一种掩膜板制造技术

本发明专利技术公开了一种掩膜板，包括阻挡区及通透区，其中所述阻挡区与所述通透区之间还设有镂空区，所述镂空区内设置有第一通孔。本发明专利技术提供了一种掩膜板，通过在所述阻挡区及通透区之间增加镂空区域设计，在正常沉积相应膜层时可以适当增加掩膜板与基板之间的间距，避免成膜时膜面刮伤或膜层连续的情况；并且使用半镂空设计，可以在掩膜板与基板之间的间距较大的情况下减少沉积膜层时的阴影效应，进而能够实现窄边框设计，同时提升封装效果。

A mask

【技术实现步骤摘要】
一种掩膜板
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种用于薄膜封装的掩膜板。
技术介绍
OLED(OrganicLightEmittingDiode，有机发光二极管)等自发光器件具有自发光，视角广，寿命长，节能环保等特点，目前OLED显示器与照明行业发展迅速，已成为重要的显示设计。其中薄膜封装是一种优选的应用于类似OLED等自发光器件的封装方式。通过在OLED基板表面沉积各功能层薄膜达到阻隔水氧的目的，无须使用其他盖板，易于实现柔性显示。目前薄膜封装结构一般使用掩膜板用来形成有效面积区域，但是因沉膜时会有阴影效应(Shadoweffect)导致边缘面积较大，不利于窄边框与封装效果。请参阅图1，在基板1上的OLED膜层2形成无机膜层3时，如果降低掩膜板4与基板1之间的间距可减少阴影效应，容易刮伤OLED膜层2且容易在OLED膜层2和掩膜板4间产生的连续无机膜层3。请参阅图2，在OLED膜层2和掩膜板4脱离时无机膜层3破裂也会产生大量粒子。请参阅图3，如果增加掩膜板4与基板1之间间距会增加阴影效应，在基板1上形成无机膜层3时，在无机膜层3的边缘容易产生阴影效应区5，即无机材料会在设定的成膜区域外围继续沉积，使实际的成膜区域大于设定的成膜区域，不利于窄边框的实现。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服现有技术存在的缺陷，提供一种掩膜板，通过增加镂空区域设计，以解决在正常沉积相应膜层时可以适当增加掩膜板与基板之间的间距来避免成膜时膜面刮伤或膜层连续的情况，并且在掩膜板与基板之间的间距较大的情况下减少沉积膜层时的阴影效应，进而能够实现窄边框设计，同时提升封装效果。为了实现上述目的，本专利技术采用以下技术方案：本专利技术一实施例中提供了一种掩膜板，包括阻挡区及通透区，其中所述阻挡区与所述通透区之间还设有镂空区，所述镂空区设置有第一通孔。进一步的，其中所述镂空区环绕所述通透区设置。进一步的，其中所述镂空区宽度范围为100um～2mm。进一步的，其中所述第一通孔数量为多个，这些所述第一通孔的横截面面积之和占所述镂空区面积的10％～90％。进一步的，其中所述第一通孔数量为多个，这些第一通孔阵列排布于所述镂空区。进一步的，其中所述镂空区还设置有第二通孔，所述第二通孔横截面的面积小于所述第一通孔横截面的面积。进一步的，其中所述第一通孔和第二通孔的横截面面积之和占所述镂空区面积的10％～90％。进一步的，其中所述第一通孔包括2个或以上数量，所述第二通孔包括2个或以上数量，由所述第一通孔构成的纵列平行于由所述第二通孔构成的纵列。进一步的，其中所述第一通孔包括2个或以上数量，所述第二通孔包括2个或以上数量，其中由所述第一通孔构成的横列平行于由所述第二通孔构成的横列。进一步的，其中所述第一通孔的截面形状包括圆形、三角形、四边形以及多边形中的一种。本专利技术提供了一种掩膜板，通过在所述阻挡区及通透区之间增加镂空区域设计，在正常沉积相应膜层时可以适当增加掩膜板与基板之间的间距，避免成膜时膜面刮伤或膜层连续的情况；并且使用半镂空设计，可以在掩膜板与基板之间的间距较大的情况下减少沉积膜层时的阴影效应。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本专利技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。图1是现有技术中一种掩膜板与基板间距小时形成连续的无机膜层的结构示意图；图2是图1中形成无机膜层的破裂结构示意图；图3是现有技术中一种掩膜板与基板间距大时形成阴影效应区的结构示意图；图4是本专利技术一实施例中一种掩膜板结构示意图；图5是本专利技术一实施例中一种使用掩膜板成膜结构示意图；图6是图5中第一实施例的A-A截面示意图；图7是图5中第二实施例的A-A截面示意图；图8是图5中第三实施例的A-A截面示意图；图9是图5中第四实施例的A-A截面示意图。图中部件标识如下：1基板、2OLED膜层、3无机膜层、4掩膜板、5阴影效应区、6成膜有效区，10阻挡区、20镂空区、30通透区，21第一通孔、22第二通孔、23第三通孔、24第一列、25第二列、26第一排、27第三列、28第二排、29第三排。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。需要指出的是，在附图中，为了图示的清晰可能夸大了层和区域的尺寸。而且可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中间的层。另外，可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“下”时，它可以直接在其他元件下，或者可以存在一个以上的中间的层或元件。另外，还可以理解，当层或元件被称为在两层或两个元件“之间”时，它可以为两层或两个元件之间惟一的层，或还可以存在一个以上的中间层或元件。通篇相似的参考标记指示相似的元件。请参阅图4、图5所示，本专利技术的一实施例中，提供一种掩膜板4，掩膜板4分为三块区域：阻挡区10、镂空区20和通透区30，所述镂空区20位于所述阻挡区10与所述通透区30之间，所述镂空区20内设置有第一通孔21。其中镂空区20与通透区30在进行成膜时沉积物可以透过掩膜板4落在基板1上形成无机膜层3，所述无机膜层3为薄膜封装钝化保护层。因为镂空区20的存在，可以在掩膜板4与玻璃间距较高时，部分无机物可通过镂空区20扩散而被稀释降低，使矩形开口的侧边整体的阴影效应得以降低，从而使得无机膜层3的实际的成膜区域的形状与矩形开口形状基本一致，有效减少阴影效应宽度。即使得无机物的实际成膜区域6与无机膜层3预设的设计成膜区域基本一致，进而能够实现窄边框设计，同时提升封装效果。请参阅图6～图9所示，所述镂空区20与所述阻挡区10可一体成型；所述镂空区20环绕所述通透区30设置。其中所述镂空区20宽度范围为100um～2mm。其中所述第一通孔21数量为多个，这些所述第一通孔21的横截面面积之和占所述镂空区20面积的10％～90％。其中所述第一通孔21数量为多个，这些第一通孔21阵列排布于所述镂空区20。其中所述镂空区20还设置有第二通孔22，所述第二通孔22横截面的面积小于所述第一通孔21横截面的面积。所述第二通孔22相对于所述第一通孔21设置于靠近所述通透区30一侧，这样设置有助于形成均匀厚度的无机膜层3。其中所述第一通孔21和第二通孔22的横截面面积之和占所述镂空区20面积的10％～90％。其中所述第一通孔21包括2个或以上数量，所述第二通孔22包括2个或以上数量，由所述第一通孔21构成的纵列平行于由所述第二通孔22构成的纵列。其中所述第一通孔21包括2个或以上数量，所述第二通孔22包括2个或以上数量，其中由所述第一通孔21构成的横列平行于由所述第二通孔22构成的横列。其中所述第一通孔21的截面形状包括圆形、三角形、四边形以及多边形中的一种。当所述第一通孔21的截面形状为圆形，其直径尺寸大小范围为20um～70um。当所述第一通孔21本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种掩膜板，包括阻挡区及通透区，其中所述阻挡区与所述通透区之间还设有镂空区，所述镂空区内设置有第一通孔。

【技术特征摘要】
1.一种掩膜板，包括阻挡区及通透区，其中所述阻挡区与所述通透区之间还设有镂空区，所述镂空区内设置有第一通孔。2.据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述镂空区环绕所述通透区设置。3.据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述镂空区宽度范围为100um～2mm。4.据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述第一通孔数量为多个，这些所述第一通孔的横截面面积之和占所述镂空区面积的10％～90％。5.据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述第一通孔数量为多个，这些第一通孔阵列排布于所述镂空区。6.据权利要求4或5所述的掩膜板，其特征在于，所述镂空区还设置有第二通孔，所述第二通孔横截面...

【专利技术属性】
技术研发人员：何超，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44