一种应用于晶格失配多结太阳能电池的新型DBR结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种应用于晶格失配多结太阳能电池的新型DBR结构，为叠置于晶格渐变缓冲层之上的GaInNAs/AlGaInAs周期结构，GaInAs子电池叠置于该GaInNAs/AlGaInAs周期结构之上，GaInNAs/AlGaInAs周期结构的GaInNAs折射率较AlGaInAs折射率高，且GaInNAs与AlGaInAs之间及GaInNAs与GaInAs子电池的基区材料GaInAs之间存在晶格失配，失配度不超过3％，这种应变补偿结构有助于应力的释放和位错滑移。本实用新型专利技术可以降低失配引入的外延层中的缺陷密度，提高材料质量，可以提升GaInAs子电池抗辐照性能，增加电池的整体短路电流、开路电压、填充因子等技术指标，提高电池整体光电转换效率。

【技术实现步骤摘要】
一种应用于晶格失配多结太阳能电池的新型DBR结构
本技术涉及太阳能光伏发电的
，尤其是指一种应用于晶格失配多结太阳能电池的新型DBR结构。
技术介绍
随着现代工业技术的发展，世界范围内的能源危机和环境污染问题日益突出，太阳能作为清洁并且可再生能源逐渐得到各国重视。从光伏发电技术的发展史来看，太阳能电池大体可以分为三大类：第一代晶硅太阳能电池、第二代薄膜太阳能电池和第三代砷化镓多结太阳能电池。目前，商用单晶硅电池的转化效率约为16％～20％，多晶硅电池约为14％～16％；GaInP、GaInAs和Ge子电池组成的GaInP/GaInAs/Ge三结太阳能电池作为传统砷化镓多结电池的主流结构，500倍聚光下转化效率超过41％，远高于晶硅电池，并且具有进一步提升的空间。传统三结电池结构上整体保持晶格匹配，带隙组合为1.85/1.40/0.67eV。然而，对于太阳光光谱，这种电池的带隙并不是最佳组合，由于GaInAs子电池和Ge子电池之间较大的带隙差距，这种结构下底电池电流远大于中电池和顶电池，由于底中顶三结子电池是串联在一起的，根据串联结构的电流机制，电流由三个子电池中电流最小的决定，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种应用于晶格失配多结太阳能电池的新型DBR结构，其特征在于：所述DBR结构为由GaInNAs、AlGaInAs两种合金材料组成的GaInNAs/AlGaInAs周期结构，叠置于晶格失配多结太阳能电池的晶格渐变缓冲层之上，晶格失配多结太阳能电池的GaInAs子电池叠置于该GaInNAs/AlGaInAs周期结构之上，其中，所述GaInNAs/AlGaInAs周期结构的GaInNAs折射率较AlGaInAs折射率高，且GaInNAs与AlGaInAs之间及GaInNAs与GaInAs子电池的基区材料GaInAs之间存在晶格失配，失配度不超过3％，这种应变补偿结构有助于应力的释放和位错滑移。

【技术特征摘要】
1.一种应用于晶格失配多结太阳能电池的新型DBR结构，其特征在于：所述DBR结构为由GaInNAs、AlGaInAs两种合金材料组成的GaInNAs/AlGaInAs周期结构，叠置于晶格失配多结太阳能电池的晶格渐变缓冲层之上，晶格失配多结太阳能电池的GaInAs子电池叠置于该GaInNAs/AlGaInAs周期结构之上，其中，所述GaInNAs/AlGaInAs周期结构的GaInNAs折射率较AlGaInAs折射率高，且GaInNAs与AlGaInAs之间及GaInNAs与GaInAs子电池的基区材料GaInAs之间存在晶格失配，失配度不超过3％，这种应变补偿结构有助于应力的释放和位错滑移。2.根据权利要求1所述的一种应用于晶格失配多结太阳能电池的新型DBR结构，其特征在于：所述GaInNAs/AlGaInAs周期结构的GaIn...

【专利技术属性】
技术研发人员：高熙隆，刘建庆，刘雪珍，宋欣慰，刘恒昌，
申请(专利权)人：中山德华芯片技术有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44