【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】有源混频器的增强型宽带操作交叉引用本专利申请要求Yu等人的2016年12月6日提交的题为“EnhancedBroadbandOperationofanActiveMixer”的美国临时专利申请No.62/430,774、以及Yu等人的2017年12月4日提交的题为“EnhancedBroadbandOperationofanActiveMixer”的美国专利申请No.15/831,370的优先权,其中的每个申请都转让给本受让人。
技术介绍
下文一般地涉及无线通信,并且更具体地涉及用于有源混频器的增强型宽带操作的技术。无线通信系统被广泛部署以提供各种类型的通信内容,诸如语音、视频、分组数据、消息传递、广播等。这些系统可以能够通过共享可用系统资源(例如,时间、频率和功率)来支持与多个用户的通信。这种多址系统的示例包括码分多址(CDMA)系统、时分多址(TDMA)系统、频分多址(FDMA)系统、以及正交频分多址(OFDMA)系统(例如,长期演进(LTE)系统或新无线电(NR)系统)。无线多址通信系统可以包括一定数目的基站或接入网络节点,每个同时支持用于多个通信设备的通信,通信设备可以另外称为用户设备(UE)。无线通信设备(诸如UE或基站)包括一个或多个混频器。混频器是一种非线性电路,其可以用于将信号从一个频率移变到另一频率用于传输或信号处理。混频器是3-端口电子电路,其中端口中的两个端口是“输入”端口,而另一端口是“输出”端口。混频器对两个输入信号进行混频,使得输出信号的频率是输入信号的频率之和(或之差)。混频器可以用于将信号上变频到射频用于传输,以及将所接收的信号从 ...
【技术保护点】
1.一种用于无线通信的装置,包括:有源混频器,被配置为至少部分地基于交流本地振荡器信号在射频信号与中频信号之间进行转换,其中在所述有源混频器内生成的直流部分地取决于偏置电压和所述交流本地振荡器信号;以及混频器偏置电路,被配置为生成用于所述有源混频器的所述偏置电压,所述偏置电压的幅度至少部分地取决于所述交流本地振荡器信号的振幅。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.12.06 US 62/430,774;2017.12.04 US 15/831,3701.一种用于无线通信的装置,包括:有源混频器,被配置为至少部分地基于交流本地振荡器信号在射频信号与中频信号之间进行转换,其中在所述有源混频器内生成的直流部分地取决于偏置电压和所述交流本地振荡器信号;以及混频器偏置电路,被配置为生成用于所述有源混频器的所述偏置电压,所述偏置电压的幅度至少部分地取决于所述交流本地振荡器信号的振幅。2.根据权利要求1所述的装置,还包括:组合器电路,被配置为生成偏置的本地振荡器信号以用于输入到所述有源混频器,所述偏置的本地振荡器信号是所述偏置电压和所述交流本地振荡器信号的合成。3.根据权利要求2所述的装置,其中所述混频器偏置电路还包括:电流源,被配置为提供参考电流;以及跨导电路,被配置为接收所述参考电流和所述交流本地振荡器信号。4.根据权利要求3所述的装置,其中所述混频器偏置电路还包括:差分放大器,包括被配置为接收所述跨导电路的电压的第一输入、被配置为接收参考电压的第二输入、以及被配置为输出所述偏置电压的输出。5.根据权利要求4所述的装置,其中反馈回路使得所述差分放大器相对于所述交流本地振荡器信号的所述振幅,反向地控制所述偏置电压的所述幅度。6.根据权利要求3所述的装置,还包括:差分驱动电路,所述差分驱动电路包括所述跨导电路和第二跨导电路,所述第二跨导电路被配置为接收所述参考电流,所述差分驱动电路被配置为分别接收所述交流本地振荡器信号的差分输入。7.根据权利要求2所述的装置,其中所述混频器偏置电路还包括:差分放大器;以及p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管,所述p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管具有电连接到电流源和所述差分放大器的漏极;以及其中所述差分放大器包括电连接到所述p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的所述漏极的第一输入、被配置为接收参考电压的第二输入、以及被配置为输出所述偏置电压的输出。8.根据权利要求2所述的装置,其中所述偏置电压的所述幅度至少部分地取决于与所述交流本地振荡器信号的所述振幅的正向关系。9.根据权利要求1所述的装置,其中所述有源混频器选自包括以下的组:单平衡有源混频器、双平衡有源混频器、或单晶体管有源混频器。10.根据权利要求1所述的装置,其中所述有源混频器包括:开关电路,被配置为至少部分地基于所述偏置电压和所述交流本地振荡器信号,在所述有源混频器内生成所述直流。11.根据权利要求1所述的装置,其中所述交流本地振荡器信号具有在所定义的频率范围内的频率,并且所述交流本地振荡器信号的所述振幅在所述所定义的频率范围内变化。12.根据权利要求1所述的装置,其中所述交流本地振荡器信号的所述振幅至少部分地基于温度、特定频率处的工艺角、或两者而变化。13.根据权利要求1所述的装置,其中所述有源混频器包括被配置为接收用于上变频的信号的输入,并且被配置为将所述信号从第一中频上变频到第一射频。14.根据权利要求1所述的装置,其中所述有源混频器包括接收用于下变频的信号的输入,并且被配置为将所述信号从第一射频下变频到第一中...
【专利技术属性】
技术研发人员:俞欣旻,T·D·加思曼,梁赖简,
申请(专利权)人:高通股份有限公司,
类型:发明
国别省市:美国,US
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。