测试高压环境对标准单元库影响的方法技术

本发明专利技术提出了一种高压环境对标准单元库影响的测试方法，考虑到SOI低压与高压器件共存的工作环境，该方法通过测量被测单元的延迟和信号的波动，实现对高压环境下，单元工作情况的检测。通过设置高压器件与低压器件的多种距离，以及通过缓冲器设置高压器件的开启时刻，测试高压环境对测试单元的不同种类的影响。在测试芯片中添加选择器来减少PAD的个数，达到了减少芯片面积的目的。

Method of Testing the Impact of High Pressure Environment on Standard Cell Library

【技术实现步骤摘要】
测试高压环境对标准单元库影响的方法
本专利技术属于芯片设计领域，特别涉及利用高压环境对SOI标准单元库影响的测试方法。
技术介绍
随着集成电路的快速发展，传统的硅工艺在器件理论、器件结构以及制作工艺上出现了越来越多的问题：集成度的提高导致了功耗的迅速增加，栅氧化层变薄导致介质层容易被击穿，这些问题都严重制约着集成电路的发展。而SOI作为一种全介质隔离技术，有着传统体硅不可比拟的优点。由于它采用的是全介质隔离结构，SOI器件的抗辐射特性好，彻底消除了体硅CMOS电路的闩锁效应，并且SOI工艺比传统的体硅面积小。但是仅仅了解SOI器件如何进行设计、制造是不够的。对一般IC设计者，因缺乏设计平台与IP工具支持，让IC设计者即使想采用此工艺也无所适从。在SOI技术形成产业化需要与自动化平台相关的链接文件，而标准单元库是连接集成电路设计与制造工艺之间的桥梁。所以建立一套准确的标准单元库成为一项必要的工作。由于SOI工艺的特殊性，SOI的高压器件可以与普通器件生产在同一款芯片上，我们需要考虑高压环境对库单元的影响，本专利提出一种测试电路，该电路表征了高压环境下标准单元的工作情况。
技术实现思路
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【技术保护点】
1.一种测试高压环境对标准单元影响的方法。测试不同距离高压器件的开关对标准单元的影响，以及高压器件开启时刻对于测试单元的影响。

【技术特征摘要】
1.一种测试高压环境对标准单元影响的方法。测试不同距离高压器件的开关对标准单元的影响，以及高压器件开启时刻对于测试单元的影响。2.如权利要求1所述的测试高压器件开启时刻影响的测试电路，其特征在于通过逻辑电路的设...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈立，陆宇，周润宝，沈金龙，程玉华，
申请(专利权)人：上海卓弘微系统科技有限公司，上海芯哲微电子科技股份有限公司，上海北京大学微电子研究院，
类型：发明
国别省市：上海,31