显示装置制造方法及图纸

提供了一种显示装置。所述显示装置包括：第一基底；栅极线，在第一基底上沿着第一方向延伸；数据线，设置在第一基底上，与栅极线绝缘，并沿着与第一方向交叉的第二方向延伸；栅电极，从栅极线突出；源电极，从数据线延伸；漏电极，与源电极间隔开；像素电极，电连接到漏电极；以及存储电极，与栅极线和栅电极间隔开。漏电极包括与栅电极叠置的第一叠置部分以及与存储电极叠置的第二叠置部分，并且第二叠置部分与像素电极的至少一部分叠置。

display device

【技术实现步骤摘要】
显示装置本申请要求于2018年1月24日提交的第10-2018-0008675号韩国专利申请的优先权和权益，出于所有目的，该韩国专利申请的内容通过引用包含于此，如在此所充分阐述的一样。
本专利技术的示例性实施例涉及一种显示装置，更具体地，涉及一种能够改善显示质量的显示装置。
技术介绍
液晶显示(“LCD”)装置是平板显示(“FPD”)装置中的最广泛使用的类型之一。这种LCD装置包括其上形成有电极的两个基底以及介于两个基底之间的液晶层。LCD装置是通过将电压施加到两个电极并且使液晶层的液晶分子重新排列来调节透光量的显示装置。LCD装置包括多个像素，并且每个像素包括电容器和用作开关的薄膜晶体管。电容器包括液晶电容器、存储电容器和寄生电容器，所述液晶电容器是液晶的电容组件，所述存储电容器补偿液晶电容器的电荷存储能力，所述寄生电容器形成在栅极线与源电极和漏电极之间。当开启施加到栅极线的信号时，像素中的薄膜晶体管导通，并通过数据线将图像信号施加到像素。通过施加的图像信号来对像素中的液晶电容器和存储电容器进行充电，因此改变了像素电压。当关断施加到栅极线的信号时，像素中的薄膜晶体管截止，使得像素电压变为浮置状态，并且由于寄生电容器，使得像素电压通过回扫电压(kickbackvoltage)而降低。近来，随着显示装置在尺寸上已变得越来越大并具有改善的图像质量，每个单独的像素的尺寸已变得越来越小，并且存储电容和寄生电容的大小会由于掩模未对齐而大幅波动。根据存储电容和寄生电容的大小，回扫电压会改变，因此，会使显示装置的显示质量劣化。在
技术介绍
部分中公开的上述信息仅用于理解专利技术构思的
技术介绍
，因此，它可以包含不构成现有技术的信息。
技术实现思路
本专利技术的示例性实施例提供一种能够补偿回扫电压以改善显示质量的显示装置。专利技术构思的附加特征将在下面的描述中阐述，并且部分地将通过下面的描述而明显，或者可以通过专利技术构思的实践来获知。示例性实施例提供了一种显示装置，所述显示装置包括：第一基底；栅极线，在第一基底上沿着第一方向延伸；数据线，设置在第一基底上，与栅极线绝缘，并沿着与第一方向交叉的第二方向延伸；栅电极，从栅极线突出；源电极，从数据线延伸；漏电极，与源电极间隔开；像素电极，电连接到漏电极；以及存储电极，与栅极线和栅电极间隔开。漏电极包括与栅电极叠置的第一叠置部分以及与存储电极叠置的第二叠置部分，并且第二叠置部分与像素电极的至少一部分叠置。漏电极可以包括从第二叠置部分延伸且未与存储电极和栅电极叠置的非叠置部分。非叠置部分可以包括：第一非叠置部分，设置在第一叠置部分与第二叠置部分之间；以及第二非叠置部分，在远离第一非叠置部分的方向上延伸。漏电极可以具有“I”形状。第一叠置部分在第一方向上可以具有约3μm至约5μm的长度，并且第二叠置部分在第一方向上具可以有约20μm至约40μm的长度。与存储电极叠置的第二叠置部分的长度可以随着离开第一叠置部分的距离的增加而增加。与存储电极叠置的第二叠置部分的至少一部分的长度可以随着离开第一叠置部分的距离的增加而逐渐增加。非叠置部分可以包括：第一非叠置部分，从第一叠置部分延伸，并且未与像素电极叠置；以及第二非叠置部分，与像素电极的至少一部分叠置。漏电极可以是弯曲的。第一叠置部分在第二方向上可以具有约3μm至约5μm的长度，并且第二叠置部分在第一方向上可以具有约20μm至约40μm的长度。与存储电极叠置的第二叠置部分的长度可以随着离开第一叠置部分的距离的增加而逐渐增加。第一叠置部分可以具有第二叠置部分的面积的约1/13至约1/4的面积。另一示例性实施例提供了一种显示装置，所述显示装置包括：第一基底；栅极线，设置在第一基底上，并且沿着第一方向延伸；数据线，设置在第二基底上，数据线沿着与第一方向交叉的第二方向延伸；栅电极，从栅极线突出；存储电极，与栅电极间隔开；源电极，从数据线延伸；以及漏电极，与源电极间隔开，并且包括与栅电极叠置的第一叠置部分、与存储电极叠置的第二叠置部分以及从第一叠置部分和第二叠置部分延伸并且未与存储电极叠置的非叠置部分。非叠置部分包括从第一叠置部分延伸并且未与像素电极叠置的第一非叠置部分以及从第二叠置部分延伸并且与像素电极的至少一部分叠置的第二非叠置部分。漏电极可以具有“I”形状。第一叠置部分在第一方向上可以具有约3μm至约5μm的长度，并且第二叠置部分在第一方向上可以具有约20μm至约40μm的长度。与存储电极叠置的第二叠置部分的长度可以随着离开第一叠置部分的距离的增加而增加。与存储电极叠置的第二叠置部分的至少一部分的长度可以随着离开第一叠置部分的距离的增加而逐渐增加。漏电极可以是弯曲的。第一叠置部分在第二方向上具有约3μm至约5μm的长度，第二叠置部分在第一方向上具有约20μm至约40μm的长度。与存储电极叠置的第二叠置部分的长度可以随着离开第一叠置部分的距离沿着第一方向增加而逐渐增加。将理解的是，前面的一般描述和后面的详细描述都是示例性和说明性的，并且旨在提供对所要求的专利技术的进一步解释。附图说明附图示出了专利技术的示例性实施例，并且与具体实施方式一起用于解释专利技术构思，其中，附图被包括以提供对专利技术的进一步理解，并且附图包含在本说明书中并构成本说明书的一部分。图1是示出根据本专利技术的示例性实施例的显示装置的一个像素的平面图。图2是沿着图1中的线I-I'截取的剖视图。图3是示出根据本专利技术的示例性实施例的像素的等效电路的电路图。图4是放大了图1的部分“A”的图。图5和图6是图1的部分“A”的其它放大图。图7是示出根据本专利技术的另一示例性实施例的显示装置的一个像素的平面图。图8是沿着图7中的线II-II'截取的剖视图。图9是图7的部分“B”的放大图。图10和图11是图7的部分“B”的其它放大图。图12是示出根据本专利技术的又一示例性实施例的显示装置的一个像素的平面图。图13是示出根据本专利技术的又一示例性实施例的显示装置的一个像素的平面图。具体实施方式在下面的描述中，出于解释的目的，阐述了许多具体细节，以提供对专利技术的各种示例性实施例的透彻的理解。如这里使用的“实施例”是采用这里公开的一个或更多个专利技术构思的装置或方法的非限制性示例。然而，明显的是，可以在没有这些具体细节或者具有一个或更多个等同布置的情况下实践各种示例性实施例。在其它情况下，以框图形式示出了公知的结构和装置，以避免使各种示例性实施例不必要地模糊。此外，各种示例性实施例可以是不同的，但不必是排它性的。例如，在不脱离专利技术构思的情况下，可以在另一示例性实施例中使用或实现示例性实施例的具体形状、构造和特性。除非另有说明，否则示出的示例性实施例将被理解为提供可以在实践中实现专利技术构思的一些方式的不同细节的示例性特征。因此，除非另有说明，否则在不脱离专利技术构思的情况下可以对各种实施例的特征、组件、模块、层、膜、面板、区域和/或方面等(在下文中单独地或共同地称作“元件”)进行另外组合、分离、互换和/或重新布置。通常提供在附图中使用交叉影线和/或阴影来使相邻元件之间的边界清晰。如此，除非被指定，否则交叉影线或阴影的存在与否都不传达或表示对特定材料、材料性质、尺寸、比例、所示元件之间的共性和/或元件的任意其它特性、属性、性质等的任何偏好或需求。此外，在附图中本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示装置，所述显示装置包括：第一基底；栅极线，在所述第一基底上沿着第一方向延伸；数据线，设置在所述第一基底上，与所述栅极线绝缘，并沿着与所述第一方向交叉的第二方向延伸；栅电极，从所述栅极线突出；源电极，从所述数据线延伸；漏电极，与所述源电极间隔开；像素电极，电连接到所述漏电极；以及存储电极，与所述栅极线和所述栅电极间隔开，其中，所述漏电极包括与所述栅电极叠置的第一叠置部分以及与所述存储电极叠置的第二叠置部分，并且所述第二叠置部分与所述像素电极的至少一部分叠置。

【技术特征摘要】
2018.01.24 KR 10-2018-00086751.一种显示装置，所述显示装置包括：第一基底；栅极线，在所述第一基底上沿着第一方向延伸；数据线，设置在所述第一基底上，与所述栅极线绝缘，并沿着与所述第一方向交叉的第二方向延伸；栅电极，从所述栅极线突出；源电极，从所述数据线延伸；漏电极，与所述源电极间隔开；像素电极，电连接到所述漏电极；以及存储电极，与所述栅极线和所述栅电极间隔开，其中，所述漏电极包括与所述栅电极叠置的第一叠置部分以及与所述存储电极叠置的第二叠置部分，并且所述第二叠置部分与所述像素电极的至少一部分叠置。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述漏电极还包括从所述第二叠置部分延伸并且未与所述存储电极和所述栅电极叠置的非叠置部分。3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述非叠置部分包括：第一非叠置部分，设置在所述第一叠置部分与所述第二叠置部分之间；以及第二非叠置部分，在远离所述第一非叠置部分的方向上延伸。4...

【专利技术属性】
技术研发人员：申东熹，宋炯真，罗柄善，罗釉美，全秀洪，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR