应用LDO电路的芯片及电子设备制造技术

本发明专利技术提供了一种应用LDO电路的芯片及电子设备，涉及电路设计技术领域，该芯片中的LDO电路包括主电路、控制电路和电流采样电路；主电路包括电压输入端、电压输出端和场效应晶体管；电压输入端用于接收外部电路的外部输入电压；电压输出端用于为外部电路提供稳定的输出电压；场效应晶体管的漏极与电压输入端连接，场效应晶体管的源极与电压输出端连接；控制电路用于控制电压输出端的输出电压与预设参考电压的比值达到预设比值；电流采样电路用于检测通过场效应晶体管上的电流。这种的电路设计方式，可以使得加载到场效应晶体管的电压远小于或者尽可能等于预设参考电压，以实现场效应晶体管的管压降较低，进而提高LDO电路的效率。

Chips and Electronic Devices Using LDO Circuits

【技术实现步骤摘要】
应用LDO电路的芯片及电子设备
本专利技术涉及电路设计
，尤其是涉及一种应用LDO电路的芯片及电子设备。
技术介绍
目前，蓝牙协议通信系统对蓝牙电源效率的要求越来越高。为提高效率，应用该系统的芯片通常会集成升压-降压电路(LDO电路(LowDropoutRegulator，低压差线性稳压器)等)，以产生多个电压域。在采用LDO电路时，为了提高LDO的电源效率，需要尽可能的降低LDO的电压差(Dropout电压)。然而，在实现LDO电路的低电压差的过程中，LDO电路的电源抑制比、负载跳变瞬态响应和电源跳变瞬态响应等性能均难以达到正常需求。LDO效率的提高与LDO的其他性能稳定之间存在着一定的矛盾性，这就导致了LDO的电源效率无法得到很好的提高。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种应用LDO电路的芯片及电子设备，以缓解了传统芯片中的LDO电路的电源效率低的技术问题。第一方面，本专利技术实施例提供了一种应用LDO电路的芯片，该芯片中的LDO电路包括：主电路，以及与主电路连接的控制电路和电流采样电路；主电路包括电压输入端、电压输出端和场效应晶体管；电压输入端用于接收外部电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种应用LDO电路的芯片，其特征在于，所述芯片中的LDO电路包括：主电路，以及与所述主电路连接的控制电路和电流采样电路；所述主电路包括电压输入端、电压输出端和场效应晶体管；所述电压输入端用于接收外部电路的外部输入电压；所述电压输出端用于为所述外部电路提供稳定的输出电压；所述场效应晶体管的漏极与所述电压输入端连接，所述场效应晶体管的源极与所述电压输出端连接；所述控制电路用于控制所述电压输出端的输出电压与预设参考电压的比值达到预设比值；其中，所述控制电路的第一输入端与所述预设参考电压连接；所述控制电路的第一输出端与所述场效应晶体管的栅极连接；所述控制电路的第二输出端与所述场效应晶体管的源极连接...

【技术特征摘要】
1.一种应用LDO电路的芯片，其特征在于，所述芯片中的LDO电路包括：主电路，以及与所述主电路连接的控制电路和电流采样电路；所述主电路包括电压输入端、电压输出端和场效应晶体管；所述电压输入端用于接收外部电路的外部输入电压；所述电压输出端用于为所述外部电路提供稳定的输出电压；所述场效应晶体管的漏极与所述电压输入端连接，所述场效应晶体管的源极与所述电压输出端连接；所述控制电路用于控制所述电压输出端的输出电压与预设参考电压的比值达到预设比值；其中，所述控制电路的第一输入端与所述预设参考电压连接；所述控制电路的第一输出端与所述场效应晶体管的栅极连接；所述控制电路的第二输出端与所述场效应晶体管的源极连接；所述电流采样电路用于检测通过所述场效应晶体管上的电流；其中，所述电流采样电路的电流采样端与所述场效应晶体管的栅极连接；所述电流采样电路的第二输入端与外部供电电压、所述控制电路的第三输出端连接；所述电流采样电路的第三输入端与所述外部输入电压连接，所述电流采样电路的第四输出端与所述电压输出端连接。2.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述电流采样电路包括第二放大器、第二场效应管和差分子电路；所述第二场效应管用于采集所述场效应晶体管上的电流；所述第二放大器用于抑制所述第二场效应管所在通路上的漏电，以稳定所述第二场效应管的采集准确度；其中，所述第二场效应管的源极与所述第四输出端连接；所述第二场效应管的栅极与所述电流采样端连接；所述第二场效应管的漏极与所述第二放大器的反向输入端、所述差分子电路的第一差分输出端连接，所述第二放大器的同向输入端与所述第三输入端连接；所述第二放大器的输出端与所述差分子电路的第二差分输出端连接；所述差分子电路的差分输入端与所述第二输入端连接；所述差分子电路的第三差分输出端与所述电流采样电路预留的第六输出端连接；所述差分子电路的接地端接地。3.根据权利要求2所述的芯片，其特征在于，所述差分子电路包括第三场效应管、第四场效应管、第五场效应管、第六场效应管和第一电容；所述第三场效应管、第四场效应管、第五场效应管均为N沟道场效应管；第六场效应管均为P沟道场效应管；其中，所述第三场效应管的栅极、所述第三场效应管的漏极、所述第四场效应管的栅极均和所述第五场效应管的源极连接；所述第三场效应管的源极、所述第四场效应管的源极、所述第一电容的第一电容端均和所述差分输入端连接；所述第一电容的第二电容端、所述第五场效应管的栅极均和所述第二差分输出端连接；所述第五场效应管的漏极与所述第一差分输出端连接；所述第四场效应管的漏极、所述第六场效应管的漏极、所述第六场效应管的栅极与所述第三差分输出端连接；所述第六场效应管的源极与所述差分子电路的接地端连接。4.根据权利要求2所述的芯片，其特征在于，所述控制电路包括第一放大器、第一场效应管、第一电阻和第二电阻；所述第一放大器用于对所述预设参考电压进行放大后，输出对应所述预设参考电压的放大电压；所述第一场效应管用于稳定该放大电压，以保证该放大电压的电压裕度；其中，...

【专利技术属性】
技术研发人员：柯可人，李曙光，
申请(专利权)人：宁波琻捷电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33