一种全介质混合谐振结构及滤波器制造技术

技术编号:21516672 阅读:92 留言:0更新日期:2019-07-03 09:46
本发明专利技术公开了一种全介质混合谐振结构及滤波器,其包括单腔块和设置于该单腔块内的介质谐振杆,所述单腔块为全介质单腔块,所述介质谐振杆包括同轴布置的中间谐振单元和端部谐振单元,所述中间谐振单元的两端至少各布置有一个所述端部谐振单元,所述中间谐振单元的介电常数大于所述端部谐振单元的介电常数,所述中间谐振单元的介电常数大于所述全介质单腔块的介电常数。本发明专利技术其不仅结构简单,而且能够满足空腔介质滤波器对更高Q值及更小体积的要求。

A All-Dielectric Hybrid Resonant Structure and Filter

【技术实现步骤摘要】
一种全介质混合谐振结构及滤波器
本专利技术涉及一种谐振结构及滤波器,属于无线网络通信领域无源天馈器件
,具体涉及一种用于滤波器的全介质混合谐振结构及滤波器。
技术介绍
随着第四代移动通讯向第五代移动通讯快速发展,对通讯设备的高性能和小型化的要求日益增多,介质滤波器的使用渐渐开始频繁。传统的TM模介质滤波器多采用单介电常数谐振方式,该且单根介质谐振器上下接地来压缩高度方向的体积,但由于体积压缩后Q值相对于同体积的金属空腔体滤波器并没有什么优势,所以导致滤波器虽然采用了介质谐振器但插入损耗并未减小。
技术实现思路
针对上述现有技术存在的缺陷,本专利技术的目的就是要解决上述
技术介绍
的不足,提供一种全介质混合谐振结构及滤波器,其不仅结构简单,而且能够满足空腔介质滤波器对更高Q值及更小体积的要求。为解决上述技术问题,本专利技术采用了这样一种用于滤波器的全介质混合谐振结构,其包括单腔块和设置于该单腔块内的介质谐振杆,所述单腔块为全介质单腔块,所述介质谐振杆包括同轴布置的中间谐振单元和端部谐振单元,所述中间谐振单元的两端至少各布置有一个所述端部谐振单元,所述中间谐振单元的介电常数大于所述端部谐振本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种全介质混合谐振结构,包括单腔块和设置于该单腔块内的介质谐振杆(1),其特征在于:所述单腔块为全介质单腔块(4),所述介质谐振杆(1)包括同轴布置的中间谐振单元(2)和端部谐振单元(3),所述中间谐振单元(2)的两端至少各布置有一个所述端部谐振单元(3),所述中间谐振单元(2)的介电常数大于所述端部谐振单元(3)的介电常数,所述中间谐振单元(2)的介电常数大于所述全介质单腔块(4)的介电常数。

【技术特征摘要】
1.一种全介质混合谐振结构,包括单腔块和设置于该单腔块内的介质谐振杆(1),其特征在于:所述单腔块为全介质单腔块(4),所述介质谐振杆(1)包括同轴布置的中间谐振单元(2)和端部谐振单元(3),所述中间谐振单元(2)的两端至少各布置有一个所述端部谐振单元(3),所述中间谐振单元(2)的介电常数大于所述端部谐振单元(3)的介电常数,所述中间谐振单元(2)的介电常数大于所述全介质单腔块(4)的介电常数。2.根据权利要求1所述的全介质混合谐振结构,其特征在于:设置于中间谐振单元(2)两端的所述端部谐振单元(3)的数量相对应。3.根据权利要求2所述的全介质混合谐振结构,其特征在于:所述中间谐振单元(2)的每一端至少设置有两个所述端部谐振单元(3),靠近中间谐振单元(2)的所述端部谐振单元(3)的介电常数大于远离中间谐振单元(2)的所述端部谐振单元(3)的介电常数。4.根据权利要求3所述的全介质混合谐振结构,其特征在于:所述中间谐振单元(2)的长度大于所述端部谐振单元(3)的长度。5.根据权利要求1所述的全介质混合...

【专利技术属性】
技术研发人员:孟庆南朱晖
申请(专利权)人:香港凡谷發展有限公司
类型:发明
国别省市:湖北,42

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