可饱和吸收体制备方法、可饱和吸收体及锁模激光器技术

本申请公开一种可饱和吸收体制备方法、可饱和吸收体及锁模激光器。其中，可饱和吸收体制备方法包括：通过磁控溅射法在石英衬底上沉积铂元素薄膜；将所述铂元素薄膜放置于管式炉中进行热处理以获取二硒化铂薄膜，其中，所述热处理中，管式炉上游低温区放置高纯硒粉；以及通过所述二硒化铂薄膜制备可饱和吸收体。本申请公开的可饱和吸收体制备方法，具有制备方法简单，可实现工业化生产的优点。

Fabrication of Saturable Absorber, Saturable Absorber and Mode-locked Laser

【技术实现步骤摘要】
可饱和吸收体制备方法、可饱和吸收体及锁模激光器
本专利技术涉及被动锁模激光器
，具体而言，涉及一种可饱和吸收体制备方法、可饱和吸收体及锁模激光器。
技术介绍
超短脉冲(皮秒及飞秒量级)激光相对于传统的长脉冲(微秒及纳秒量级)的激光，在使用过程中对加工材料周围基本不会造成任何的热损伤，是一种超精密无损加工工具，因此超短脉冲激光在精密加工、手术医疗、科研等领域具有重要的研究和应用价值。被动锁模是一种可用于产生超短脉冲激光的方法，其基本原理是在光路中加入饱和吸收体，光源通过饱和吸收体之后，边翼部分的损耗大于中央部分，导致光脉冲变窄，从而产生超短脉冲激光。由此可见，可饱和吸收体是超短脉冲激光最重要的零部件。目前，锁模激光器中使用较多的仍是半导体可饱和吸收镜(SESAM)，但是SESAM还是存在很多几乎不可克服的问题，如在制备方法上，SESAM通常是采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)或分子束外延(MBE)法制备，不仅制作工艺复杂成本昂贵，而且必须基于昂贵的超净室制造系统，同时，性能上还存在工作波长范围窄(<100nm)、恢复时间长、调制深度难以调控、光损伤阈值低等诸多问题。因此本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种可饱和吸收体制备方法，其特征在于，包括：通过磁控溅射法在石英衬底上沉积铂元素薄膜；将所述铂元素薄膜放置于管式炉中进行热处理以获取二硒化铂薄膜，其中，在热处理中，管式炉上游低温区放置高纯硒粉；以及通过所述二硒化铂薄膜制备可饱和吸收体。

【技术特征摘要】
1.一种可饱和吸收体制备方法，其特征在于，包括：通过磁控溅射法在石英衬底上沉积铂元素薄膜；将所述铂元素薄膜放置于管式炉中进行热处理以获取二硒化铂薄膜，其中，在热处理中，管式炉上游低温区放置高纯硒粉；以及通过所述二硒化铂薄膜制备可饱和吸收体。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，通过磁控溅射法在石英衬底上沉积厚度为10nm的均匀连续的铂元素薄膜。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述热处理中，上游低温区温度为220℃，中心温度为450℃；升温到450℃的时间为45分钟，保温时间为90分钟后自然冷却至室温。4.一种可饱和吸收体，其特征在于，所述可饱和吸收体为如权利要求1-3任一项方法制备的可饱和吸收体。5.一种锁模激光器，其特征在于，包括：泵浦光源；谐振腔；以及可饱和吸收体，所述可饱和吸收体的为如权利要求1-3任一项方法制备的可饱和吸收体。6.如权利要求5所述的锁模激光器，其特征在于，所述泵浦光源为808nm的半导体激光器。7.如权利要求5所述的锁模激光器，其特征在于，所述谐振腔...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾远康，陶丽丽，曾龙辉，龙慧，
申请(专利权)人：香港理工大学，
类型：发明
国别省市：中国香港,81