【技术实现步骤摘要】
用于硅光子应用的应力隔离
实施例总体上涉及硅光子集成电路(Si-PIC)和包括一个或多个Si-PIC的半导体封装(Si-PIC封装)。更具体而言，实施例涉及最小化或消除Si-PIC和Si-PIC封装中的应力的技术。
技术介绍
与包括电子集成电路(电子IC管芯)的电子器件相比，包括一个或多个Si-PIC的电子系统可以在较长距离上表现出相对较高的带宽数据传输速率，并具有相对较少的铜互连。这是因为数据从电信号转换为光信号，然后通过波导和光纤进行传输。Si-PIC是可以用于电子系统(例如，交换机或服务器)的半导体管芯的示例。Si-PIC能够传送和接收光信号(例如，光脉冲等)，其可用于传送数据(例如，大批数据等)。通常，使用绝缘体上硅(SOI)技术形成Si-PIC。SOI技术需要使用分层的硅-绝缘体-硅衬底。更具体而言，该分层衬底包括由硅(Si)形成的第一层，由设置在第一层上的绝缘材料形成的第二层，以及由设置在第二层上的Si形成的第三层。第一层和第三层中的硅可以具有彼此不同的性质或特性。第二层可以是掩埋氧化物层。绝缘体材料可以由硅石(即，二氧化硅)和/或任何其他适当的绝缘体...
【技术保护点】
1.一种半导体封装，包括：硅光子集成电路(Si‑PIC)；以及封装衬底，包括多个空腔、台状物和一个或多个暴露的顶表面，其中，所述Si‑PIC位于所述台状物上并经由一个或多个互连结构耦合到所述台状物。
【技术特征摘要】
2017.12.30 US 15/859,3311.一种半导体封装，包括：硅光子集成电路(Si-PIC)；以及封装衬底，包括多个空腔、台状物和一个或多个暴露的顶表面，其中，所述Si-PIC位于所述台状物上并经由一个或多个互连结构耦合到所述台状物。2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述一个或多个互连结构包括凸块、微凸块、柱、底部填充组分、环氧树脂及其组合中的一种或多种。3.根据权利要求1-2中任一项所述的半导体封装，其中，所述封装衬底还包括形成在所述衬底的所述一个或多个暴露的顶表面上的一个或多个电子部件。4.根据权利要求1-2中任一项所述的半导体封装，其中，所述Si-PIC包括以下中的一个或多个：一个或多个光子器件；以及一个或多个电子器件。5.一种半导体封装，包括：硅光子集成电路(Si-PIC)；以及封装衬底，包括多个空腔、台状物和暴露的顶表面，其中，所述Si-PIC位于所述台状物上，其中，电部件位于所述暴露的顶表面上，并且其中，所述Si-PIC和所述电部件经由一个或多个互连结构耦合到所述封装衬底。6.根据权利要求5所述的半导体封装，其中，所述一个或多个互连结构包括凸块、微凸块、柱、底部填充组分、环氧树脂及其组合中的一种或多种。7.根据权利要求5-6中任一项所述的半导体封装，其中，所述封装衬底还包括第二暴露的顶表面，其中，第二电子部件位于所述第二暴露的顶表面上并经由所述一个或多个互连结构耦合到所述封装衬底。8.根据权利要求5-6中任一项所述的半导体封装，其中，所述Si-PIC包括以下中的一个或多个：一个或多个光子器件；以及一个或多个电子器件。9.一种硅光子集成电路(Si-PIC)，包括：一个或多个暴露的顶表面；多个空腔；以及台状物，其中，所述台状物包括形成在其上的一个或多个互连结构。10.根据权利要求9所述的Si-PIC，其中，所述多个空腔和所述台状物形成在所述Si-PIC的有源硅层中或上。11.根据权利要求9-10中任一项所述的Si-PIC，其中，所述一个或多个互连结构包括凸块、微凸块、柱、底部填充组分、环氧树脂及其组合中的一种或多种。12.根据权利要求9-10中任一项所述的Si-PIC，其中，封装衬底耦合到所述一个或多个互连结构。13.根据权利要求9-10中任一项所述的Si-PIC，其中，所述Si-PIC还包括以下中的一个或多个：形成在所述一个或多个暴露的顶表面上的一个或多个光子器件；以及一个或多个电子器件。14.一种硅光子集成电路(Si-PIC)，包括：多个空腔；...
【专利技术属性】
技术研发人员：S·库马尔，S·M·利夫，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国,US
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