行热氧化工艺形成。介电层300可包括：嵌入部310，形成在第一内电极主体110和第二内电极主体120之间的沟槽200中；以及延伸部320，形成在第一内电极主体110和第二内电极主体120中的每个的一个表面上。当介电层300通过热氧化工艺形成时，嵌入部310和延伸部320可一体地形成。嵌入部310和延伸部320的一体地形成可指由于嵌入部310和延伸部320之间的界面没有形成，所以嵌入部310和延伸部320彼此区分不开。第一焊盘电极410和第二焊盘电极420均可贯穿介电层300的延伸部320，以分别与第一内电极主体110的一个表面和第二内电极主体120的一个表面接触，并且可彼此分开。换句话说，第一焊盘电极410可贯穿延伸部320并且可连接到第一内电极主体110，以及第二焊盘电极420可贯穿延伸部320并且可连接到第二内电极主体120。第一焊盘电极410和第二焊盘电极420中的每个可通过在第一内电极主体110和第二内电极主体120中的每个的一个整个表面上形成用于形成焊盘电极的金属膜(例如，图8的用于形成焊盘电极的金属膜L1和L2)，并且通过选择性地去除金属膜来形成。换句话说，第一焊盘电极410和第二焊盘电极420可通过划分金属膜形成。下面将描述的钝化层500可在彼此分开的第一焊盘电极410和第二焊盘电极420之间形成。关于此，第一焊盘电极410和第二焊盘电极420可表示为由钝化层500分开。第一焊盘电极410和第二焊盘电极420可本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电容器组件，包括：半导体基板，包括第一部和第二部；沟槽，从所述半导体基板的一个表面到所述半导体基板的另一个表面贯穿所述半导体基板，以将所述半导体基板的所述第一部和所述第二部彼此分开；介电层，设置在所述沟槽中以及所述半导体基板的所述一个表面上；第一焊盘电极和第二焊盘电极，彼此分开并且贯穿所述介电层以分别与所述半导体基板的所述第一部和所述第二部接触；以及钝化层，设置在所述介电层上，覆盖所述第一焊盘电极的一部分和所述第二焊盘电极的一部分，并且暴露所述第一焊盘电极和所述第二焊盘电极中的每个的至少一部分。

【技术特征摘要】
2018.01.31 KR 10-2018-00120401.一种电容器组件，包括：半导体基板，包括第一部和第二部；沟槽，从所述半导体基板的一个表面到所述半导体基板的另一个表面贯穿所述半导体基板，以将所述半导体基板的所述第一部和所述第二部彼此分开；介电层，设置在所述沟槽中以及所述半导体基板的所述一个表面上；第一焊盘电极和第二焊盘电极，彼此分开并且贯穿所述介电层以分别与所述半导体基板的所述第一部和所述第二部接触；以及钝化层，设置在所述介电层上，覆盖所述第一焊盘电极的一部分和所述第二焊盘电极的一部分，并且暴露所述第一焊盘电极和所述第二焊盘电极中的每个的至少一部分。2.根据权利要求1所述的电容器组件，其中，所述半导体基板包括硅和施主。3.根据权利要求2所述的电容器组件，其中，所述半导体基板掺杂的施主的浓度小于或等于1020ions/cm3。4.根据权利要求1所述的电容器组件，其中，所述介电层包括二氧化硅。5.根据权利要求1所述的电容器组件，其中，所述第一焊盘电极和所述第二焊盘电极中的每个包括：第一层，设置在所述半导体基板的所述一个表面上并且包括铝；以及第二层，设置在所述第一层上并且包括镍。6.根据权利要求5所述的电容器组件，其中，所述第一层和所述第二层中的至...

【专利技术属性】
技术研发人员：张昌洙，郑镐弼，林承模，朴泰俊，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR