显示基板及其制作方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种显示基板及其制作方法、显示装置，属于显示技术领域。其中，显示基板，包括显示区域和GOA区域，所述GOA区域的薄膜晶体管的有源层至少包括层叠设置的第二氧化物半导体层和第一氧化物半导体层，所述第一氧化物半导体层位于所述第二氧化物半导体层和所述OLED显示基板的衬底基板之间，所述第一氧化物半导体层的迁移率小于所述第二氧化物半导体层的迁移率。通过本发明专利技术的技术方案，能够实现显示产品的窄边框。

Display Substrate and Its Fabrication Method and Display Device

【技术实现步骤摘要】
显示基板及其制作方法、显示装置
本专利技术涉及显示
，特别是指一种显示基板及其制作方法、显示装置。
技术介绍
显示技术正朝着更高分辨率和更窄边框发展，实现OLED显示产品的窄边框，是目前OLED显示产品开发中的重要方向。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种显示基板及其制作方法、显示装置，能够实现显示产品的窄边框。为解决上述技术问题，本专利技术的实施例提供技术方案如下：一方面，提供一种显示基板，包括显示区域和GOA区域，所述GOA区域的薄膜晶体管的有源层至少包括层叠设置的第二氧化物半导体层和第一氧化物半导体层，所述第一氧化物半导体层位于所述第二氧化物半导体层和所述显示基板的衬底基板之间，所述第一氧化物半导体层的迁移率小于所述第二氧化物半导体层的迁移率。进一步地，所述显示区域的薄膜晶体管的有源层采用所述第一氧化物半导体层。进一步地，所述第二氧化物半导体层迁移率在30cm2/(V·S)以上。进一步地，所述第二氧化物半导体层采用IGZYO或IGTO，其中，Y是Sn元素。进一步地，所述第二氧化物半导体层中，In含量是Ga含量的6倍，O含量为10％-35％。进一步地，所述第一氧化物半导体采用IGZO。进一步地，所述第一氧化物半导体的厚度为本专利技术实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的显示基板。本专利技术实施例还提供了一种显示基板的制作方法，所述显示基板包括显示区域和GOA区域，所述制作方法包括：在所述GOA区域依次形成第一氧化物半导体层和第二氧化物半导体层，对所述第二氧化物半导体层和第一氧化物半导体层进行构图形成薄膜晶体管的有源层，所述第一氧化物半导体层的迁移率小于所述第二氧化物半导体层的迁移率。进一步地，所述制作方法还包括：在所述显示区域利用所述第一氧化物半导体层形成薄膜晶体管的有源层。本专利技术的实施例具有以下有益效果：上述方案中，GOA区域的薄膜晶体管的有源层采用层叠设置的第二氧化物半导体层和第一氧化物半导体层，第一氧化物半导体层的迁移率小于第二氧化物半导体层的迁移率，这样第二氧化物半导体层可以采用迁移率高的氧化物半导体，比如IGZYO或IGTO，在GOA区域的薄膜晶体管的迁移率得到提升后，能够减少GOA区域的薄膜晶体管的宽度，从而将显示基板的边框做到更窄，实现显示基板的窄边框。附图说明图1为本专利技术实施例形成遮光层后的示意图；图2为本专利技术实施例形成缓冲层后的示意图；图3为本专利技术实施例形成第一氧化物半导体层后的示意图；图4为本专利技术实施例形成第二氧化物半导体层后的示意图；图5为本专利技术实施例形成栅绝缘层和栅金属层后的示意图；图6为本专利技术实施例形成栅绝缘层和栅金属层的图形后的示意图；图7为本专利技术实施例形成层间绝缘层后的示意图；图8为本专利技术实施例形成源漏金属层后的示意图；图9为本专利技术实施例形成钝化层后的示意图。附图标记1衬底基板2遮光层3缓冲层4第一氧化物半导体层5第二氧化物半导体层6栅绝缘层7栅金属层8钝化层9第一过孔10第二过孔11源漏金属层12钝化层具体实施方式为使本专利技术的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。现有技术中，为了提升GOA区域的薄膜晶体管的迁移率，GOA区域的薄膜晶体管的有源层采用双层IGZO，通过调整底层IGZO(即位于顶层IGZO和衬底基板之间的IGZO)中的氧含量来提升GOA区域的薄膜晶体管的迁移率，但这样一方面会影响薄膜晶体管的性能的稳定性，另一方面对迁移率的提升有限，仅能将薄膜晶体管的迁移率从10cm2/(V·S)左右提升到11-12cm2/(V·S)。为了解决上述问题，本专利技术的实施例提供一种显示基板及其制作方法、显示装置，能够实现显示产品的窄边框。本专利技术的实施例提供一种显示基板，包括显示区域和GOA区域，所述GOA区域的薄膜晶体管的有源层至少包括层叠设置的第二氧化物半导体层和第一氧化物半导体层，所述第一氧化物半导体层位于所述第二氧化物半导体层和所述显示基板的衬底基板之间，所述第一氧化物半导体层的迁移率小于所述第二氧化物半导体层的迁移率。本实施例中，GOA区域的薄膜晶体管的有源层采用层叠设置的第二氧化物半导体层和第一氧化物半导体层，第一氧化物半导体层的迁移率小于第二氧化物半导体层的迁移率，这样第二氧化物半导体层可以采用迁移率高的氧化物半导体，比如IGZYO或IGTO，在GOA区域的薄膜晶体管的迁移率得到提升后，能够减少GOA区域的薄膜晶体管的宽度，从而将显示基板的边框做到更窄，实现显示基板的窄边框。本实施例的显示基板中，薄膜晶体管可以为顶栅型薄膜晶体管，也可以为底栅型薄膜晶体管。本实施例中，显示基板包括显示区域和GOA区域，显示区域用以进行显示，GOA区域位于显示区域的周边。GOA区域的薄膜晶体管的有源层可以包括两层以上的氧化物半导体层，也可以仅包括两层氧化物半导体层。为了简化薄膜晶体管的有源层的结构，简化薄膜晶体管的制程，进而降低显示基板的制作成本，GOA区域的薄膜晶体管的有源层优选采用两层氧化物半导体层层叠组成。进一步地，所述显示区域的薄膜晶体管的有源层采用所述第一氧化物半导体层。由于显示区域不需要缩小薄膜晶体管的宽度，因此，显示区域薄膜晶体管的有源层仍可以采用稳定性较好的第一氧化物半导体层，比如IGZO。优选地，所述第二氧化物半导体层迁移率在30cm2/(V·S)以上，这样可以使得GOA区域的薄膜晶体管拥有较高的迁移率。具体地，所述第二氧化物半导体层可以采用IGZYO或IGTO，其中，Y是Sn元素。所述第二氧化物半导体层中，特点是In含量比例较高，一般而言，In含量是Ga含量的6倍，可以使得第二氧化物半导体层的迁移率在30cm2/(V·S)以上；另外，为了保证迁移率，所述第二氧化物半导体层中，O含量优选为10％-35％，比如可以为10％，15％，20％，25％，但应尽量小于30％，因为O含量越大，第二氧化物半导体层的迁移率越低。具体地，所述第一氧化物半导体可以采用IGZO，IGZO具有良好的稳定性，所述第一氧化物半导体的厚度可以为从而既可以实现GOA区域的薄膜晶体管的迁移率的提升，又能保证GOA区域的薄膜晶体管性能的稳定性。一具体示例中，GOA区域的薄膜晶体管的有源层采用层叠设置的IGTO和IGZO，通过对IGTO和IGZO的厚度进行设计，可以使得GOA区域的薄膜晶体管的阈值电压Vth达到1.28V，亚阈值摆幅SS达到0.29，Ion＝5.6mA，Ioff＝2.8*E-12，Ion/Ioff＝2*E9，采用饱和迁移率计算，可以得到GOA区域的薄膜晶体管的迁移率达到了30.2cm2/(V·S)，并且相比采用双层IGZO作为有源层，薄膜晶体管的漏电流明显降低，开关态电流比明显降低，稳定性更好。另一具体示例中，GOA区域的薄膜晶体管的有源层采用层叠设置的IGZYO和IGZO，通过对IGZYO和IGZO的厚度进行设计，可以使得GOA区域的薄膜晶体管的阈值电压Vth达到1.1V，SS达到0.31，Ion＝1.1mA，Ioff＝6.3*E-12，Ion/Ioff＝7.1*E8，采用饱和迁移率计算，可以得到GOA区域的薄膜晶体管的迁移率达到了20.5cm2/(V·S)，并且相比采用双层IGZO作为有源层，薄膜晶体管的漏电流明显降低，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示基板，包括显示区域和GOA区域，其特征在于，所述GOA区域的薄膜晶体管的有源层至少包括层叠设置的第二氧化物半导体层和第一氧化物半导体层，所述第一氧化物半导体层位于所述第二氧化物半导体层和所述显示基板的衬底基板之间，所述第一氧化物半导体层的迁移率小于所述第二氧化物半导体层的迁移率。

【技术特征摘要】
1.一种显示基板，包括显示区域和GOA区域，其特征在于，所述GOA区域的薄膜晶体管的有源层至少包括层叠设置的第二氧化物半导体层和第一氧化物半导体层，所述第一氧化物半导体层位于所述第二氧化物半导体层和所述显示基板的衬底基板之间，所述第一氧化物半导体层的迁移率小于所述第二氧化物半导体层的迁移率。2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示区域的薄膜晶体管的有源层采用所述第一氧化物半导体层。3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第二氧化物半导体层迁移率在30cm2/(V·S)以上。4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第二氧化物半导体层采用IGZYO或IGTO，其中，Y是Sn元素。5.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述第二氧化物半导体层中，In含量是Ga含...

【专利技术属性】
技术研发人员：张文林，杨维，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11