基于压接式IEGT的分体式紧凑型三电平逆变单元结构制造技术

技术编号:21576232 阅读:40 留言:0更新日期:2019-07-10 16:41
本发明专利技术涉及基于压接式IEGT的分体式紧凑型三电平逆变单元结构,包括功率部分、电容部分、分水器装置,功率部分设置在电容部分的前部,且相互隔开;功率部分与电容部分均通过简易定位装置定位安装在单元滑轨上;功率部分包括阀串单元、控制单元,阀串单元采用紧凑型压接式IEGT三电平阀串结构,控制单元与阀串单元相互隔开,实现电磁与空间上的双层隔离;控制单元包括驱动板卡、挡水隔板、控制盒,驱动板卡安装位置同时安装有分水器装置及挡水隔板。优点是:总体采用分体结构,分为电容部分和功率部分,两部分可以拼装,拆分,并且可以分别抽出单元滑轨,方便维护,且只需要准备相对易于损坏的功率部分作为逆变单元备件。

A Compact Three-Level Inverter Unit Structure Based on Pressed IEGT

【技术实现步骤摘要】
基于压接式IEGT的分体式紧凑型三电平逆变单元结构
本专利技术涉及一种逆变单元结构,尤其涉及一种基于压接式IEGT的分体式紧凑型三电平逆变单元结构。
技术介绍
逆变单元作为变频器的核心设备,其应用技术的优劣直接影响整个变频器装置的稳定性,功率密度和环境适应性。目前市场上主流的逆变单元采用两电平拓扑,核心的功率器件采用模块IGBT,由于模块IGBT采用单面散热、发生短路损坏严重,且两电平功率单元的器件需要承受所有的母线电压,因而采用两电平模块IGBT的逆变单元无法满足高功率密度,整体鲁棒性要求高的应用场所。目前国内外变频器市场上也陆续推出了一些三电平压接式IEGT逆变单元,但由于需综合考虑逆变单元的电气特性,散热特性以及结构适应性等,导致现有的逆变单元尺寸普遍偏大,无法满足对功率密度要求极高、电气鲁棒性良好、结构稳定性高、维护空间狭小且易于维护的设备的设计要求。
技术实现思路
为克服现有技术的不足,本专利技术的目的是提供一种基于压接式IEGT的分体式紧凑型三电平逆变单元结构,缩小逆变单元的整体尺寸,提高逆变单元的功率密度,阀串单元采用压接式IEGT结构,控制单元与阀串单元进行电磁隔离,且与本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.基于压接式IEGT的分体式紧凑型三电平逆变单元结构,其特征在于,包括功率部分、电容部分、分水器装置,功率部分设置在电容部分的前部,且相互隔开;功率部分与电容部分均通过简易定位装置定位安装在单元滑轨上;功率部分包括阀串单元、控制单元,阀串单元采用紧凑型压接式IEGT三电平阀串结构,控制单元与阀串单元相互隔开,实现电磁与空间上的双层隔离;控制单元包括驱动板卡、挡水隔板、控制盒,驱动板卡安装位置同时安装有分水器装置及挡水隔板,控制盒安装在控制单元前部。

【技术特征摘要】
1.基于压接式IEGT的分体式紧凑型三电平逆变单元结构,其特征在于,包括功率部分、电容部分、分水器装置,功率部分设置在电容部分的前部,且相互隔开;功率部分与电容部分均通过简易定位装置定位安装在单元滑轨上;功率部分包括阀串单元、控制单元,阀串单元采用紧凑型压接式IEGT三电平阀串结构,控制单元与阀串单元相互隔开,实现电磁与空间上的双层隔离;控制单元包括驱动板卡、挡水隔板、控制盒,驱动板卡安装位置同时安装有分水器装置及挡水隔板,控制盒安装在控制单元前部。2.根据权利要求1所述的基于压接式IEGT的分体式紧凑型三电平逆变单元结构,其特征在于,所述的电容部分采用功率电容器,包括电容连接排、电容框架、电容器,电容器安装在电容框架内,电容器经接线端子连接有外伸的电容连接排,电容框架底部的前后分别安装有简易定位装置。3.根据权利要求1所述的基于压接式IEGT的分体式紧凑型三电平逆变单元结构,其特征在于,所述的功率部分为空间分离结构,...

【专利技术属性】
技术研发人员:张欢张海涛王文龙刘海鑫王雯高玉瑞闫皓黄炎思鲁挺
申请(专利权)人:荣信汇科电气技术有限责任公司
类型:发明
国别省市:辽宁,21

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