【技术实现步骤摘要】
一种开端同轴探头的电极极化校正方法及处理终端
本专利技术涉及电极极化校正
,具体是一种开端同轴探头的电极极化校正方法及处理终端。
技术介绍
当金属电极浸入到电解质中,会因为电极表面分子的离解或从溶液中吸收离子而获得表面电荷,从而使来自电解质的带相反电荷的离子的浓度在金属电极区域增加。这些带相反电荷的离子被有效地束缚并在电极-电解质界面处形成所谓的双电层,也即存在电极极化效应。由于电极极化效应,在使用开端同轴探头测量具有明显直流电导率的样品的介电特性(包括介电常数和电导率)时需要进行电极极化校正。现有的电极极化校正方法是将金属电极表面镀上一层铂。由于铂涂层不容易与电解质溶液反应,从而降低由电极获得的表面电荷,从而降低电极极化阻抗,达到电极极化校正的目的。但是在确定待测样本的介电特性时,要清洁开端同轴探头的尖端,同时在校准样品和待测样品之间交替进行测量,导致开端同轴探头的机械清洁或超声波擦洗会导致铂涂层降解,从而不能准确的使电极极化校正。
技术实现思路
针对现有技术的不足,本专利技术的目的之一提供一种开端同轴探头的电极极化校正方法,其能够解决开端同轴探头电极极化校正 ...
【技术保护点】
1.一种开端同轴探头的电极极化校正方法,其特征在于:包括如下步骤:步骤1:预设开端同轴探头的等效电路模型,所述等效电路模型包括电阻Rp、电阻Rs、电阻Rf、电容Cs和电容Cf,电阻Rs和电容Rs并联形成第一并联支路,电阻Rf和电容Cf并联形成第二并联支路,电阻Rp、第一并联支路与第二并联支路依次连接;所述等效电路模型的净负载阻抗Z(ω)采用公式①进行计算:
【技术特征摘要】
1.一种开端同轴探头的电极极化校正方法,其特征在于:包括如下步骤:步骤1:预设开端同轴探头的等效电路模型,所述等效电路模型包括电阻Rp、电阻Rs、电阻Rf、电容Cs和电容Cf,电阻Rs和电容Rs并联形成第一并联支路,电阻Rf和电容Cf并联形成第二并联支路,电阻Rp、第一并联支路与第二并联支路依次连接;所述等效电路模型的净负载阻抗Z(ω)采用公式①进行计算:并定义式中,ω表示角频率,j表示复数的虚数单位,Zs表示电极极化串联阻抗,且Zs=H1(ω,A,n,B,m,C,I)+jH2(ω,B,m,C,I),H1(ω,A,n,B,m,C,I)为Zs的实部,H2(ω,B,m,C,I)为Zs的虚部,即式中A,n,B,m,C,I均为常数;步骤2:接收用户输入的开端同轴探头的净负载阻抗的一组实测数据,分别将净负载阻抗的一组实测数据的实部和虚部进行插值求导,得到一组离散的导数值J(ω),令从而分别得到一组和的值,由公式②和③分别得到H1(ω,A,n,B,m,C,I)的导数H′1(ω,A,n,B,m,C,I)和H2(ω,B,m,C,I)的导数H′2(ω,B,m,C,I)的各一组离散值,根据所述各一组离散值拟合获得A,n,B,m,C,I的值,从而得到电阻Rp、电阻Rs和电容Rs的值:式中,Re[Z(ω)]表示取Z(ω)的实部,Im[Z(ω)]表示取Z(ω)的虚部,ReJ(ω)表示取J(ω)的实部,ImJ(ω)表示取J(ω)的虚部,H′1(ω,A,n,B,m,C,I)表示对H1(ω,A,n,B,m,C,I)求导,H′2(ω,B,m,C,I)表示对H2(ω,B,m,C,I)求导;步骤3:将电阻Rp、电阻Rs和电容Rs的值代入公式④进行计算,得到Zs的值:按相同角频率ω将步骤2中的负载阻抗的一组实测数据减去对应Zs的值,得到去极化后的阻抗,完成极化校正。2.一种处理终端...
【专利技术属性】
技术研发人员:余学飞,辛学刚,孙颖,
申请(专利权)人:南方医科大学,华南理工大学,
类型:发明
国别省市:广东,44
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