掩膜板组件及掩膜板组件拼接精度的检测方法技术

本发明专利技术公开了一种掩膜板组件及掩膜板组件拼接精度的检测方法，掩膜板组件包括两个以上的掩膜板，两个以上的掩膜板能够相拼接形成预设的掩膜图案，掩膜板包括：基底层，包括掩膜区以及环绕在掩膜区周侧的非掩膜区，掩膜区包括用于拼接形成掩膜图案的掩膜图案单元，非掩膜区包括用于拼接的拼接区域；以及电阻层，设置于拼接区域且沿平行于拼接界面的第一方向延伸预定宽度；其中，相邻两个掩膜板的电阻层对接形成待测电阻，待测电阻的电阻值与对接接触面积的大小成反比。本发明专利技术提供的掩膜板组件及掩膜板组件拼接精度的检测方法，能够直观、有效地监测掩膜板组件的拼接精度。

Detection Method of Mask Assembly and Mask Assembly Splicing Accuracy

【技术实现步骤摘要】
掩膜板组件及掩膜板组件拼接精度的检测方法
本专利技术涉及显示
，具体涉及一种掩膜板组件及掩膜板组件拼接精度的检测方法。
技术介绍
在显示面板开发，特别是中、大尺寸显示面板开发的过程中(如车载显示面板等)，在阵列基板制备时，由于曝光机设备、掩膜板(mask)尺寸小等条件受限，常需要进行掩膜板拼接曝光。拼接精度低会造成曝光图形异常，导致显示面板在显示过程中出现暗线、亮线等问题。如何直观、有效地对掩膜板拼接精度进行测量和监控，成为亟待解决的技术难题。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种掩膜板组件及掩膜板组件拼接精度的检测方法，旨在直观、有效地测量和监控掩膜板组件的拼接精度。本专利技术实施例第一方面提供一种掩膜板组件，掩膜板组件包括两个以上的掩膜板，两个以上的掩膜板能够相拼接以形成预设的掩膜图案，掩膜板包括：基底层，包括掩膜区以及环绕在掩膜区周侧的非掩膜区，掩膜区包括用于拼接形成掩膜图案的掩膜图案单元，非掩膜区包括用于拼接的拼接区域；以及电阻层，设置于拼接区域且沿平行于拼接界面的第一方向延伸预定宽度；其中，相邻两个掩膜板的电阻层对接形成待测电阻，待测电阻的电阻值与对接接触面积的大小成反比。根据本专利技术实施例的一个方面，电阻层包括多个电阻线，多个电阻线沿第一方向依次间隔设置于非掩膜区，每个电阻线沿第一方向具有预定线宽；其中，相邻两个掩膜板的多个电阻线一一对应对接并且串联连接形成待测电阻。根据本专利技术实施例的一个方面，相邻两个掩膜板的电阻层对接形成的待测电阻呈蛇形。根据本专利技术实施例的一个方面，拼接区域包括沿第二方向位于掩膜区两侧的第一区域和第二区域，第一区域设有多个电阻线，第二区域设有多个电阻线，第二方向与第一方向相交；一个掩膜板中第一区域的多个电阻线与另一个掩膜板中第二区域的多个电阻线相对接形成待测电阻。根据本专利技术实施例的一个方面，拼接区域具有沿第一方向延伸的侧边缘，掩膜板通过侧边缘进行拼接，电阻线在侧边缘具有引出端点。根据本专利技术实施例的一个方面，在侧边缘，引出端点的数量大于或等于100，和/或，相邻两个引出端点之间的间距大于或等于3μm。根据本专利技术实施例的一个方面，电阻线的预定线宽小于或等于3μm；和/或，电阻线的厚度为小于或等于3μm；和/或，电阻线的预定线宽与待测电阻的总长度之比为1:10000～1:1000。根据本专利技术实施例的一个方面，相邻两个掩膜板中包括两个测试触点，两个测试触点分别连接于待测电阻的两端，两个测试触点设置于同一掩膜板或分设于两个掩膜板。根据本专利技术实施例的一个方面，电阻层所采用材料的电阻率为10-4Ω·cm～109Ω·cm，优选为半导体材料，更优选为多晶硅和/或铟镓锌氧化物。本专利技术实施例另一方面提供一种掩膜板组件拼接精度的检测方法，方法包括：提供两个以上的掩膜板，掩膜板包括基底层及电阻层，基底层包括掩膜区以及环绕在掩膜区周侧的非掩膜区，掩膜区包括掩膜图案单元，非掩膜区包括用于拼接的拼接区域，电阻层设置于拼接区域且沿平行于拼接界面的第一方向延伸预定宽度；拼接两个以上的掩膜板，使掩膜图案单元拼接形成预设的掩膜图案，相邻两个掩膜板的电阻层则相对接形成待测电阻；检测待测电阻的电阻值；根据电阻值确定相邻两个掩膜板的拼接精度。根据本专利技术实施例的掩膜板组件及掩膜板组件拼接精度的检测方法，在掩膜板上设置有沿平行于拼接界面的第一方向延伸预定宽度的电阻层，掩膜板组件拼接形成预设的掩膜图案，同时相邻两个掩膜板的电阻层对接形成待测电阻，待测电阻的电阻值随相邻两个掩膜板拼接精度的不同而不同，因此，通过检测待测电阻的电阻值，能够实现直观、准确、有效地测量和监控掩膜板组件的拼接精度。在一些可选的实施例中，掩膜板的电阻层包括多个电阻线，多个电阻线沿第一方向依次间隔设置于拼接区域，每个电阻线沿第一方向具有预设线宽，相邻两个掩膜板的多个电阻线一一对应对接并且串联连接形成上述的待测电阻，由此增加了待测电阻跨拼接处的走线数量，待测电阻的电阻值随相邻两个掩膜板拼接精度的不同而变化的更加灵敏，从而更加精确地反馈掩膜板组件的拼接精度。附图说明通过阅读以下参照附图对非限制性实施例所作的详细描述，本专利技术的其它特征、目的和优点将会变得更明显，其中，相同或相似的附图标记表示相同或相似的特征，附图并未按照实际的比例绘制。图1示出根据本专利技术实施例的掩膜板组件的拼接结构示意图；图2示出图1中A区的局部结构示意图；图3示出根据本专利技术实施例的相邻两个掩膜板的电阻层结构示意图；图4示出图3中相邻两个掩膜板的拼接结构示意图；图5示出图4中B区的局部结构示意图；图6示出根据本专利技术实施例的一种掩膜板的结构示意图；图7示出图6中掩膜板的拼接结构示意图；图8示出根据本专利技术实施例的另一中掩膜板的结构示意图；图9示出图8中掩膜板的拼接结构示意图；图10示出根据本专利技术实施例的掩膜板组件拼接精度的检测方法流程图。图中：100-掩膜板；110-基底层；111-掩膜区；112-非掩膜区；120-电阻层；121-电阻线；121a-第一电阻线；121b-第二电阻线；121c-第三电阻线；121d-第四电阻线；122-引出端点；130-测试触点；S1-第一区域；S2-第二区域；L1-第一侧边缘；L2-第二侧边缘。具体实施方式下面将详细描述本专利技术的各个方面的特征和示例性实施例，为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及具体实施例，对本专利技术进行进一步详细描述。应理解，此处所描述的具体实施例仅被配置为解释本专利技术，并不被配置为限定本专利技术。对于本领域技术人员来说，本专利技术可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本专利技术的示例来提供对本专利技术更好的理解。需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。首先结合图1至图9对本专利技术实施例的掩膜板组件进行详细说明。图1示出根据本专利技术实施例的一种掩膜板组件的拼接结构示意图，图2示出图1中A区的局部结构示意图。请一并参照图1和图2，本专利技术实施例提供的掩膜板组件包括两个以上的掩膜板100，每个掩膜板100均包括掩膜图案单元(图中未示出)，两个以上的掩膜板100能够相拼接以形成预设的掩膜图案(图中未示出)，从而方便地应用于显示面板的制备工艺，其中方便地应用于中、大尺寸显示面板的制备工艺。其中，掩膜板100包括基底层110及设置于基底层110上的电阻层120。基底层110包括掩膜区111以及环绕在掩膜区111周侧的非掩膜区112，掩膜区112包括上述的掩膜图案单元，非掩膜区112包括用于拼接的拼接区域。电阻层120设置于拼接区域且沿平行于拼接界面的第一方向延伸预定宽度。相邻两个掩膜板100的电阻层120对接形成待测电阻，待本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种掩膜板组件，其特征在于，包括两个以上的掩膜板，两个以上的所述掩膜板能够相拼接以形成预设的掩膜图案，所述掩膜板包括：基底层，包括掩膜区以及环绕在所述掩膜区周侧的非掩膜区，所述掩膜区包括用于拼接形成所述掩膜图案的掩膜图案单元，所述非掩膜区包括用于拼接的拼接区域；以及电阻层，设置于所述拼接区域且沿平行于拼接界面的第一方向延伸预定宽度；其中，相邻两个所述掩膜板的所述电阻层对接形成待测电阻，所述待测电阻的电阻值与对接接触面积的大小成反比。

【技术特征摘要】
1.一种掩膜板组件，其特征在于，包括两个以上的掩膜板，两个以上的所述掩膜板能够相拼接以形成预设的掩膜图案，所述掩膜板包括：基底层，包括掩膜区以及环绕在所述掩膜区周侧的非掩膜区，所述掩膜区包括用于拼接形成所述掩膜图案的掩膜图案单元，所述非掩膜区包括用于拼接的拼接区域；以及电阻层，设置于所述拼接区域且沿平行于拼接界面的第一方向延伸预定宽度；其中，相邻两个所述掩膜板的所述电阻层对接形成待测电阻，所述待测电阻的电阻值与对接接触面积的大小成反比。2.根据权利要求1所述的掩膜板组件，其特征在于，所述电阻层包括多个电阻线，多个所述电阻线沿所述第一方向依次间隔设置于所述拼接区域，每个所述电阻线沿所述第一方向具有预定线宽；其中，相邻两个所述掩膜板的多个所述电阻线一一对应对接并且串联连接形成所述待测电阻。3.根据权利要求2所述的掩膜板组件，其特征在于，相邻两个所述掩膜板的所述电阻层对接形成的所述待测电阻呈蛇形。4.根据权利要求2或3所述的掩膜板组件，其特征在于，所述拼接区域包括沿第二方向位于所述掩膜区两侧的第一区域和第二区域，所述第一区域设有多个所述电阻线，所述第二区域设有多个所述电阻线，所述第二方向与所述第一方向相交；一个所述掩膜板中所述第一区域的多个所述电阻线与另一个所述掩膜板中所述第二区域的多个所述电阻线相对接形成所述待测电阻。5.根据权利要求2所述的掩膜板组件，其特征在于，所述拼接区域具有沿所述第一方向延伸的侧边缘，所述掩膜板通过所述侧边缘进行拼接，所述电...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨华东，张鹏记，林超，王建禹，
申请(专利权)人：云谷固安科技有限公司，
类型：发明
国别省市：河北,13