含荧光体膜及背光单元制造技术

本发明专利技术的课题在于提供一种能够抑制荧光体的劣化、能够抑制由基材膜的缺损引起的亮点的产生及亮度的降低的含荧光体膜及背光单元。本发明专利技术通过如下含荧光体膜来解决课题，该含荧光体膜具有：含荧光体层，具备具有氧不透过性且形成有分散的凹部的树脂层及配置于凹部的荧光区域；及第1基材膜和第2基材膜，该第1基材膜层叠于含荧光体层的其中一个面上，该第2基材膜层叠于相反面上，荧光区域包含暴露在氧中便会与氧反应而劣化的荧光体和粘合剂，第1基材膜包含支撑膜和设置在与含荧光体层对置的面侧的无机层，就树脂层而言，弹性模量为0.5～10GPa、凹部的底部的厚度为0.1～20μm。

Fluorescent Body Membrane and Backlight Unit

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】含荧光体膜及背光单元
本专利技术涉及一种包含通过激发光照射发出荧光的荧光体的含荧光体膜及具备含荧光体膜作为波长转换部件的背光单元。
技术介绍
液晶显示装置(LCD(LiquidCrystalDisplay))等平板显示器作为耗电量少、节省空间的图像显示装置，其用途逐年扩大。以下，将“液晶显示装置”还称为“LCD”。在近年来的LCD中，作为LCD性能改进要求进一步的省电化和颜色再现性提升等。为了伴随LCD的背光的省电化，提高光利用效率且提高颜色再现性，提出了利用包含将入射光的波长进行转换而射出的量子点(QD(QuantumDot)，还称为量子点)作为发光材料(荧光体)的波长转换层。量子点是指，在三维的所有方向上移动方向受到限制的电子的状态，当半导体的纳米粒子被高势垒以三维方式包围时，该纳米粒子成为量子点。量子点显现出各种量子效应。例如，显现出电子的状态密度(能级)被离散化的“量子尺寸效应”。根据该量子尺寸效应，能够通过改变量子点的大小，控制光的吸收波长或发光波长。通常，这种量子点分散在树脂等中，例如作为进行波长转换的量子点膜，配置于背光与液晶面板之间来使用。若激发光从背光向包含量子点的膜入射，则量子点被激发而发出荧光。在此，能够通过使用具有不同的发光特性的量子点，使各量子点发出红色光、绿色光或蓝色光的半宽度的窄的光而体现白色光。基于量子点的荧光半宽度窄，因此能够使通过适当选择波长而获得的白色光成为高亮度及成为颜色再现性优异的设计。量子点存在容易因水分或氧而劣化，尤其发光强度因光氧化反应而降低的问题。因此，波长转换部件构成为在作为包含量子点的波长转换层的包含量子点的树脂层的两个主表面上层叠阻挡膜(阻气膜)来保护包含量子点的树脂层。以下，将“包含量子点的树脂层”还称为“量子点层”。阻挡膜作为一例具有在树脂膜等的支撑膜的其中一个面上形成有显现阻气性的阻挡层的结构。然而，若仅用阻挡膜保护量子点层的两个主表面，则存在水分或氧从未被阻挡膜保护的端面进入导致量子点劣化这一问题。因此，提出了用阻挡膜保护量子点层的整个周围(端面的整周)。例如，专利文献1中，记载了一种量子点波长转换体，其包含：波长转换部，包含将激发光进行波长转换而产生波长转换光的量子点及使量子点分散的分散介质；及密封部件，密封波长转换部，并记载了在作为密封部件的两张密封片之间配置波长转换部，并对密封片的波长转换部的周围进行加热而使其热粘结，由此密封波长转换部的内容。并且，专利文献2中，记载了一种发光装置，其具备：颜色转换层(荧光体层)，将从光源部发出的彩色光的至少一部分转换为其他彩色光；及不透水性密封片，密封颜色转换层，并记载了一种颜色转换片(荧光体片)，其具有以沿荧光体层的外周、即包围颜色转换层的平面形状的方式设置成框状的第2贴合层，并利用该第2贴合层由具有水蒸气阻挡性的粘接材料构成的结构来防止水渗入到颜色转换层中。用于LCD的量子点层(包含量子点的波长转换层)为50～350μm左右的薄膜。用阻挡膜等密封片包覆这种极薄膜的整个端面是非常困难的，存在生产率差这一问题。这种问题并不限于量子点，同样地还产生在具备与氧反应而劣化的荧光体的含荧光体膜中。另一方面，为了以高生产效率制造含有量子点等荧光体的含荧光体膜，优选通过卷对卷方式在长条膜上依次实施涂布工序和固化工序而形成层叠结构之后，裁剪成所期望的尺寸的方法。然而，当从该长条膜裁剪并获得所期望的尺寸的含荧光体膜时，在切割端面处含荧光体层仍暴露在外部空气中，因此需要针对氧从切割端面进入采取措施。相对于此，专利文献3中，记载了一种光学零件，其具有：两个基板；及含荧光体层，具有形成多个分离的区域的密封件及包含配置于分离的区域中的荧光物质的荧光部件且层叠于两个基板之间。记载了该光学零件通过在密封件的部分进行裁剪，即使裁剪光学零件也能够维持荧光部件的密闭状态。以往技术文献专利文献专利文献1：日本特开2010-061098号公报专利文献2：日本特开2009-283441号公报专利文献3：美国专利公开2015/0048403号
技术实现思路
专利技术要解决的技术课题然而，得知即使在将含荧光体层的结构设为具有形成多个分离的区域(凹部)的树脂层和配置于分离的区域中的荧光区域的结构时，也存在如下问题：在树脂层的凹凸的形成中使用模具的情况下，模具与阻挡膜接触而破坏阻挡膜的阻挡层，导致容易使水分或氧侵入。本专利技术是鉴于上述情况而完成的，其课题在于提供一种在含有量子点等荧光体的膜中能够抑制荧光体的劣化且能够抑制由阻挡层的缺损引起的耐久性能的恶化的含荧光体膜及具备该含荧光体膜作为波长转换部件的背光单元。用于解决技术课题的手段本专利技术人为了实现上述课题进行了深入研究，其结果发现能够通过如下含荧光体膜来解决上述课题，并完成了本专利技术，该含荧光体膜具有：含荧光体层，对氧具有不透过性且形成有离散配置的多个凹部的树脂层及配置在形成于树脂层的凹部的多个荧光区域；及第1基材膜和第2基材膜，该第1基材膜层叠于含荧光体层的其中一个主表面上，该第2基材膜层叠于含荧光体层的另一个主表面上，荧光区域包含暴露在氧中便会与氧反应而劣化的荧光体及粘合剂，第1基材膜包含支撑膜及设置在支撑膜的与含荧光体层对置的面侧的无机层，树脂层的弹性模量为0.5～10GPa，树脂层的凹部的底部的厚度为0.1～20μm。即，发现能够通过以下结构来实现上述课题。(1)一种含荧光体膜，其具有：含荧光体层，具有对氧具有不透过性且形成有离散配置的多个凹部的树脂层及配置在形成于树脂层的凹部的多个荧光区域；及第1基材膜和第2基材膜，该第1基材膜层叠于含荧光体层的其中一个主表面上，该第2基材膜层叠于含荧光体层的另一个主表面上，荧光区域包含暴露在氧中便会与氧反应而劣化的荧光体及粘合剂，第1基材膜包含支撑膜及设置在支撑膜的与含荧光体层对置的面侧的无机层，树脂层的弹性模量为0.5～10GPa，树脂层的凹部的底部的厚度为0.1～20μm。(2)根据(1)所述的含荧光体膜，其中，所述第2基材膜包含支撑膜及设置在所述支撑膜的与所述含荧光体层对置的面侧的无机层，所述第2基材膜的所述无机层与所述树脂层的凹部的顶面未接触。(3)根据(1)或(2)所述的含荧光体膜，其中，树脂层的凹部的深度h为10～80μm，相邻的荧光区域之间的宽度t为5～300μm以下。(4)根据(1)～(3)中任一项所述的含荧光体膜，其中，树脂层的氧透过率为10cc/(m2·day·atm)以下。(5)根据(1)～(4)中任一项所述的含荧光体膜，其中，第1基材膜及第2基材膜的氧透过率为1cc/(m2·day·atm)以下。(6)根据(1)～(5)中任一项所述的含荧光体膜，其中，含荧光体层中，荧光区域被树脂层及包含通过暴露在氧中与氧反应而劣化的荧光体的荧光区域包围。(7)一种背光单元，其包含：波长转换部件，由(1)～(6)中任一项所述的含荧光体膜构成；及蓝色发光二极管及紫外线发光二极管中的至少一个。专利技术效果根据本专利技术，能够提供一种在含有量子点等荧光体的膜中，即使在形成凹凸时使用模具的情况下，也能够防止阻挡膜的阻挡层的损伤且能够抑制由氧等引起的荧光体的劣化的含荧光体膜及具备该含荧光体膜作为波长转换部件的背光单元。附图说明图1是示意地表示本专利技术的含荧光体膜的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种含荧光体膜，具有：含荧光体层，其具有对氧具有不透过性且形成有离散配置的多个凹部的树脂层、及配置在形成于所述树脂层的凹部的多个荧光区域；及第1基材膜和第2基材膜，所述第1基材膜层叠于所述含荧光体层的其中一个主表面上，所述第2基材膜层叠于所述含荧光体层的另一个主表面上，所述荧光区域包含暴露在氧中便会与氧反应而劣化的荧光体、及粘合剂，所述第1基材膜包含支撑膜及设置在所述支撑膜的与所述含荧光体层对置的面侧的无机层，所述树脂层的弹性模量为0.5～10GPa，所述树脂层的所述凹部的底部的厚度为0.1～20μm。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.11.07 JP 2016-217583;2016.11.30 JP 2016-232971.一种含荧光体膜，具有：含荧光体层，其具有对氧具有不透过性且形成有离散配置的多个凹部的树脂层、及配置在形成于所述树脂层的凹部的多个荧光区域；及第1基材膜和第2基材膜，所述第1基材膜层叠于所述含荧光体层的其中一个主表面上，所述第2基材膜层叠于所述含荧光体层的另一个主表面上，所述荧光区域包含暴露在氧中便会与氧反应而劣化的荧光体、及粘合剂，所述第1基材膜包含支撑膜及设置在所述支撑膜的与所述含荧光体层对置的面侧的无机层，所述树脂层的弹性模量为0.5～10GPa，所述树脂层的所述凹部的底部的厚度为0.1～20μm。2.根据权利要求1所述的含荧光体膜，其中，所述第2基材膜包含支撑膜及设置...

【专利技术属性】
技术研发人员：大场达也，远山浩史，柿下健一，
申请(专利权)人：富士胶片株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP