检测方法、驱动方法、显示装置和补偿查找表的构建方法制造方法及图纸

一种像素电路的检测方法、显示面板的驱动方法、显示装置和温度补偿查找表的构建方法。所述像素电路包括驱动晶体管，所述方法包括：向所述驱动晶体管的栅极施加第一数据电压，在施加所述第一数据电压后的第一时长且在所述驱动晶体管截止之前，在所述驱动晶体管的第一极获取第一感测电压，其中，所述第一数据电压等于检测数据电压与所述驱动晶体管的第一基准阈值电压之和；基于所述检测数据电压、所述第一感测电压以及温度补偿查找表获取所述驱动晶体管的当前阈值电压。所述温度补偿查找表包括所述驱动晶体管在多个温度下的多个阈值电压以及基于所述第一时长和所述检测数据电压在所述多个温度下获取的多个感测电压。

Method of Constructing Detection Method, Driving Method, Display Device and Compensation Lookup Table

【技术实现步骤摘要】
检测方法、驱动方法、显示装置和补偿查找表的构建方法
本公开的实施例涉及一种像素电路的检测方法、显示面板的驱动方法、显示装置和温度补偿查找表的构建方法。
技术介绍
有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiode，OLED)显示器件具有视角宽、对比度高、响应速度快、亮度高、发光效率高等特点。并且，相比于无机发光显示器件，有机发光二极管显示器件具有更高的发光亮度、更低的驱动电压等优势。由于具有上述特点和优势，有机发光二极管(OLED)显示器件逐渐受到人们的广泛关注并且可以适用于手机、显示器、笔记本电脑、数码相机、仪器仪表等具有显示功能的装置。
技术实现思路
本公开的至少一个实施例提供了一种像素电路的检测方法，所述像素电路包括驱动晶体管，所述方法包括：向所述驱动晶体管的栅极施加第一数据电压，在施加所述第一数据电压后的第一时长且在所述驱动晶体管截止之前，在所述驱动晶体管的第一极获取第一感测电压，其中，所述第一数据电压等于检测数据电压与所述驱动晶体管的第一基准阈值电压之和；基于所述检测数据电压、所述第一感测电压以及温度补偿查找表获取所述驱动晶体管的当前阈值电压。所述温度补偿查找表本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种像素电路的检测方法，所述像素电路包括驱动晶体管，所述方法包括：向所述驱动晶体管的栅极施加第一数据电压，在施加所述第一数据电压后的第一时长且在所述驱动晶体管截止之前，在所述驱动晶体管的第一极获取第一感测电压，其中，所述第一数据电压等于检测数据电压与所述驱动晶体管的第一基准阈值电压之和；以及基于所述检测数据电压、所述第一感测电压以及温度补偿查找表获取所述驱动晶体管的当前阈值电压，其中，所述温度补偿查找表包括所述驱动晶体管在多个温度下的多个阈值电压以及基于所述第一时长和所述检测数据电压在所述多个温度下获取的多个感测电压。

【技术特征摘要】
1.一种像素电路的检测方法，所述像素电路包括驱动晶体管，所述方法包括：向所述驱动晶体管的栅极施加第一数据电压，在施加所述第一数据电压后的第一时长且在所述驱动晶体管截止之前，在所述驱动晶体管的第一极获取第一感测电压，其中，所述第一数据电压等于检测数据电压与所述驱动晶体管的第一基准阈值电压之和；以及基于所述检测数据电压、所述第一感测电压以及温度补偿查找表获取所述驱动晶体管的当前阈值电压，其中，所述温度补偿查找表包括所述驱动晶体管在多个温度下的多个阈值电压以及基于所述第一时长和所述检测数据电压在所述多个温度下获取的多个感测电压。2.根据权利要求1所述的检测方法，其中，基于所述检测数据电压、所述第一感测电压以及所述温度补偿查找表获取所述驱动晶体管的当前阈值电压包括：基于所述检测数据电压、所述第一感测电压以及所述温度补偿查找表获取所述驱动晶体管的目标感测电压；以及基于所述目标感测电压和所述温度补偿查找表获取所述驱动晶体管的当前阈值电压。3.根据权利要求2所述的检测方法，其中，所述多个温度包括第一温度和第二温度，所述多个感测电压包括分别对应于所述第一温度和所述第二温度的第一基准感测电压和第二基准感测电压，所述多个阈值电压包括分别对应于所述第一温度和所述第二温度的所述第一基准阈值电压和第二基准阈值电压。4.根据权利要求3所述的检测方法，其中，基于所述检测数据电压、所述第一感测电压以及所述温度补偿查找表获取所述驱动晶体管的目标感测电压包括：基于变化系数、所述第一基准感测电压、所述检测数据电压以及所述第一感测电压获取所述目标感测电压，其中，所述变化系数根据所述第一基准感测电压、所述第二基准感测电压、所述第一基准阈值电压和所述第二基准阈值电压进行拟合获取。5.根据权利要求4所述的检测方法，其中，根据所述第一基准感测电压、所述第二基准感测电压、所述第一基准阈值电压和所述第二基准阈值电压进行拟合以获取所述变化系数包括：根据所述第一基准感测电压、所述第二基准感测电压、所述第一基准阈值电压和所述第二基准阈值电压进行线性拟合以获取所述变化系数，其中，所述变化系数采用以下表达式(1)得到：其中，β为所述变化系数，Vsenb1为所述第一基准感测电压，Vsenb2为所述第二基准感测电压，Vthb1为所述第一基准阈值电压，Vthb2为所述第二基准阈值电压。6.根据权利要求5所述的检测方法，其中，所述目标感测电压采用以下表达式(2)得到：其中，Vsenx为所述目标感测电压，GL为所述检测数据电压，Vsen1为所述第一感测电压。7.根据权利要求5所述的检测方法，其中，选择所述第一基准感测电压和所述第二基准感测电压，以使得所述第一感测电压位于所述第一基准感测电压和所述第二基准感测电压之间。8.根据权利要求4所述的检测方法，其中，基于所述目标感测电压和所述温度补偿查找表获取所述驱动晶体管的当前阈值电压包括：在所述多个感测电压包括所述目标感测电压的情况下，将所述温度补偿查找表中与所述目标感测电压对应的阈值电压作为所述驱动...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈燚，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11