【技术实现步骤摘要】
管道清洁装置
本技术涉及半导体制造
，特别涉及一种管道清洁装置。
技术介绍
在采用半导体设备制造半导体芯片或者半导体集成电路的过程中，通常需要运用到化学气相沉积工艺，而在执行了化学气相沉积工艺后，半导体设备管道中会遗留反应副产物，影响半导体设备的性能，因此需要对半导体设备管道进行清洁。相关技术中，半导体设备一般包括有反应腔体和尾气处理装置，并且两者通过半导体管道连接。在此基础上，清洁半导体管道的方法为：通过一管道向反应腔体输送清洁气体，使得所述清洁气体流动入半导体设备管道中，以便通过所述清洁气体来清洁所述半导体管道。但是，相关技术中提供的半导体设备管道中的清洁方法的周期较长，且其对于清洁气体的消耗量较多。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种管道清洁装置，以解决现有的半导体设备管道的清洁方法其周期长，以及清洁气体的消耗量较多的问题。为解决上述技术问题，本技术提供一种管道清洁装置，所述管道清洁装置包括反应腔体、第一管道、第二管道以及尾气处理装置；其中，所述第一管道连接所述反应腔体与所述尾气处理装置，所述第一管道上设置有第一阀门，用于控制所述第一管道导通或闭塞；所述第...
【技术保护点】
1.一种管道清洁装置，其特征在于，所述管道清洁装置包括反应腔体、第一管道、第二管道以及尾气处理装置；其中，所述第一管道连接所述反应腔体与所述尾气处理装置，所述第一管道上设置有第一阀门，用于控制所述第一管道导通或闭塞；所述第二管道与所述第一管道交汇，且所述第二管道与所述第一管道的交汇点位于所述第一阀门与所述尾气处理装置之间，所述第二管道用于向所述第一管道输送清洁气体，以清洁所述第一管道。
【技术特征摘要】
1.一种管道清洁装置，其特征在于，所述管道清洁装置包括反应腔体、第一管道、第二管道以及尾气处理装置；其中，所述第一管道连接所述反应腔体与所述尾气处理装置，所述第一管道上设置有第一阀门，用于控制所述第一管道导通或闭塞；所述第二管道与所述第一管道交汇，且所述第二管道与所述第一管道的交汇点位于所述第一阀门与所述尾气处理装置之间，所述第二管道用于向所述第一管道输送清洁气体，以清洁所述第一管道。2.如权利要求1所述的管道清洁装置，其特征在于，所述第二管道包括主管道、第一子管道以及第二子管道；所述第一子管道和所述第二子管道交汇至所述主管道的一端，所述主管道的另一端与所述第一管道交汇，并且，所述主...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭海龙，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34
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