量子点发光结构、显示面板、显示装置及其显示方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种量子点发光结构、显示面板、显示装置及其显示方法，通过在第一线圈和第二线圈形成脉冲取向磁场，使量子点磁性纳米粒子混合结构被磁化，然后仅在第一线圈形成与脉冲取向磁场方向相反的脉冲驱动磁场，脉冲驱动磁场驱动磁化后的量子点磁性纳米粒子混合结构向发光区域方向移动，通过对第一线圈和第二线圈反复施加脉冲取向磁场和脉冲驱动磁场，以使设定量的量子点磁性纳米粒子混合结构通过超滤膜的过孔移动至发光区域，采用激光发射器照射该发光区域，实现量子点发光；根据发光亮度的要求，控制向第一线圈和第二线圈加载的电信号的方向和大小，来控制发光区域内量子点磁性纳米粒子混合结构的浓度，实现发出不同强度的光。

Quantum dot luminescent structure, display panel, display device and display method

【技术实现步骤摘要】
量子点发光结构、显示面板、显示装置及其显示方法
本专利技术涉及量子点显示领域，特别涉及一种量子点发光结构、显示面板、显示装置及其显示方法。
技术介绍
目前的3D显示技术主要是全息技术，但是全息技术实现的方式属于伪3D效果，通过精确计算光的干涉、衍射实现光的复原，但是该技术对计算机要求很高，并且要求在特定的视角下才有好的显示效果。近年来，有人开始使用量子点作为显示器的发光材料。量子点(QuantumDot，QD)是粒径小于或接近激子波尔半径的半导体纳米晶体。量子点在三个维度上的尺寸通常小于10nm，内部的电子和空穴在各个方向上的运动均受到限制，量子限域效应十分明显。由于电子和空穴被量子限域，量子点具有分立的能级结构。这种分立的能级结构使得量子点具有独特的光学性质。通常来说，量子点是由诸如锌、镉、硒、硫原子组合而成。每当受到光或电的刺激，量子点便会发出有色光线，光线的颜色由量子点的组成材料和大小形状决定，这一特性使得量子点能够改变光源发出的光线颜色。由上述可知，量子点的发光窄峰、发光颜色随自身尺寸可调、发光效率高，非常适合用作显示器件的发光材料。但是，这种技术仅仅是将量子点作为背光而已，而并非直接将量子点的自发光展示为立体图像。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种量子点发光结构、显示面板、显示装置及其显示方法，用以实现一种高分辨率的三维立体显示装置。因此，本专利技术实施例提供了一种量子点发光结构，包括：相对独立设置的第一线圈和第二线圈，所述第一线圈和所述第二线圈之间形成容置空间，所述容置空间内具有超滤膜和量子点磁性纳米粒子混合结构，所述第一线圈和所述超滤膜之间形成存储区域，所述第二线圈和所述超滤膜之间形成发光区域；其中，所述超滤膜具有多个过孔，所述过孔的大小被配置为与所述量子点磁性纳米粒子混合结构的大小相匹配；所述存储区域被配置为存储所述量子点磁性纳米粒子混合结构；所述第一线圈和所述第二线圈被配置为对所述量子点磁性纳米粒子混合结构进行磁化，并控制设定量且磁化后的所述量子点磁性纳米粒子混合结构在所述存储区域和所述发光区域之间进行移动。可选地，在具体实施时，在本专利技术实施例提供的上述量子点发光结构中，所述量子点磁性纳米粒子混合结构包括：磁性纳米粒子，以及包覆于所述磁性纳米粒子表面的多个量子点。可选地，在具体实施时，在本专利技术实施例提供的上述量子点发光结构中，所述存储区域的体积小于所述发光区域的体积。可选地，在具体实施时，在本专利技术实施例提供的上述量子点发光结构中，所述第一线圈的材料和所述第二线圈的材料均为透明导电材料。相应地，本专利技术实施例还提供了一种显示面板，包括发光单元层，所述发光单元层包括呈阵列排布的多个子像素，每一所述子像素的结构均为本专利技术实施例提供的上述量子点发光结构。可选地，在具体实施时，在本专利技术实施例提供的上述显示面板中，所述发光单元层为一层或多层；其中，多层所述发光单元层层叠设置。可选地，在具体实施时，在本专利技术实施例提供的上述显示面板中，所述发光单元层为多层，每一层所述发光单元层的子像素排布方式相同，相邻两层所述发光单元层之间的距离、每一层所述发光单元层中相邻两行所述子像素之间的距离、每一层所述发光单元层中相邻两列所述子像素之间的距离相同。相应地，本专利技术实施例还提供了一种显示装置，包括激光发射单元层，所述激光发射单元层与本专利技术实施例提供的上述任一显示面板的发光单元层平行设置；所述激光发射单元层包括与所述发光单元层的多个子像素一一对应的多个激光发射器，以及包括与所述激光发射器一一对应电连接的多个驱动电路；且每一所述驱动电路与每一层所述发光单元层中对应的子像素均对应电连接。相应地，本专利技术实施例还提供了一种本专利技术实施例提供的上述显示装置的显示方法，包括：控制向第一线圈和第二线圈加载的电信号，以使设定量的量子点磁性纳米粒子混合结构移动并恒定至发光区域；通过激光发射器向所述发光区域的量子点磁性纳米粒子混合结构发射激光束，激发所述发光区域的量子点磁性纳米粒子混合结构发光。可选地，在具体实施时，在本专利技术实施例提供的上述显示方法中，所述控制向第一线圈和第二线圈加载的电信号，以使设定量的量子点磁性纳米粒子混合结构移动并恒定至发光区域，具体包括：向所述第一线圈和所述第二线圈加载相同的第一电信号，所述第一线圈和所述第二线圈形成方向相同的脉冲取向磁场，所述脉冲取向磁场使所述存储区域的量子点磁性纳米粒子混合结构被磁化、且处于恒定位置；所述第二线圈不加载电信号，向所述第一线圈加载与所述第一电信号电位相反的第二电信号，所述第一线圈形成与所述脉冲取向磁场方向相反的脉冲驱动磁场，所述脉冲驱动磁场驱动磁化后的所述量子点磁性纳米粒子混合结构向所述发光区域方向移动；通过对所述第一线圈和所述第二线圈反复施加所述脉冲取向磁场和所述脉冲驱动磁场，以使所述设定量的量子点磁性纳米粒子混合结构通过超滤膜的过孔移动至所述发光区域；通过控制向所述第一线圈和所述第二线圈加载的电信号，使所述量子点磁性纳米粒子混合结构恒定于所述发光区域。可选地，在具体实施时，在本专利技术实施例提供的上述显示方法中，所述通过控制向所述第一线圈和所述第二线圈加载的电信号，使所述量子点磁性纳米粒子混合结构恒定于所述发光区域，具体包括：向所述第一线圈和所述第二线圈加载相同的所述第一电信号，所述第一线圈和所述第二线圈形成方向相同的脉冲取向磁场，使所述量子点磁性纳米粒子混合结构恒定于所述发光区域；或停止向所述第一线圈和所述第二线圈加载电信号，使所述量子点磁性纳米粒子混合结构恒定于所述发光区域。可选地，在具体实施时，在本专利技术实施例提供的上述显示方法中，还包括：在需要改变所述发光区域的发光亮度时，通过控制向所述第一线圈和所述第二线圈加载的电信号，使所述量子点磁性纳米粒子混合结构在所述存储区域和所述发光区域之间进行移动，以使所述发光区域的量子点磁性纳米粒子混合结构满足设定量的要求。本专利技术实施例的有益效果：本专利技术实施例提供的量子点发光结构、显示面板、显示装置及其显示方法，该量子点发光结构的初始状态是所有量子点磁性纳米粒子混合结构存储在存储区域，在进行发光时，通过向第一线圈和第二线圈加载相同的第一电信号，第一线圈和第二线圈形成方向相同的脉冲取向磁场，量子点磁性纳米粒子混合结构被磁化并恒定在存储区域，然后第二线圈不加载电信号，向第一线圈加载与第一电信号电位相反的第二电信号，第一线圈形成与脉冲取向磁场方向相反的脉冲驱动磁场，脉冲驱动磁场驱动磁化后的量子点磁性纳米粒子混合结构向发光区域方向移动，通过对第一线圈和第二线圈反复施加脉冲取向磁场和脉冲驱动磁场，以使设定量的量子点磁性纳米粒子混合结构通过超滤膜的过孔移动至发光区域，采用激光发射器照射该发光区域，实现量子点发光；由于量子点浓度不同，发光亮度的强弱不同，因此可以根据发光亮度的要求，控制向第一线圈和第二线圈加载的电信号的方向和大小，来控制发光区域内量子点磁性纳米粒子混合结构的浓度，实现发出不同强度的光。附图说明图1为本专利技术实施例提供的量子点发光结构的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的量子点磁性纳米粒子混合结构的结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的取向磁场的结构示意图；图4为本专利技术实施例提供的脉冲磁场的结构示意图；图5为本专利技术实施例提供的显示面本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种量子点发光结构，其特征在于，包括：相对独立设置的第一线圈和第二线圈，所述第一线圈和所述第二线圈之间形成容置空间，所述容置空间内具有超滤膜和量子点磁性纳米粒子混合结构，所述第一线圈和所述超滤膜之间形成存储区域，所述第二线圈和所述超滤膜之间形成发光区域；其中，所述超滤膜具有多个过孔，所述过孔的大小被配置为与所述量子点磁性纳米粒子混合结构的大小相匹配；所述存储区域被配置为存储所述量子点磁性纳米粒子混合结构；所述第一线圈和所述第二线圈被配置为对所述量子点磁性纳米粒子混合结构进行磁化，并控制设定量且磁化后的所述量子点磁性纳米粒子混合结构在所述存储区域和所述发光区域之间进行移动。

【技术特征摘要】
1.一种量子点发光结构，其特征在于，包括：相对独立设置的第一线圈和第二线圈，所述第一线圈和所述第二线圈之间形成容置空间，所述容置空间内具有超滤膜和量子点磁性纳米粒子混合结构，所述第一线圈和所述超滤膜之间形成存储区域，所述第二线圈和所述超滤膜之间形成发光区域；其中，所述超滤膜具有多个过孔，所述过孔的大小被配置为与所述量子点磁性纳米粒子混合结构的大小相匹配；所述存储区域被配置为存储所述量子点磁性纳米粒子混合结构；所述第一线圈和所述第二线圈被配置为对所述量子点磁性纳米粒子混合结构进行磁化，并控制设定量且磁化后的所述量子点磁性纳米粒子混合结构在所述存储区域和所述发光区域之间进行移动。2.如权利要求1所述的量子点发光结构，其特征在于，所述量子点磁性纳米粒子混合结构包括：磁性纳米粒子，以及包覆于所述磁性纳米粒子表面的多个量子点。3.如权利要求1所述的量子点发光结构，其特征在于，所述存储区域的体积小于所述发光区域的体积。4.如权利要求1所述的量子点发光结构，其特征在于，所述第一线圈的材料和所述第二线圈的材料均为透明导电材料。5.一种显示面板，其特征在于，包括发光单元层，所述发光单元层包括呈阵列排布的多个子像素，每一所述子像素的结构均为如权利要求1-4任一项所述的量子点发光结构。6.如权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述发光单元层为一层或多层；其中，多层所述发光单元层层叠设置。7.如权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述发光单元层为多层，每一层所述发光单元层的子像素排布方式相同，相邻两层所述发光单元层之间的距离、每一层所述发光单元层中相邻两行所述子像素之间的距离、每一层所述发光单元层中相邻两列所述子像素之间的距离相同。8.一种显示装置，其特征在于，包括激光发射单元层，所述激光发射单元层与如权利要求5-7任一项所述的显示面板的发光单元层平行设置；所述激光发射单元层包括与所述发光单元层的多个子像素一一对应的多个激光发射器，以及包括与所述激光发射器一一对应电连接的多个驱动电路；且每一所述驱动电路与每一层所述发光单元层中对应的子像素均对应电连接。9.一种如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑子易，张瑞，刘晓那，陈玉琼，王孟杰，袁帅，孙玉家，吴臣臣，田春光，邹佳滨，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11