【技术实现步骤摘要】
一种片上集成电容模型物理参数的提取方法
本专利技术涉及片上集成电容模型领域，尤其涉及一种片上集成电容模型物理参数的提取方法。
技术介绍
随着高性能集成电路芯片不断发展过程中，集成电路通用SPICE(SimulationProgramwithintegratedCircuitEmphasis，模拟程序)模型作为集成电路制造与集成电路之间的桥梁，其中精确片上集成电容模型是高速、高性能产品中占据及其重要的地位。目前大致片上电容提模方法利用Excel与建模软件相互辅助方式完成整个提模流程，不过由于片上集成电容种类繁多，对不同金属结构都需要提取各自不同模型，现有参数提取方式效率低下，精度也难以保证。
技术实现思路
针对现有技术中存在的上述问题，现提供一种片上集成电容模型物理参数的提取方法。具体技术方案如下：一种片上集成电容模型物理参数的提取方法，包括以下步骤：步骤S1、设定电容累积误差函数；步骤S2、对待提取的目标物理参数设定上下限约束条件，并设定遗传算法的参数；步骤S3、通过随机数的方式生成复数个所述目标物理参数作为一初始种群的个体，分别将所述个体的值带入所述电容累积误差函数...
【技术保护点】
1.一种片上集成电容模型物理参数的提取方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1、设定电容累积误差函数；步骤S2、对待提取的目标物理参数设定上下限约束条件，并设定遗传算法的参数；步骤S3、通过随机数的方式生成复数个所述目标物理参数作为一初始种群的个体，分别将所述个体的值带入所述电容累积误差函数得到所述个体的电容误差值，并根据所述电容误差值作得到所述个体的适应度，遍历得到所述种群中所有所述个体的适应度；步骤S4、对所述种群中的所有个体进行选择、交叉、变异的生物演绎运算操作得到所述种群的最优个体并将所述最优个体作为候选解；步骤S5、判断所述种群的迭代次数是否满足预设的拟合次数，若...
【技术特征摘要】
1.一种片上集成电容模型物理参数的提取方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1、设定电容累积误差函数；步骤S2、对待提取的目标物理参数设定上下限约束条件，并设定遗传算法的参数；步骤S3、通过随机数的方式生成复数个所述目标物理参数作为一初始种群的个体，分别将所述个体的值带入所述电容累积误差函数得到所述个体的电容误差值，并根据所述电容误差值作得到所述个体的适应度，遍历得到所述种群中所有所述个体的适应度；步骤S4、对所述种群中的所有个体进行选择、交叉、变异的生物演绎运算操作得到所述种群的最优个体并将所述最优个体作为候选解；步骤S5、判断所述种群的迭代次数是否满足预设的拟合次数，若否，则进行步骤S3；若是，则从所有所述候选解中根据一预设的选取规则选取出一所述候选解作为结果值，提取所述结果值的所述目标物理参数输出。2.根据权利要求1所述的一种片上集成电容模型物理参数的提取方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述目标物理参数，包括：奇偶修正参数、单根线长修正参数、第一工艺修正参数、第二工艺修正参数；所述遗传算法的参数，包括：预设的种群数量、所述拟合次数、预设的交叉概率及预设的交叉算法、预设的变异概率及预设的变异算法。3.根据权利要求1所述的一种片上集成电容模型物理参数的提取方法，其特征在于，所述步骤S1中，包括以下步骤：步骤S11、获取复数组测量值，每组所述测量值包括：片上集成电容的电容测量值、片上集成电容的金属线根数、片上集成电容的金属线宽度；步骤S12、将所有所述测量值及带入电容计算公式得到所述电容累积误差函数。4.根据权利要求2所述的一种片上集成电容模型物理参数的提取方法，其特征在于，所述步骤S3中，包括以下步骤：步骤S31、通过随机二进制数的方式，随机产生复数个所述目标物理参数作为所述个体加入至所述初始种群中，直至所述初始种群满足所述种群数量；步骤S32、将所述种群中的所有所述个体带入所述电容累积误差函数中，得到所有所述个体的所述电容误差值；步骤S33、将所有所述个体根据所述电容误差值以及预设的适应度转换规则，得到所有所述个体的所述适应度。5.根据权利要求4所述的一种片上集成电容模型物理参数的提取方法，其特征在于，所述步骤S4中，还...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴骏，王伟，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31
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