一种移相电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种移相电路，包括主控电路、读写器、功分电路及两路独立设置的移相功能电路；读写器与功分电路连接，移相功能电路的第一连接接口与功分电路连接，移相功能电路的第二连接接口与主控电路连接。相较于现有技术而言，上述功分电路可以将读写器中的射频信号等分为两路相同的射频信号，由主控电路控制移相功能电路的工作，来实现对两路射频信号的相位移动，输入功率可以高达50W，且可以连续调节，同时上述移相电路设计简洁，调控简单，能够有效降低使用成本。

A Phase Shifting Circuit

【技术实现步骤摘要】
一种移相电路
本技术涉及电子电路
，尤其涉及一种移相电路。
技术介绍
RFID(RadioFrequencyIdentification，射频识别)技术，又称无线射频识别，是一种通信技术，可通过无线电讯号识别特定目标并读写相关数据，而无需识别系统与特定目标之间建立机械或光学接触。目前，应用于RFID的移相方法，通常采用专用的移相器芯片，而专用的移相芯片往往输入功率小，动态调节不连续，且价格高昂。
技术实现思路
本申请提供了一种移相电路，可以应用于RFID，解决现有的移相方法存在输入功率小、动态调节不连续及成本高的技术问题。本技术提供一种移相电路，该移相电路包括主控电路、读写器、功分电路及两路独立设置的移相功能电路；所述读写器与所述功分电路连接，所述移相功能电路的第一接口与所述功分电路连接，所述移相功能电路的第二接口与所述主控电路连接。可选地，所述读写器为射频识别RFID读写器，所述RFID读写器与所述功分电路的射频接口连接。可选地，所述移相功能电路包括耦合器、第一压控电路及第二压控电路，所述第一压控电路与第二压控电路均与所述耦合器连接；所述第一压控电路包括第一可变二极管、第二可变二极管及第一电阻，所述第一可变二极管与所述第二可变二极管串联，所述第一可变二极管及所述第二可变二极管的串联电路与所述第一电阻并联；其中，所述第一可变二极管的正极与所述耦合器连接，所述第一可变二极管的负极与所述第一可变二极管的负极连接；所述第二压控电路包括第三可变二极管、第四可变二极管及第二电阻，所述第三可变二极管与所述第四可变二极管串联，所述第三可变二极管及所述第四可变二极管的串联电路与所述第二电阻并联；其中，所述第三可变二极管的正极与所述耦合器连接，所述第三可变二极管的负极与所述第四可变二极管的负极连接。可选地，所述第一压控电路还包括第一电感，所述第一电感与所述第一电阻串联；所述第二压控电路还包括第二电感，所述第二电感与所述第二电阻串联。可选地，所述主控电路包括STM32F系列芯片。可选地，所述主控电路为STM32F103芯片。可选地，所述主控电路包括现场可编程逻辑门阵列FPGA主控芯片与数字模拟转换器DAC，所述FPGA主控芯片与所述DAC独立设置。可选地，所述功分电路为威尔金森功分器电路。本实用所新型提供的移相电路，包括主控电路、读写器、功分电路及两路独立设置的移相功能电路；读写器与功分电路连接，移相功能电路的第一连接接口与功分电路连接，移相功能电路的第二连接接口与主控电路连接。相较于现有技术而言，上述功分电路可以将读写器中的射频信号等分为两路相同的射频信号，由主控电路控制移相功能电路的工作，来实现对两路射频信号的相位移动，输入功率可以高达50W，且可以连续调节，同时上述移相电路设计简洁，调控简单，能够有效降低使用成本。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术中移相电路的结构示意图；图2为本技术中移相功能电路的结构示意图。具体实施方式为使得本技术的目的、特征、优点能够更加的明显和易懂，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而非全部实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图1，图1为本技术中移相电路的结构示意图，在本实施例中，上述移相电路包括主控电路10、读写器20、功分电路30及两路独立设置的移相功能电路，分别为移相功能电路41与移相功能电路42。其中，读写器20与功分电路30连接，移相功能电路41与移相功能电路42的第一接口均与功分电路30连接，第二接口均与主控电路10连接。具体的，读写器20为RFID读写器，该RFID读写器与功分电路30的射频接口连接。其中，读写器20中的射频信号，经射频接口连接到功分电路30，功分电路30对射频信号进行同相等分，分成两路相位和功率均相同的信号，此两路信号分别连接到移相功能电路41与移相功能电路42。主控电路10通过波控接口，控制移相功能电路41与移相功能电路42的工作，实现对上述两路信号的相位移动，从而达到波束形成和扫描的目的。其中，功分电路30可以采用威尔金森功分器电路。进一步的，上述移相功能电路41与移相功能电路42均包括耦合器、第一压控电路及第二压控电路；耦合器的第1引脚作为输入引脚与功分电路连接，耦合器的第2引脚作为输出引脚与预置的天线阵连接，耦合器的第3引脚与第一压控电路连接，耦合器的第4引脚与第二压控电路连接。为了更好的说明本技术，参照图2，图2为本技术中移相功能电路的结构示意图，本实施例中，第一压控电路包括第一可变二极管C3、第二可变二极管C4及第一电阻R1，第一可变二极管C3与第二可变二极管C4串联，第一可变二极管C3及第二可变二极管C4的串联电路与第一电阻R1并联，其中，第一可变二极管C3的正极与耦合器连接，第一可变二极管C3的负极与第一可变二极管C4的负极连接；第二压控电路包括第三可变二极管C5、第四可变二极管C6及第二电阻R2，第三可变二极管C5与第四可变二极管C6串联，第三可变二极管C5与第四可变二极管C6的串联电路与第二电阻R2并联，其中，第三可变二极管C5的正极与耦合器连接，第三可变二极管C5的负极与第四可变二极管C6的负极连接。另外，上述移相功能电路的第一引脚1还连接有电容C1，第二引脚2还连接有电容C2，第一压控电路连接有电阻R3，第二压控电路连接有电阻R4，电阻R3与电阻R4均与电感L1与电容C7连接，电容C8与电容C9与电感L1并联。其中，由于可变二极管的存在，使得第三引脚3和第四引脚4中的信号产生反射，全部从第二引脚2输出，输出信号的相位与可变二极管的电抗和耦合器100的特性有关，通过改变可变二极管的电抗即可使第二引脚2输出的信号相位发生改变。其中，上述第一压控电路还可以包括第一电感，该第一电感与上述第一电阻R1串联；或者该第一电感可以直接替换上述第一电阻R1。第二压控电路还可以包括第二电感，该第二电感与第二电阻R2串联；或者该第二电感可以直接替换上述第二电阻R2。进一步地，上述主控电路可以采用STM32F系列芯片，例如STM32F103芯片。其中，STM32F系列芯片在含有DAC(Digitaltoanalogconverter，数字模拟转换器)，通过配置使得内部的两路DAC同时工作，以产生两路电压，此两路电压分别接到移相电路的可变二极管，通过改变输出电压的大小来控制每一路移相电路的二极管电抗的改变，从而改变整体移相的相位变化。另外，上述主控电路还可以采用相互独立设置的FPGA(Field－ProgrammableGateArray，现场可编程逻辑门阵列)主控芯片与DAC，用来代替上述STM32F系列芯片。本实用所新型提供的移相电路，包括主控电路、读写器、功分电路及两本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种移相电路，其特征在于，所述移相电路包括主控电路、读写器、功分电路及两路独立设置的移相功能电路；所述读写器与所述功分电路连接，所述移相功能电路的第一接口与所述功分电路连接，所述移相功能电路的第二接口与所述主控电路连接。

【技术特征摘要】
1.一种移相电路，其特征在于，所述移相电路包括主控电路、读写器、功分电路及两路独立设置的移相功能电路；所述读写器与所述功分电路连接，所述移相功能电路的第一接口与所述功分电路连接，所述移相功能电路的第二接口与所述主控电路连接。2.根据权利要求1所述的移相电路，其特征在于，所述读写器为射频识别RFID读写器，所述RFID读写器与所述功分电路的射频接口连接。3.根据权利要求1所述的移相电路，其特征在于，所述移相功能电路包括耦合器、第一压控电路及第二压控电路，所述第一压控电路与所述第二压控电路均与所述耦合器连接；所述第一压控电路包括第一可变二极管、第二可变二极管及第一电阻，所述第一可变二极管与所述第二可变二极管串联，所述第一可变二极管及所述第二可变二极管的串联电路与所述第一电阻并联；其中，所述第一可变二极管的正极与所述耦合器连接，所述第一可变二极管的负极与所述第一可变二极管的负极连接；所述第二压控电路包括第三可变二极管、第四可变二极管及第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴子勇，王太忠，杨正明，冯汉炯，于波，
申请(专利权)人：深圳市航天华拓科技有限公司，深圳航天科技创新研究院，
类型：新型
国别省市：广东,44