边缘凹面硼嵌型奥林匹克功能化合物及其制备和应用制造技术

本发明专利技术涉及一类新型电子结构的硼杂稠环功能分子材料，即硼杂锯齿边缘结构的奥林匹克分子，本发明专利技术还涉及设计与制备方法及功能分子材料应用。本发明专利技术所述的母核结构的化合物，通过11a位的硼掺杂，可以控制母核边缘结构，且可通过硼的空的p轨道来控制π电子的离域，使高反应性的奥林匹克分子变得稳定，且提升化合物的性能。

Boron-embedded Olympic Functional Compounds with Concave Edge and Their Preparation and Application

【技术实现步骤摘要】
边缘凹面硼嵌型奥林匹克功能化合物及其制备和应用
本专利技术涉及功能材料领域，具体涉及一类奥林匹克功能化合物。
技术介绍
苯并芘是一种小的五环碳氢化合物，其中四个环是类似苯的环，其中一个含有一个sp3杂化的-CH2-亚甲基(图a)。因其结构类似于奥林匹克的结构而被命名为“奥林匹克”环。共轭的奥林匹克化合物包括奥林匹克阳离子和自由基，由于其独特的电子结构而备受关注。其研究多来自与理论预测和特性的成像技术，如隧道扫描显微镜等。但锯齿边缘结构的奥林匹克共轭分子，其本征的不稳定性，极大地限制了其广泛研究及研发应用。关键技术手段在于它们的外围骨架的结构调控及功能化修饰，使其富电子的边缘处能更好地稳定高度离域的价电子。而路易斯酸性的硼原子具有空的p轨道，可为共轭体系的π电子提供电子离域通道。在理论上，硼杂化可将共轭分子转变为缺电子的功能π体系，甚至成为极具潜力的有机电子材料。然而硼原子本身极具亲电性，特别是对空气和水等展示高度的敏感性。将两个不稳定的基元结合在一起，发展高稳定性的功能π分子材料，其设计策略与化学合成都具有挑战性。因此，硼杂奥林匹克分子所代表的独特物理性质也无从了解。基于上述问题，现本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.边缘凹面硼嵌型奥林匹克功能化合物，其特征在于，具有式1所示的母核结构片段；

【技术特征摘要】
1.边缘凹面硼嵌型奥林匹克功能化合物，其特征在于，具有式1所示的母核结构片段；2.如权利要求1所述的边缘凹面硼嵌型奥林匹克功能化合物，其特征在于，为具有式1-A结构式化合物：式1-A中，硼原子在边缘凹面的11a位，所述的R1、R3独自选自氢原子、C1-C24烷基、C3-C24环烷基、C1-C24烷氧基、C2-C24的炔基、卤代的C1-C24烷基、芳基、杂环或稠环；R2、R4独自为氢原子、C1-C24烷基、C3-C24环烷基、C1-C24烷氧基、卤代C1-C24烷基、卤代C3-C24环烷基、卤代C1-C24烷氧基、稠环、芳基或杂稠环芳基；R5选自氢原子、卤原子、C1-C24烷基、C3-C24环烷基、C1-C24烷氧基、卤代C1-C24烷基、C2-C24炔基、稠环、芳基或杂稠环芳基。3.如权利要求2边缘凹面硼嵌型奥林匹克功能化合物，其特征在于，式1-A中，R1、R3独自为炔基、卤代烷基、芳基、杂环或稠环；优选为芳基和杂环芳基；进一步优选地，R1、R3为相同基团；最优选，所述的R1、R3均为苯基、取代苯基。4.如权利要求1所述的边缘凹面硼嵌型奥林匹克功能化合物，其特征在于，式1-A中，R2、R4独自为稠环、芳基或杂稠环芳基；优选为相同取代基，更进一步优选为苯基或者取代苯基。5.如权利要求1所述的边缘凹面硼嵌型奥林匹克功能化合物，其特征在于，式1-A中，R5为氢原子、卤原子、C2-C24的炔基、稠环、芳基或杂稠环芳基；优选为氢原子。6.一种权利要求1～5任一项所述的边缘凹面硼嵌型奥林匹克功能...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾泽兵，黄婷婷，魏海鹏，王燕培，谢胜，
申请(专利权)人：湖南大学，
类型：发明
国别省市：湖南,43