用于碳注入物的三氟化磷共伴气体制造技术

本发明专利技术涉及用于碳离子注入的方法和系统，其包括利用三氟化磷(PF3)作为氧化碳气体的共伴气体，在某些实施方案中，这与镧钨合金离子源组件组合有利地尽量减少阴极306和阴极护罩316的氧化。此外，观察到电弧腔室300内部组件上可接受水平的积碳以及显著减少卤素循环，即减少形成WFx。

Phosphorus trifluoride co-Gas for carbon injection

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于碳注入物的三氟化磷共伴气体相关申请的交叉引用本申请要求于2016年11月24日提交的美国非临时申请US61/426,249的优先权，该申请的全部内容并入本文以供参考。
本专利技术总体上涉及离子注入系统，更具体涉及利用氧化碳气体和三氟化磷共伴气体进行碳注入。
技术介绍
在半导体器件的制造中，离子注入用于向半导体掺杂杂质。离子注入系统通常用于利用来自离子束的离子掺杂工件，诸如半导体晶片，以便产生n型或p型材料掺杂，或者在制造集成电路期间形成钝化层。这种射束处理通常用于以预定的能量水平和控制浓度选择性向晶片注入特定掺杂材料的杂质，以在制造集成电路期间产生半导体材料。当用于掺杂半导体晶片时，离子注入系统将选定的离子粒种注入工件以产生所需的非本征材料。典型的离子注入机包括离子源、离子引出装置、质量分析装置、射束传输装置和晶片处理装置。离子源生成所需的原子或分子掺杂粒种的离子。通过引出系统从源引出这些离子，该引出系统通常是一组电极，激励并引导来自源的离子流，形成离子束。在质量分析装置中从离子束分离出所需的离子，通常是磁偶极执行质量分散或分离引出的离子束。射束传输装置通常是包含一系列聚焦装置的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种将碳注入衬底的方法，所述方法包括：在离子源腔室中将氧化碳气源和包含三氟化磷的共伴气体离子化，以产生碳离子和氧化磷；以及将碳离子注入基板中。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.11.24 US 62/426,2491.一种将碳注入衬底的方法，所述方法包括：在离子源腔室中将氧化碳气源和包含三氟化磷的共伴气体离子化，以产生碳离子和氧化磷；以及将碳离子注入基板中。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述氧化碳气源包括二氧化三碳、一氧化碳、二氧化碳、含碳气体和氧气混合物或其组合。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述离子源腔室包括由镧钨形成或涂有镧钨的一个或多个组件。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述一个或多个组件选自下组：阴极、阴极护罩、推斥极、内衬、弧隙、源室壁、内衬、孔板、引出电极和电弧腔室主体。5.根据权利要求1所述的方法，其中，三氟化磷与氧化碳气体的比例使得氧化磷的形成约为零。6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述氧化碳气体是一氧化碳并根据反应图式I与三氟化磷反应，括号中表示相应的原子质量单位：I.CO+PF3→C(12)+O(16)+F(19)+CO(28)+P(31)+CF(31)+PF(50)。7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述氧化碳气体是二氧化碳并根据反应图式II与三氟化磷反应，括号中表示相应的原子质量单位：II.CO2+PF3→C(12)+O(16)+F(19)+CO(28)+P(31)+CF(31)+PF(50)。8.根据权利要求3所述的方法，其中，所述氧化碳气体是一氧化碳并根据反应图式III与三氟化磷反应，括号中表示相应的原子质量单位：III.19CO+7PF3+LaW→17C++O+20F+2CO+P+PO+2La2O3+3W+WO3+P4O6。9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述镧钨包含1wt.％至3wt.％的镧量。10.一种将碳离子注入工件...

【专利技术属性】
技术研发人员：尼尔·科尔文，哲简·谢，
申请(专利权)人：艾克塞利斯科技公司，
类型：发明
国别省市：美国,US