TFT基板、具备TFT基板的扫描天线以及TFT基板的制造方法技术

TFT基板(105)具有配置于非发送接收区域(R2)的源极‑栅极连接部(SG)。源极‑栅极连接部具有：源极下部连接配线(3sg)，其包含于栅极金属层(3)；第1开口部(4sg1)，其形成于栅极绝缘层(4)，到达源极下部连接配线；源极总线连接部(7sg)，其包含于源极金属层(7)，连接到源极总线(SL)；第2开口部(11sg1)，其形成于第1绝缘层(11)，在从电介质基板(1)的法线方向观看时与第1开口部重叠；第3开口部(11sg2)，其形成于第1绝缘层，到达源极总线连接部；第1连接部(13sg)，其包含形成于第1绝缘层与第2绝缘层之间的至少1个导电层，在第1开口部内连接到源极下部连接配线，在第3开口部内连接到源极总线连接部；第4开口部(17sg1、17sg2)，其形成于第2绝缘层(17)，到达第1连接部；以及第2连接部(19sg)，其包含于上部导电层(19)，在第4开口部内连接到第1连接部。

Manufacturing Method of TFT Substrate, Scanning Antenna with TFT Substrate and TFT Substrate

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】TFT基板、具备TFT基板的扫描天线以及TFT基板的制造方法
本专利技术涉及扫描天线，特别是涉及天线单位(有时也称为“元件天线”。)具有液晶电容的扫描天线(有时也称为“液晶阵列天线”。)、这种扫描天线所使用的TFT基板以及这种TFT基板的制造方法。
技术介绍
移动体通信或卫星广播用天线需要能改变波束的方向(被称为“波束扫描”或者“波束定向(beamsteering)”。)的功能。作为具有这种功能的天线(以下称为“扫描天线(scannedantenna)”。)，已知具备天线单位的相控阵列天线。但是，现有的相控阵列天线的价格高，这成为向消费品普及的障碍。特别是，当天线单位的数量增加时，成本会显著上升。因此，已提出利用了液晶材料(包括向列液晶、高分子分散液晶)的大的介电各向异性(双折射率)的扫描天线(专利文献1～5和非专利文献1)。液晶材料的介电常数具有频率分散性，因此在本说明书中将微波的频带中的介电常数(有时也称为“相对于微波的介电常数”。)特别标记为“介电常数M(εM)”。在专利文献3和非专利文献1中，记载了通过利用液晶显示装置(以下称为“LCD”。)的技术能得到价格低的扫描天线。现有本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种TFT基板，具有电介质基板和在上述电介质基板上排列的多个天线单位区域，上述多个天线单位区域各自具有TFT和连接到上述TFT的漏极电极的贴片电极，上述TFT基板具备包含上述多个天线单位区域的发送接收区域和位于上述发送接收区域以外的区域的非发送接收区域，上述TFT基板的特征在于，具有：栅极金属层，其支撑于上述电介质基板，包含上述TFT的栅极电极和连接到上述栅极电极的栅极总线；栅极绝缘层，其形成于上述栅极金属层上；源极金属层，其形成于上述栅极绝缘层上，包含上述TFT的源极电极、上述漏极电极以及连接到上述源极电极的源极总线；第1绝缘层，其形成于上述源极金属层上；贴片金属层，其形成于上述第1绝缘...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.12.08 JP 2016-2387541.一种TFT基板，具有电介质基板和在上述电介质基板上排列的多个天线单位区域，上述多个天线单位区域各自具有TFT和连接到上述TFT的漏极电极的贴片电极，上述TFT基板具备包含上述多个天线单位区域的发送接收区域和位于上述发送接收区域以外的区域的非发送接收区域，上述TFT基板的特征在于，具有：栅极金属层，其支撑于上述电介质基板，包含上述TFT的栅极电极和连接到上述栅极电极的栅极总线；栅极绝缘层，其形成于上述栅极金属层上；源极金属层，其形成于上述栅极绝缘层上，包含上述TFT的源极电极、上述漏极电极以及连接到上述源极电极的源极总线；第1绝缘层，其形成于上述源极金属层上；贴片金属层，其形成于上述第1绝缘层上，包含上述贴片电极；第2绝缘层，其形成于上述贴片金属层上；以及上部导电层，其形成于上述第2绝缘层上，上述TFT基板具有配置于上述非发送接收区域的源极-栅极连接部，上述源极-栅极连接部具有：源极下部连接配线，其包含于上述栅极金属层，与上述栅极总线是电分离的；第1开口部，其形成于上述栅极绝缘层，到达上述源极下部连接配线；源极总线连接部，其包含于上述源极金属层，连接到上述源极总线；第2开口部，其形成于上述第1绝缘层，在从上述电介质基板的法线方向观看时与上述第1开口部重叠；第3开口部，其形成于上述第1绝缘层，到达上述源极总线连接部；第1连接部，其包含形成于上述第1绝缘层与上述第2绝缘层之间的至少1个导电层，在上述第1开口部内连接到上述源极下部连接配线，在上述第3开口部内连接到上述源极总线连接部；至少1个第4开口部，其形成于上述第2绝缘层，到达上述第1连接部；以及第2连接部，其包含于上述上部导电层，在上述至少1个第4开口部内连接到上述第1连接部。2.根据权利要求1所述的TFT基板，上述源极下部连接配线中的、通过上述第1开口部露出的部分被上述第1连接部覆盖，上述源极总线连接部中的、通过上述第3开口部露出的部分被上述第1连接部覆盖。3.根据权利要求1或2所述的TFT基板，在从上述电介质基板的法线方向观看时，上述第1连接部的整个范围与上述第2连接部重叠，或者上述第2连接部的整个范围与上述第1连接部重叠。4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的TFT基板，具有配置于上述非发送接收区域的源极端子部，上述源极端子部具有：源极端子用下部连接部，其包含于上述栅极金属层，与上述源极下部连接配线电连接；第5开口部，其形成于上述栅极绝缘层，到达上述源极端子用下部连接部；第6开口部，其形成于上述第1绝缘层，在从上述电介质基板的法线方向观看时与上述第5开口部重叠；第7开口部，其形成于上述第2绝缘层，在从上述电介质基板的法线方向观看时与上述第6开口部重叠；以及源极端子用上部连接部，其包含于上述上部导电层，在上述第5开口部内与上述源极端子用下部连接部连接。5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的TFT基板，上述上部导电层包含透明导电层。6.根据权利要求1至5中的任意一项所述的TFT基板，上述上部导电层包含：第1导电层，其包含透明导电层；以及第2导电层，其形成于上述第1导电层之下，由从包括Ti层、MoNb层、MoNbNi层、MoW层、W层以及Ta层的组中选择的至少1个层形成。7.根据权利要求1至6中的任意一项所述的TFT基板，还具...

【专利技术属性】
技术研发人员：美崎克纪，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP