一种基于中频充电的电除尘器用脉冲电源制造技术

本实用新型专利技术公开了一种基于中频充电的电除尘器用脉冲电源，包括：三相工频整流滤波单元、单相中频逆变单元、中频升压整流单元、脉冲发生单元以及脉冲基础电源叠加单元；所述三相整流滤波单元用于将三相工频交流低压整流滤波后得到直流电压；所述单相中频逆变单元用于将所述直流电压逆变为基波为400Hz的中频交流电压；所述中频升压整流单元用于将所述中频交流电压升压整流为2.3kV的直流电压；所述脉冲发生单元用于将所述直流电压形成高电压脉冲，所述高电压脉冲进入电除尘器与基础电压叠加。实现了脉冲输出电压的调节，调节脉冲电源更加方便稳定、线性度好。且充电电源体积小，节省了空间成本。

【技术实现步骤摘要】
一种基于中频充电的电除尘器用脉冲电源
本技术涉及电除尘器电源
，尤其涉及一种基于中频充电的电除尘器用脉冲电源。
技术介绍
电除尘器(electrostaticprecipitator,以下简称ESP)是火力发电厂必备的配套设备，它的功能是锅炉排放烟气中的颗粒烟尘加以清除，从而大幅度降低排入大气层中的烟尘量，是改善环境污染，提高空气质量的重要环保设备。电除尘器的电源分为三代，第一代为SCR电源，第二代为高频电源，第三代为脉冲电源。研究表明，ESP采用脉冲电源供电时，不但能提高ESP收尘效率，同时脉冲电源加基础电源的总能耗只有纯直流供电时的1/5～1/2。而且，脉冲供电比直流供电能更好地处理高比电阻粉尘及超细微粉尘。因此，采用脉冲供电时当今ESP供电新的技术发展方向。现有技术中ESP的脉冲电源稳定性、可靠性有待提高。
技术实现思路
本技术提供一种基于中频充电的电除尘器用脉冲电源，以克服上述技术问题。本技术基于中频充电的电除尘器用脉冲电源，其特征在于，包括：三相工频整流滤波单元、单相中频逆变单元、中频升压整流单元、高电压脉冲单元以及控制器；所述三相整流滤波单元用于将三相工频交流低压整流滤波后得到直流电压；所述单相中频逆变单元用于将所述直流电压逆变为基波为400Hz的交流电压；所述中频升压整流单元用于将所述交流电压升压整流为2.3KV的直流电压；所述高电压脉冲单元用于将所述直流电压形成高电压脉冲，所述高电压脉冲进入电除尘器与基础电压叠加，所述三相工频整流滤波单元、所述单相中频逆变单元、所述中频升压整流单元以及所述脉冲高电压脉冲单元分别与所述控制器连接。进一步地，所述三相工频整流滤波单元包括：主空气开关、整流预充电电路、主接触器、三相整流桥以及滤波电路；所述主空气开关一端连接三相输入电源，另一端连接所述整流预充电电路和所述主接触器，所述整流预充电电路和所述主接触器的输出端连接所述三相整流桥，所述三相整流桥的输出连接所述滤波电路。进一步地，所述单相中频逆变单元包括：第一IGBT、第二IGBT、第三IGBT、第四IGBT、第一驱动电路DR2和第二驱动电路DR3；所述第一IGBT的发射极与第二IGBT的集电极串联后与中频整流变压器单元连接，所述第三IGBT的发射极与所述第四IGBT的集电极串联后与所述中频整流变压器单元连接，所述第一IGBT的集电极与第三IGBT的集电极连接，所述第二IGBT的发射极与第四IGBT的发射极连接。进一步地，所述中频升压整流单元包括：中频升压变压器、中频整流桥、输出第一分压电阻Rm4以及第二分压电阻Rm5；所述中频升压变压器副边与所述中频整流桥连接，所述中频整流桥输出端与所述第一分压电阻和第二分压电阻连接。进一步地，所述高电压脉冲单元包括：脉冲发生单元、脉冲变压器BYQ2以及脉冲耦合电容Cc；所述脉冲发生单元包括：充电电感Lf1、缓冲电路、第五IGBT、储能电容CS11；所述充电电感一端与中频升压整流单元输出端连接，所述充电电感另一端与所述缓冲电路输入端连接，所述缓冲电路输出端与所述第五IGBT的集电极、发射极连接，所述第五IGBT的集电极还与所述储能电容的一端连接，所述储能电容的另一端与所述脉冲变压器的原边连接，所述脉冲变压器的副边与所述脉冲耦合电容的一端连接，所述脉冲耦合电容的另一端与负载连接。进一步地，所述脉冲发生单元为对称双回路脉冲电路或者多回路脉冲电路。本技术采用三相工频整流滤波单元、单相中频逆变单元、中频升压整流单元实现了脉冲输出电压的调节，调节脉冲电源更加方便稳定、线性度好。且充电电源体积小，节省了空间成本。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术基于中频充电的电除尘器用脉冲电源结构示意图；图2为本技术脉冲电源的中频充电单元电路原理图；图3为本技术双回路脉冲形成电路电路原理图；图4为本技术多回路脉冲形成电路电路原理图。具体实施方式为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。图1为本技术基于中频充电的电除尘器用脉冲电源结构示意图，如图1所示，本实施例的电除尘器用脉冲电源，包括：三相工频整流滤波单元101、单相中频逆变单元102、中频升压整流单元103、高电压脉冲单元104以及控制器105；所述三相工频整流滤波单元用于将三相交流低压整流滤波后得到直流电压；所述单相中频逆变单元用于将所述直流电压逆变为基波为400Hz的交流电压；所述中频升压整流单元用于将所述交流电压升压整流为2.3kV的直流电压；所述高电压脉冲单元用于将所述直流电压形成高电压脉冲，所述高电压脉冲进入电除尘器与基础电压叠加，所述三相整流滤波单元、所述单相中频逆变单元、所述中频升压整流单元以及所述脉冲高电压脉冲单元分别与所述控制器连接。进一步地，所述三相整流滤波单元包括：主空气开关、整流预充电电路、主接触器、三相整流桥以及滤波电路；所述主空气开关一端连接三相输入电源，另一端连接所述整流预充电电路和所述主接触器，所述整流预充电电路和所述主接触器的输出端连接所述三相整流桥，所述三相整流桥的输出连接所述滤波电路。具体而言，如图2所示，本实施三相整流滤波单元包括：空气开关1、整流预充电电路2、主接触器3、三相整流桥4、滤波电路5、中频逆变电路6、中频升压变压器及整流桥7。进一步地，所述单相中频逆变单元包括：第一IGBT、第二IGBT、第三IGBT、第四IGBT、第一驱动电路DR2和第二驱动电路DR3；所述第一IGBT的发射极与第二IGBT的集电极串联后与中频整流变压器单元连接，所述第三IGBT的发射极与所述第四IGBT的集电极串联后与所述中频整流变压器单元连接，所述第一IGBT的集电极与第三IGBT的集电极连接，所述第二IGBT的发射极与第四IGBT的发射极连接。进一步地，所述中频升压整流单元包括：中频升压变压器、中频整流桥、输出第一分压电阻Rm4以及第二分压电阻Rm5；所述中频升压变压器副边与所述中频整流桥连接，所述中频整流桥输出端与所述第一分压电阻和第二分压电阻连接。进一步地，所述高电压脉冲单元包括：脉冲发生单元、脉冲变压器BYQ2以及脉冲耦合电容Cc；所述脉冲发生单元包括：充电电感Lf1、缓冲电路、第五IGBT、储能电容CS11；所述充电电感一端与中频升压整流单元输出端连接，所述充电电感另一端与所述缓冲电路输入端连接，所述缓冲电路输出端与所述第五IGBT的集电极、发射极连接，所述第五IGBT的集电极还与所述储能电容的一端连接，所述储能电容的另一端与所述脉冲变压器的原边连接，所述脉冲变压器的副边与所述脉冲耦合电容的一端连接，所述脉冲耦合电容的另一端与本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于中频充电的电除尘器用脉冲电源，其特征在于，包括：三相工频整流滤波单元、单相中频逆变单元、中频升压整流单元、高电压脉冲单元以及控制器；所述三相工频整流滤波单元用于将三相工频交流低压整流滤波后得到直流电压；所述单相中频逆变单元用于将所述直流电压逆变为基波为400Hz的中频交流电压；所述中频升压整流单元用于将所述中频交流电压升压整流为2.3kV的直流电压；所述高电压脉冲单元用于将所述直流电压形成高电压脉冲，所述高电压脉冲进入电除尘器与基础电压叠加，所述三相工频整流滤波单元、所述单相中频逆变单元、所述中频升压整流单元以及所述脉冲高电压脉冲单元分别与所述控制器连接。

【技术特征摘要】
1.一种基于中频充电的电除尘器用脉冲电源，其特征在于，包括：三相工频整流滤波单元、单相中频逆变单元、中频升压整流单元、高电压脉冲单元以及控制器；所述三相工频整流滤波单元用于将三相工频交流低压整流滤波后得到直流电压；所述单相中频逆变单元用于将所述直流电压逆变为基波为400Hz的中频交流电压；所述中频升压整流单元用于将所述中频交流电压升压整流为2.3kV的直流电压；所述高电压脉冲单元用于将所述直流电压形成高电压脉冲，所述高电压脉冲进入电除尘器与基础电压叠加，所述三相工频整流滤波单元、所述单相中频逆变单元、所述中频升压整流单元以及所述脉冲高电压脉冲单元分别与所述控制器连接。2.根据权利要求1所述的脉冲电源，其特征在于，所述三相工频整流滤波单元包括：主空气开关、整流预充电电路、主接触器、三相整流桥以及滤波电路；所述主空气开关一端连接三相工频输入电源，另一端连接所述整流预充电电路和所述主接触器，所述整流预充电电路和所述主接触器的输出端连接所述三相整流桥，所述三相整流桥的输出连接所述滤波电路。3.根据权利要求1所述的脉冲电源，其特征在于，所述单相中频逆变单元包括：第一IGBT、第二IGBT、第三IGBT、第四IGBT、第一驱动电路DR2和第二驱动电路DR3；所述第一IGBT的发射极与第二IGBT的集电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋云峰，张海峰，冀云江，谭瑞声，
申请(专利权)人：武汉大学，大连蓝乔电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：湖北,42