抑制圆柱换能器低频轴向声辐射的结构制造技术

本发明专利技术提供了一种抑制圆柱换能器低频轴向声辐射的结构，包括金属上端盖，硬质去耦层，软质去耦层，压电陶瓷圆管，间隔去耦层，中轴支撑螺杆，金属下端盖，水密包覆层，输出电缆。金属上下端盖分别位于圆柱换能器两端，支撑圆柱换能器的端面；硬质去耦层和软质去耦层由外向内依次放置在金属盖板与陶瓷圆管接触面之间，用于消除振动的轴向传播，从而抑制低频时轴向声辐射；间隔去耦层位于多个压电陶瓷圆管之间，用于消除陶瓷管之间的相互影响；中轴支撑螺杆为双头螺纹中空螺杆，其与金属上下盖板用螺纹旋紧的方式紧固，以保证整体换能器的结构强度；水密包覆层包覆整个圆柱面，确保换能器的水下绝缘性能；电缆与金属下端盖通过橡胶硫化方式连接。

Structure for suppressing low-frequency axial acoustic radiation of cylindrical transducer

【技术实现步骤摘要】
抑制圆柱换能器低频轴向声辐射的结构
本专利技术涉及水声换能器设计领域，具体地，涉及抑制圆柱换能器低频轴向声辐射的结构，是水声对抗器材边发边收技术应用的重要部件。
技术介绍
在水声领域，圆柱换能器是较为常见的一种换能器类型，作为发射器具有功率容量大、电声效率高，结构简单的优点；作为水听器具有性能稳定、声压接收灵敏度高等优点，因此得到了广泛的应用，已成为许多声纳系统声基阵的基本基元。对于圆柱压电陶瓷水声换能器，在水平方向上声能分布比较均匀，为全方向性；但随陶瓷圆管的径高比不同，换能器的垂直方向声能变化较为复杂，对于圆柱换能器垂直方向性的计算已经较为成熟。通常圆柱换能器的研究方法是通过短圆柱的理论公式选择符合要求的陶瓷圆环进行设计制作，忽略结构上的去耦材料和盖板的影响，仅对压电陶瓷环进行模态和谐响应分析后，对圆柱换能器按技术指标要求进行设计。然而当换能器的垂直开角满足要求，需要在低频抑制轴向声辐射，即在低频需要满足较大的垂直波束径轴比时，要考虑无源材料的结构和尺寸对换能器的影响。
技术实现思路
针对现有技术中的缺陷，本专利技术的目的是提供一种抑制圆柱换能器低频轴向声辐射的结构。根据本专利技术提本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种抑制圆柱换能器低频轴向声辐射的结构，其特征在于，包括：金属上端盖(1)、硬质去耦层(2)、软质去耦层(3)、压电陶瓷圆管(4)、间隔去耦层(5)、中轴支撑螺杆(6)、金属下端盖(7)、水密包覆层(8)、输出电缆(9)；金属上端盖(1)、金属下端盖(7)之间连接有水密包覆层(8)；压电陶瓷圆管(4)位于水密包覆层(8)内部；在轴向上，金属上端盖(1)与相邻的压电陶瓷圆管(4)之间，金属下端盖(7)与相邻的压电陶瓷圆管(4)之间，均由外向内依次放置有硬质去耦层(2)、软质去耦层(3)，以消除振动的轴向传播，抑制低频时轴向声辐射；所述间隔去耦层(5)位于多个压电陶瓷圆管(4)之间，以消除压电...

【技术特征摘要】
1.一种抑制圆柱换能器低频轴向声辐射的结构，其特征在于，包括：金属上端盖(1)、硬质去耦层(2)、软质去耦层(3)、压电陶瓷圆管(4)、间隔去耦层(5)、中轴支撑螺杆(6)、金属下端盖(7)、水密包覆层(8)、输出电缆(9)；金属上端盖(1)、金属下端盖(7)之间连接有水密包覆层(8)；压电陶瓷圆管(4)位于水密包覆层(8)内部；在轴向上，金属上端盖(1)与相邻的压电陶瓷圆管(4)之间，金属下端盖(7)与相邻的压电陶瓷圆管(4)之间，均由外向内依次放置有硬质去耦层(2)、软质去耦层(3)，以消除振动的轴向传播，抑制低频时轴向声辐射；所述间隔去耦层(5)位于多个压电陶瓷圆管(4)之间，以消除压电陶瓷圆管之间的相互影响；所述中轴支撑螺杆(6)为双头螺纹中空螺杆，与金属上端盖(1)、金属下端盖(7)分别用螺纹旋紧的方式紧固；所述输出电缆(9)与金属下端盖(7)连接。2.根据权利要求1所述的抑制圆柱换能器低频轴向声辐射的结构，其特征在于，两至四个相同直径的压电陶瓷圆...

【专利技术属性】
技术研发人员：王敏慧，胡健辉，张睿，陈庆瑞，刘佳，
申请(专利权)人：中国船舶重工集团公司第七二六研究所，
类型：发明
国别省市：上海,31