一种薄膜热敏打印头的高精度发热体构造及其制造工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种薄膜热敏打印头的高精度发热体及其制造工艺，属于热敏打印头生产技术领域。包括位于基体层上的发热体，所述发热体包括发热体层和位于发热体层上的绝缘层，导线层位于所述发热体两侧的基体层上，所述导线层延伸至所述斜面顶端。本发明专利技术的有益效果是：发热点的面积和电阻值偏差极小，可保证在±0.5％以内；每一发热体的电阻值是由发热体层的形状决定的，不受导线层的形状影响，从而保证了最终产品的电阻值的均匀性。

High Precision Heater Structure and Manufacturing Technology of a Thin Film Thermosensitive Printing Head

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜热敏打印头的高精度发热体构造及其制造工艺
本专利技术涉及一种延长寿命的薄膜热敏打印头，属于热敏打印头生产

技术介绍
对薄膜热敏打印头进行生产加工时，在表面方块电阻(Rs)一定的情况下，单点发热体的电阻值是由蚀刻后的发热体面积决定的，即发热体的长(L)和宽(W)决定了发热体的电阻值大小(如图1所示)。通常生产时，通过磁控溅射工艺连续成膜发热体层和导体层后，再使用湿蚀刻工艺生成上层导线(纯铝)形状，然后以导线层作为掩模，通过干蚀刻工艺生成底层发热体(钽的化合物)形状，但是，由于湿蚀刻工艺具有等向性，且蚀刻量(OVERETHING)容易受到蚀刻液温度和浓度的影响，所以同一制品内所有点和制品间所有点的导线形状会有差异，这样以导线为掩模蚀刻发热体的工序中会造成发热体形状不均，从而使同一制品内和制品间所有点电阻值偏差比较大，严重时会超过15％，满足不了彩色打印等高品质打印的要求。
技术实现思路
为解决现有技术存在的缺陷，本专利技术的目的是提供一种电阻值偏差小、满足高品质打印要求的薄膜热敏打印头的高精度发热体构造及其制造工艺。本专利技术的技术方案是：种薄膜热敏打印头的高精度发热体的制造工艺，包括如下步骤：S1)通过磁控溅射工艺在基体层上成膜发热体层；S2)通过磁控溅射工艺在发热体层上成膜绝缘层；S3)在绝缘层上涂覆光刻胶，通过半导体光刻技术在光刻胶表面光刻形成待蚀刻发热体图案；S4)利用半导体干蚀刻技术沿待蚀刻发热体图案对绝缘层和发热体层进行蚀刻；S5)通过磁控溅射工艺在发热体和基体层表面成膜导线层；S6)导线层表面涂覆光刻胶，通过半导体光刻技术在光刻胶表面光刻形成待蚀刻导线图案；S7)采用半导体湿蚀刻技术沿待蚀刻导线图案刻蚀出导线形状。所述基体层为三氧化二铝材质。所述发热体层为钽化合物。所述导线层材质为铝。所述绝缘层材质为二氧化硅。本专利技术还请求保护一种利用上述工艺制备的薄膜热敏打印头的高精度发热体构造。一种薄膜热敏打印头的高精度发热体构造，包括位于基体层上的发热体，所述发热体包括发热体层和位于发热体层上的绝缘层，导线层位于所述发热体两侧的基体层上，所述导线层延伸至所述斜面顶端。本专利技术的有益效果是：由于干蚀刻有良好的非等向性，所以形成发热体的长宽尺寸稳定均一，即，所有发热点的面积和电阻值偏差极小，可保证在±0.5％以内。发热体层表面有绝缘层，所以导线层只是通过发热体层的侧面导通，即每一发热体的电阻值是由发热体层的形状决定的，不受导线层的形状影响，从而保证了最终产品的电阻值的均匀性。附图说明图1为现有的薄膜热敏打印头发热体的结构图；图2为本专利技术的薄膜热敏打印头发热体的俯视图；图3为图2的侧剖图。图中附图标记如下：1、基体层，2、发热体层，3、导线层，4、绝缘层，5、电流流向。具体实施方式下面结合附图2-3对本专利技术做进一步说明：一种薄膜热敏打印头的高精度发热体的制造工艺，包括如下步骤：S1)通过磁控溅射工艺在基体层1上成膜发热体层2；S2)通过磁控溅射工艺在发热体层2上成膜绝缘层4；S3)在绝缘层4上涂覆光刻胶，通过半导体光刻技术在光刻胶表面光刻形成待蚀刻发热体图案；S4)利用半导体干蚀刻技术沿待蚀刻发热体图案对绝缘层4和发热体层2进行蚀刻；S5)通过磁控溅射工艺在发热体和基体层1表面成膜导线层3；S6)导线层3表面涂覆光刻胶，通过光刻技术在光刻胶表面光刻形成待蚀刻导线图案；S7)采用半导体湿蚀刻技术沿待蚀刻导线图案刻蚀出导线形状。所述基体层1为三氧化二铝材质，传导印字时产生的热量。所述发热体层2为钽化合物，通电后产生高温。所述导线层3材质为铝，构成通电回路的导线。所述绝缘层4材质为二氧化硅。本专利技术还请求保护一种利用上述工艺制备的薄膜热敏打印头的高精度发热体构造。一种薄膜热敏打印头的高精度发热体构造，包括位于基体层1上的发热体，所述发热体包括发热体层2和位于发热体层2上的绝缘层4，导线层3位于所述发热体两侧的基体层1上，所述导线层3延伸至所述斜面顶端。干蚀刻有良好的非等向性，所以形成发热体的长宽尺寸稳定均一，即，所有发热点的面积和电阻值偏差极小，可保证在±0.5％以内。发热体层表面有绝缘层，所以导线层只是通过发热体层的侧面导通(如图3所示)，即每一发热体的电阻值是由发热体层的形状决定的，不受导线层的形状影响，从而保证了最终产品的电阻值的均匀性。以上所述仅是本专利技术的优选实施方式，应当指出，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变型，这些改进和变型也应视为本专利技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜热敏打印头的高精度发热体的制造工艺，其特征在于，包括如下步骤：S1)通过磁控溅射工艺在基体层(1)上成膜发热体层(2)；S2)通过磁控溅射工艺在发热体层(2)上成膜绝缘层(4)；S3)在绝缘层(4)上涂覆光刻胶，通过半导体光刻技术在光刻胶表面光刻形成待蚀刻发热体图案；S4)利用半导体干蚀刻技术沿待蚀刻发热体图案对绝缘层(4)和发热体层(2)进行蚀刻；S5)通过磁控溅射工艺在发热体和基体层(1)表面成膜导线层(3)；S6)导线层(3)表面涂覆光刻胶，通过半导体光刻技术在光刻胶表面光刻形成待蚀刻导线图案；S7)采用半导体湿蚀刻技术沿待蚀刻导线图案刻蚀出导线形状。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜热敏打印头的高精度发热体的制造工艺，其特征在于，包括如下步骤：S1)通过磁控溅射工艺在基体层(1)上成膜发热体层(2)；S2)通过磁控溅射工艺在发热体层(2)上成膜绝缘层(4)；S3)在绝缘层(4)上涂覆光刻胶，通过半导体光刻技术在光刻胶表面光刻形成待蚀刻发热体图案；S4)利用半导体干蚀刻技术沿待蚀刻发热体图案对绝缘层(4)和发热体层(2)进行蚀刻；S5)通过磁控溅射工艺在发热体和基体层(1)表面成膜导线层(3)；S6)导线层(3)表面涂覆光刻胶，通过半导体光刻技术在光刻胶表面光刻形成待蚀刻导线图案；S7)采用半导体湿蚀刻技术沿待蚀刻导线图案刻蚀出导线形状。2.根据权利要求1所述的薄膜热敏打印头的高精度发热体的制造工艺，其特征在于，所述基体层(1)为三...

【专利技术属性】
技术研发人员：雨宫康弘，丛凯春，
申请(专利权)人：武汉晖印半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42