【技术实现步骤摘要】
存储设备、非易失性存储设备以及存储设备的操作方法相关申请的交叉引用本申请要求于2018年1月4日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0001239的优先权，其公开内容通过引用整体并入本文。
本公开的实施例涉及半导体存储器，并且更具体地，涉及包括非易失性存储设备的存储设备、非易失性存储设备和该存储设备的操作方法。
技术介绍
非易失性存储设备包括即使在断电时也保持存储在其中的数据的存储单元。非易失性存储设备可以包括闪存设备、相变存储设备、铁电存储设备、磁存储设备、电阻存储设备等。如果在存储单元中或在存储单元的周围材料中发生缺陷，则对存储单元的访问可能失败。如果对存储单元的访问失败，则可以将包括其中访问失败的存储单元的存储空间设置为坏区(badarea)。对被设置为坏区的存储空间的访问是禁止的，从而导致非易失性存储设备或存储设备的存储容量减小。
技术实现思路
本公开的实施例提供了一种包括降低由于设置坏区而导致的存储容量减小的非易失性存储设备的存储设备、非易失性存储设备和该存储设备的操作方法。根据示例性实施例，存储设备包括：包括存储单元和参考存储单元的非易...
【技术保护点】
1.一种存储设备，包括：包括存储单元和参考存储单元的非易失性存储设备；以及控制器，其：访问所述存储单元中的第一存储单元，当对所述第一存储单元的访问失败时，读取所述参考存储单元中的与所述第一存储单元相关联的第一参考存储单元，根据所述第一参考存储单元的读取结果，确定从所述存储单元中的坏区，以及从所述存储单元中识别属于所述坏区的第二存储单元作为坏存储单元。
【技术特征摘要】
2018.01.04 KR 10-2018-00012391.一种存储设备，包括：包括存储单元和参考存储单元的非易失性存储设备；以及控制器，其：访问所述存储单元中的第一存储单元，当对所述第一存储单元的访问失败时，读取所述参考存储单元中的与所述第一存储单元相关联的第一参考存储单元，根据所述第一参考存储单元的读取结果，确定从所述存储单元中的坏区，以及从所述存储单元中识别属于所述坏区的第二存储单元作为坏存储单元。2.如权利要求1所述的存储设备，其中，所述控制器向所述非易失性存储设备发送：用于访问所述第一存储单元的第一命令，以及当所述非易失性存储设备向所述控制器通信访问失败时，用于读取所述第一参考存储单元的第二命令。3.如权利要求2所述的存储设备，其中，所述控制器：向所述非易失性存储设备发送用于读取所述参考存储单元中的第二参考存储单元的第三命令，以及取决于通过运行所述第二命令和所述第三命令获得的结果确定所述坏区。4.如权利要求1所述的存储设备，其中，所述第一存储单元和所述第一参考存储单元与相同的串选择线和相同的字线相关联。5.如权利要求1所述的存储设备，其中，所述第一存储单元和所述第一参考存储单元与相同的串选择线和相同的位线相关联。6.如权利要求1所述的存储设备，其中，当由于单独失败而导致对第一存储单元的访问失败时，所述控制器确定所述坏区不存在。7.如权利要求1所述的存储设备，其中：所述存储单元被连接到子字线，并且所述子字线的两个或更多个子字线被分组并被连接到字线中的每一个，以及当由于连接到特定字线的少数子字线的失败而导致对所述第一存储单元的访问失败时，所述控制器将所述少数子字线识别为所述坏区。8.如权利要求1所述的存储设备，其中：所述存储单元被连接到子字线，并且所述子字线的两个或更多个子字线被分组并被连接到字线中的每一个，以及当由于连接到特定字线的多数子字线的失败而导致对所述第一存储单元的访问失败时，所述控制器将所述特定字线识别为所述坏区。9.如权利要求1所述的存储设备，其中：所述非易失性存储设备包括以行和列的形式布置在衬底上的单元串,所述单元串包括所述存储单元，所述单元串的所述存储单元沿垂直于所述衬底的方向堆叠，以及当由于特定行的失败而导致对所述第一存储单元的访问失败时，所述控制器将所述单元串中的所述特定行的单元串识别为所述坏区。10.如权利要求1所述的存储设备，其中：所述非易失性存储设备包括存储块，...
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