阵列基板的制造方法和阵列基板技术

本申请实施例公开了一种阵列基板的制造方法和阵列基板；其中，该阵列基板的制造方法包括：提供一基板，所述基板包括衬底层以及依次设置于所述衬底层上的栅极层、第一绝缘层、半导体层和源漏极层；提供一前驱体溶液，所述前驱体溶液包括硝化纤维；将所述前驱体溶液涂布于所述源漏极层上，形成第二绝缘层；在所述第二绝缘层上设置光阻层，对所述光阻层进行曝光显影以在所述光阻层上形成第一通孔以暴露部分所述第二绝缘层；采用蚀刻溶液蚀刻被暴露的所述第二绝缘层以在所述第二绝缘层形成第二通孔以暴露部分源漏极层。本方案可以提高阵列基板的稳定性。

Manufacturing Method of Array Substrate and Array Substrate

【技术实现步骤摘要】
阵列基板的制造方法和阵列基板
本申请涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板的制造方法和阵列基板。
技术介绍
随着显示技术的发展，液晶显示面板(LiquidCrystalDisplay，LCD)因其轻便、低辐射等优点越来越受到人们的欢迎。液晶显示面板通常包括阵列基板，在该阵列基板中，作为打开/关闭像素的开关元件，即薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)形成在各个像素中。而背沟道刻蚀型薄膜晶体管由于掩膜(Mask)数量少、体积小等优点而被广泛应用。其中，背沟道蚀刻型薄膜晶体管上的钝化保护层可以起到隔绝水和氧气进入背沟道的作用，以防止背沟道的阻值发生变化，而导致阈值电压发生巨大漂移。目前的钝化保护层材料主要以SiO2，Al2O3，Y2O3等无机材料为主，无机材料大多为高温制程，不适用于柔性基板；且无机材料大多弯曲性差、易碎，导致薄膜晶体管的稳定性较差，进而影响阵列基板的稳定性。
技术实现思路
本申请实施例提供了一种阵列基板的制造方法和阵列基板，可以提高阵列基板的稳定性。本申请实施例提供了一种阵列基板的制造方法，包括：提供一基板，所述基板包括衬底层以及依次设置于所述衬底层上的栅极层、第一绝缘层、半导体层和源漏极层；提供一前驱体溶液，所述前驱体溶液包括硝化纤维；将所述前驱体溶液涂布于所述源漏极层上，形成第二绝缘层；在所述第二绝缘层上设置光阻层，对所述光阻层进行曝光显影以在所述光阻层上形成第一通孔以暴露部分所述第二绝缘层；采用蚀刻溶液蚀刻被暴露的所述第二绝缘层以在所述第二绝缘层形成第二通孔以暴露部分源漏极层。在本申请实施例提供的阵列基板的制造方法中，所述提供一基板，所述基板包括衬底层以及依次设置于所述衬底层上的栅极层、第一绝缘层、半导体层和源漏极层，包括：提供一基板，所述基板包括衬底层；在所述衬底层上沉积栅极层；在所述栅极层上沉积第一绝缘层；在所述第一绝缘层上沉积半导体层；在所述半导体层上沉积第二金属层，并采用背沟道刻蚀法对所述第二金属层进行刻蚀，形成源漏极层。在本申请实施例提供的阵列基板的制造方法中，所述前驱体溶液还包括乙醇。在本申请实施例提供的阵列基板的制造方法中，所述前驱体溶液是将所述乙醇和所述火棉胶按照预设比例混合溶解而成。在本申请实施例提供的阵列基板的制造方法中，所述前驱体溶液是将所述乙醇和所述火棉胶按照体积比3:7至4:6混合溶解而成。在本申请实施例提供的阵列基板的制造方法中，所述将所述前驱体溶液涂布于所述源漏极层上，形成第二绝缘层，包括：将所述前驱体溶液涂布于所述源漏极层上，形成一薄膜；对所述薄膜进行烘烤，以固化所述薄膜形成第二绝缘层，其中，烘烤温度在110摄氏度至150摄氏度之间，烘烤时长在1小时至2小时之间。在本申请实施例提供的阵列基板的制造方法中，所述第二绝缘层由硝化纤维构成。在本申请实施例提供的阵列基板的制造方法中，所述蚀刻溶液包括乙醇。在本申请实施例提供的阵列基板的制造方法中，所述乙醇的浓度大于等于95％。本申请实施例提供了一种阵列基板，包括：衬底层、栅极层、第一绝缘层、半导体层、源漏极层、第二绝缘层和光阻层；其中：所述栅极层设置在所述衬底层上；所述第一绝缘层覆盖在所述栅极层和所述衬底上；所述半导体层设置在所述第一绝缘层上；所述源漏极层位于所述第一绝缘层和半导体层上；所述第二绝缘层覆盖在所述源漏极层上；所述光阻层设置在所述第二绝缘层上；其中，所述第二绝缘层由硝化纤维构成。本申请实施例提供的阵列基板的制造方法包括提供一基板，所述基板包括衬底层以及依次设置于所述衬底层上的栅极层、第一绝缘层、半导体层和源漏极层；提供一前驱体溶液，所述前驱体溶液包括硝化纤维；将所述前驱体溶液涂布于所述源漏极层上，形成第二绝缘层；在所述第二绝缘层上设置光阻层，对所述光阻层进行曝光显影以在所述光阻层上形成第一通孔以暴露部分所述第二绝缘层；采用蚀刻溶液蚀刻被暴露的所述第二绝缘层以在所述第二绝缘层形成第二通孔以暴露部分源漏极层。本方案中的第二绝缘层由硝化纤维构成，可以有效的隔离水和氧气，避免水和氧气进入半导体层使得半导体层的阻值发生变化，而导致阈值电压发生巨大漂移，影响阵列基板的稳定性。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本申请实施例提供的阵列基板的制造方法的流程示意图。图2是本申请实施例提供的阵列基板的第一结构示意图。图3是本申请实施例提供的阵列基板的第二结构示意图。图4是本申请实施例提供的阵列基板的第三结构示意图。图5是本申请实施例提供的阵列基板的第四结构示意图。图6是本申请实施例提供的阵列基板的第五结构示意图。图7是本申请实施例提供的阵列基板的第六结构示意图。具体实施方式下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。需要说明的是，本申请实施例提供的阵列基板的制造方法是阵列基板的制造过程中的一部分，关于阵列基板其他部分的制造方法，比如栅线、像素电极、数据线等结构的制造方法，不是本申请关注的重点，故在此不做详细介绍。其中，背沟道刻蚀型薄膜晶体管因Mask数量少、体积小等优点而被广泛应用，其中，背沟道蚀刻型薄膜晶体管上的钝化保护层可以起到隔绝水和氧气进入背沟道的作用，以防止背沟道的阻值发生变化，而导致阈值电压发生巨大漂移。而目前大多钝化保护层材料主要以SiO2，Al2O3，Y2O3等无机材料为主，无机材料大多为高温制程，不适用于柔性基板；且无机材料大多弯曲性差、易碎，导致薄膜晶体管的稳定性较差，进而影响阵列基板的稳定性。目前，已有诸如聚二甲基硅氧烷(polydimethylsiloxane，PDMS)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate，PMMA)等有机材料为代表的钝化保护层材料，但因其材料自身的渗透性，隔离水和氧气的效果较差。对此，本申请实施例提供了一种阵列基板的制造方法和阵列基板，下面进行详细说明。请参阅图1，图1是本申请实施例提供的阵列基板的制造方法的流程示意图，具体流程可以如下：101、提供一基板，所述基板包括衬底层以及依次设置于所述衬底层上的栅极层、第一绝缘层、半导体层和源漏极层。其中，基板的材料可以包括玻璃、石英、蓝宝石或氧化铟锡等，需要说明的是，基板的材料包括但不限于以上材料，还可以包括其他材料。该基板可以包括衬底层。具体的，可以在衬底层上沉积栅极层；在所述栅极层上沉积第一绝缘层；在所述第一绝缘层上沉积半导体层；在所述半导体层上沉积第二金属层，并采用背沟道刻蚀法对所述第二金属层进行刻蚀，形成源漏极层。在一些实施例中，请参阅图2，可以通过物理气相沉积技术，比如金属溅射在衬底层10上沉积第一金属层，然后再对该金属层进行光刻处理形成栅极层20。其中，栅极层20的材料可以包括Al、Mo、Cu、Ag等金属。随后，可以在栅极层20上形成第一绝缘层30本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：提供一基板，所述基板包括衬底层以及依次设置于所述衬底层上的栅极层、第一绝缘层、半导体层和源漏极层；提供一前驱体溶液，所述前驱体溶液包括硝化纤维；将所述前驱体溶液涂布于所述源漏极层上，形成第二绝缘层；在所述第二绝缘层上设置光阻层，对所述光阻层进行曝光显影以在所述光阻层上形成第一通孔以暴露部分所述第二绝缘层；采用蚀刻溶液蚀刻被暴露的所述第二绝缘层以在所述第二绝缘层形成第二通孔以暴露部分源漏极层。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：提供一基板，所述基板包括衬底层以及依次设置于所述衬底层上的栅极层、第一绝缘层、半导体层和源漏极层；提供一前驱体溶液，所述前驱体溶液包括硝化纤维；将所述前驱体溶液涂布于所述源漏极层上，形成第二绝缘层；在所述第二绝缘层上设置光阻层，对所述光阻层进行曝光显影以在所述光阻层上形成第一通孔以暴露部分所述第二绝缘层；采用蚀刻溶液蚀刻被暴露的所述第二绝缘层以在所述第二绝缘层形成第二通孔以暴露部分源漏极层。2.如权利要求1所述阵列基板的制造方法，其特征在于，所述提供一基板，所述基板包括衬底层以及依次设置于所述衬底层上的栅极层、第一绝缘层、半导体层和源漏极层，包括：提供一基板，所述基板包括衬底层；在所述衬底层上沉积栅极层；在所述栅极层上沉积第一绝缘层；在所述第一绝缘层上沉积半导体层；在所述半导体层上沉积第二金属层，并采用背沟道刻蚀法对所述第二金属层进行刻蚀，形成源漏极层。3.如权利要求1所述阵列基板的制造方法，其特征在于，所述前驱体溶液还包括乙醇。4.如权利要求3所述阵列基板的制造方法，其特征在于，所述前驱体溶液是将所述乙醇和所述火棉胶按照预设比例混合溶解而成。5.如权利要求4...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗传宝，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44