高阻尼RC格构梁和具有高阻尼RC格构梁的底部结构制造技术

本发明专利技术具体涉及一种可极大地抑制振动传递的钢筋混凝土格构梁。由于该钢筋混凝土格构梁中包含的混凝土为含有聚合物的聚合物混凝土，因此可有效抑制能另外影响曝光装置的精细级振动，而传统的格构梁的深度可保持不变。因此，提供了一种高阻尼钢筋混凝土格构梁，通过降低缺陷率并提高生产力，使精密曝光装置的性能得以最大化。

Bottom Structures of High Damping RC Lattice Beams and High Damping RC Lattice Beams

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】高阻尼RC格构梁和具有高阻尼RC格构梁的底部结构
本专利技术涉及一种使用高阻尼混凝土的钢筋混凝土(RC)格构梁。
技术介绍
近来，在半导体行业，半导体存储设备朝着更高集成度和更高精度的方向快速发展，因此，与空气清洁度和微振控制相关的技术的重要性也被强调。曝光装置是高科技半导体工艺的重要部件，特别地，它是用于通过将射线照射到圆形半导体板上的方式来绘制电路图案的装置，该圆形半导体板被称为晶圆。半导体曝光过程需要使射线穿过在其中提供电路图案的掩膜(mask)，这样射线将电路图案绘制到其上附有感光液薄膜的晶圆的表面上。由于射线在将掩膜放置到晶圆上后被照射出，因此穿过电路图案的射线将电路图案转录到晶圆上。这里，曝光过程是通过被称为步进式曝光机(stepper)的曝光装置来执行的。当掩膜被放置到该步进式曝光机上并且光线通过时，在涂有感光液的晶圆上形成电子电路的精细级(finescale)制图。为了以更为精细的等级形成电路图案，需要提高曝光装置的分辨率，也称为分辨能力。分辨能力或分辨率是指将两个相邻的物体识别为彼此分离的能力。它主要用于表示光学设备的性能，并且在用于在晶圆上刻电路图案的曝光装置的环境中，该能力评估“能以何种精细等级形成电路图案”。试图绘制超出分辨率限制的精细图案，会因射线的衍射及产生的散射而产生干扰，致使在晶圆上将形成与原始掩膜图案不同的失真图案。具有失真图案的芯片将不能正常工作。到目前为止，半导体曝光装置通过使用具有较高数值的孔径(NA)的透镜或使用较短频率的光源来提高分辨率。直到130nm的半导体，使用了具有248纳米(nm)波长的氟化氪(KrF)准分子激光器，以及，从90nm级起，利用了具有193nm波长的氟化氩(ArF)准分子激光器。伴随这些进程，用于减少因射线衍射和散射造成的干扰的各种分辨率提高技术被引入。这些技术的一些示例包括相移掩膜(PSM)和光学邻近校正(OPC)掩膜，该相移掩膜调整射线的强度和相位以消除衍射光，该光学邻近校正掩膜人为地调整在其位置处预期发生失真的图案，从而获得正确的图案。目前被应用在最新的半导体生产线上的ArF曝光装置利用湿浸式(immersion)技术，该湿浸式技术通过使用具有高于空气折射率的折射率(1.44)的液体介质来提高分辨率。然而，如果栅极线宽度减小到30nm或更低，用于实现电路图案的湿浸式ArF曝光装置的物理能力也达到了其极限。作为一种新的替代物而获得关注的是极紫外(EUV)射线，这是一种在介于紫外(UV)线和X射线之间的中程内的电磁波。意图用于半导体工艺的EUV射线被设计为具有13.5nm波长。通过利用具有短波长的EUV射线，使得通过单次曝光而不是通过多重曝光(multi-patterning)来生产低于10nm的半导体成为可能。目前，唯一开发EUV设备的制造商是荷兰的ASML公司，该公司在半导体曝光市场中排名第一。韩国公司也已经开始采用使用这种EUV射线的曝光装置，并且在使用EUV曝光装置时，仅需要执行一次图案化操作，这与使用ArF的现有装置需要多重曝光操作不同，从而大大降低了图案化成本。当使用15mJ剂量的感光液(其中，毫焦耳剂量是表示光敏反应需要多少辐射量的单位，其中，该值越高表示需要越多的辐射量)时，通过EUV射线进行图案化的成本小于300％(对于湿浸式ArF，其成本视为100％)。然而，在过去，由于现有的氟化氩(ArF)曝光装置中的ArF的波长为193nm，因此，用于半导体工厂的格构梁被设计为提供亚微米级的微振控制，最新的利用EUV射线的曝光装置的引入意味着小于10纳米的逻辑芯片可以被生产，由此，目前存在对几纳米级的振动控制的需求。与半导体工厂中的微振控制相关的技术主要可分为关于如下几项的方法：低振动建筑结构的设计、半导体制造设备的布置和分离、振动源的振动防护、对振动敏感的机器的振动控制等。此外，对振动影响的整体评价必须从最初设计阶段进行到生产原型的最后阶段。与半导体工厂中的振动控制密切相关的独特结构是格构梁，它用于空气净化。在此格构梁结构上，安装独立振动控制台，并在该独立振动控制台上放置精密半导体生产设施。一般来说，针对通路地板(accessfloor)和振动控制台的不同频率，还在三个维度上提供了关于半导体工厂中允许的振动水平的规定，该振动控制台是其上安装有高精密曝光装置(例如，步进式曝光机、对准器等)的独立的隔离基座(isolatedfoundation)。当设计传统的格构梁时，结构的阻尼比被固定为一预先确定的、适合于该结构的特性的值，而刚度和质量则被设置为变量。换句话说，为了有效地控制格构梁的动态响应，格构梁结构的刚度需要被提高以减少振动位移，并且格构梁的固有频率必须被设计为高于外部振动源的频率。由于满足这些要求需要高刚度，所以大尺寸是不可避免的。在这样的情况下，为了使振动控制性能的水平达到上文所述的为了引入最新的曝光装置所需的几纳米级，需要增加格构梁的深度。也就是说，该深度需要按照至少两倍于当前格构梁的深度增加。然而，增加格构梁的深度会影响建筑的高度，并由于设施尺寸增加、固化时间增加、移除混凝土模具的难度增加、起重和运输设备的尺寸增加等问题将降低可制造性。此外，起重重量的限制使结构需要被划分成更小的模块，导致增加起重步骤的次数，并降低和易性(workability)。特别的，虽然预计韩国将成为最新的EUV曝光装置的最大使用者，但在半导体设施工厂不可避免地面临建设方面的问题，除非实现超细振动控制的技术问题被解决。因此，即使最新的曝光装置的引入将使得能够生产几纳米级的超精密的高集成半导体，并且与现有的装置相比，能够使生产力有两倍的提高，使其在全球半导体市场中处于相当大的竞争优势的位置，然而，目前缺乏对可以实现纳米级的振动抑制的格构梁技术的研究，这形成一种技术上的障碍。因此，迫切需要能够克服这一障碍并实现超细微振抑制的格构梁技术。[相关技术文档]韩国专利号10-0392188(2003年7月8日注册)
技术实现思路
技术问题因此，为了解决相关技术中发现的问题，本专利技术的目的是提供一种钢筋混凝土格构梁，该钢筋混凝土格构梁能够在保持传统格构梁的尺寸的同时抑制超细振动，从而有效地控制到达曝光装置的精细级振动。技术方案为了实现上述目的，根据本专利技术的一个方面，提供了一种高阻尼钢筋混凝土格构梁，用于形成半导体工厂的地板的板坯(slab)，其中，包括在该格构梁中的混凝土被设计为具有大于15％的阻尼比。优选地，包括在该格构梁中的混凝土为聚合物混凝土，该聚合物混凝土包含混合在其中的聚合物。此处，优选地，该聚合物混凝土为以下之一：具有在混凝土组分混合过程期间被额外混合的水溶性的或分散的聚合物的混凝土；具有混入其中作为唯一的粘结剂的聚合物的混凝土；或者，通过借由加压、减压或重力辅助的渗透方法，浸渍硬化的混凝土中的孔隙的方式制造的混凝土。根据本专利技术的实施例的具有高阻尼钢筋混凝土格构梁的底部结构包括：安装在半导体工厂内的柱体(stud)，其中，该柱体是沿纵向和横向方向按照预定间隔安装的垂直柱；单向梁，放置并附着到两个相邻的柱体的上部，以横跨(traverse)并连接该两个相邻的柱体的上部；以及格构梁，具有矩形形状，并且被安装以填充在由单向梁包围的矩形水平区域中，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高阻尼钢筋混凝土格构梁，用于形成半导体工厂的地板的板坯，其中，包括在所述格构梁中的混凝土被设计为具有大于15％的阻尼比。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.10.30 KR 10-2017-01426041.一种高阻尼钢筋混凝土格构梁，用于形成半导体工厂的地板的板坯，其中，包括在所述格构梁中的混凝土被设计为具有大于15％的阻尼比。2.根据权利要求1所述的高阻尼钢筋混凝土格构梁，其中，包括在所述格构梁中的所述混凝土为聚合物混凝土，在该聚合物混凝土中混合有聚合物。3.根据权利要求2所述的高阻尼钢筋混凝土格构梁，其中，所述聚合物混凝土为以下之一：具有在混凝土组分混合过程期间被额外混合的水溶性的或分散的聚合物的混凝土；具有混入其中作为唯一的粘结剂的聚合物的混凝土；或者，通过借由加压、减压或重力辅助的渗透方法，使用聚合物浸渍硬化的混凝土中的孔隙的方式制造的混凝土。4.一种具有高阻尼钢筋混凝土格构梁的底部结构，所述底部结构包括：安装在半导体工厂内的柱体，所述柱体为沿纵向和横向方向按照预定间隔安装的垂直柱；单向梁，放置并附着到两个相邻的柱体的上部，以横跨并连接所述两个相邻的柱体的上部；以及，矩形形状的格构梁，该格构梁被安装以填充在由单向梁包围的矩形水平区域中，其中所述格构梁含有聚合物混凝土，该聚合物混凝土具有添加到其中的聚合物。5.一种具有高阻尼钢筋混凝土格构梁的底部结构，所述底部结构包括：安装在半导体工厂内的柱体，所述柱体为沿纵向和横向方向按照预定间隔安装的垂直柱；以及，具有矩形形状的格构梁，该格构梁被制造为具有沿着纵向和横向方向形成的通孔，以形成晶格网格，所述通孔穿透所述格构梁的上表面和下表面，所述格构梁安装在四个柱体的上部，以使所述矩形形状的四个角在所述下表面被所述柱体支撑，其中所述格构梁含有聚合物混凝土，该聚合物混凝土具有添加到其中的聚合物。6.根据权利要求4或5所述的具有...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴赞圭，安相庆，金容九，卢弦燮，李恩石，柳莹奇，田炳甲，郑在恩，
申请(专利权)人：三星物产株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR