【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于高功率应用的具有多个间隔件的三维全塑封功率电子模块
本技术涉及功率电子封装或三维全塑封功率电子模块。
技术介绍
功率半导体芯片用于许多高功率应用,例如混合动力电动车辆和其它运输和能源系统。诸如金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)和二极管的功率半导体芯片会产生大量的热。因此,当这些半导体芯片被封装时,对于这些芯片产生的热,期望能够快速有效地散发出去。封装这种功率半导体芯片需要满足严格的性能标准,例如需要长期提供高而可靠的功率。此外,功率电子封装件还要用于为芯片和内部容纳的其它部件提供电互连、散热和机械支撑。鉴于对高功率封装的要求,希望能够提高其可靠性和热性能。
技术实现思路
一种用于高功率应用的具有多个间隔件的三维全塑封功率电子模块,包括:第一基板,其有导电内表面及多个第一绝缘块;第二基板,与所述第一基板相对设置,其有导电内表面及多个第二绝缘块;多个第一焊块,其设置在所述第一基板的导电内表面上;多个第二焊块,其设置在所述第二基板的导电内表面上;多个第一芯片,每个所述第一芯片的顶表面接触一个所述第一焊块,每个所述第一芯片的 ...
【技术保护点】
1.一种用于高功率应用的具有多个间隔件的三维全塑封功率电子模块,包括:第一基板,其有导电内表面及多个第一绝缘块;第二基板,与所述第一基板相对设置,其有导电内表面及多个第二绝缘块;多个第一焊块,其设置在所述第一基板的导电内表面上;多个第二焊块,其设置在所述第二基板的导电内表面上;多个第一芯片,每个所述第一芯片的顶表面接触一个所述第一焊块,每个所述第一芯片的底表面接触一个所述第二焊块;第二芯片,其顶表面朝向所述第一基板上的一个第一绝缘块,其底表面和一个所述第二焊块接触;和至少三个间隔件,每个间隔件的顶端接触所述第一基板上的一个所述第一绝缘块,每个间隔件的底端接触所述第二基板上的 ...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.06.11 US 15/619,5321.一种用于高功率应用的具有多个间隔件的三维全塑封功率电子模块,包括:第一基板,其有导电内表面及多个第一绝缘块;第二基板,与所述第一基板相对设置,其有导电内表面及多个第二绝缘块;多个第一焊块,其设置在所述第一基板的导电内表面上;多个第二焊块,其设置在所述第二基板的导电内表面上;多个第一芯片,每个所述第一芯片的顶表面接触一个所述第一焊块,每个所述第一芯片的底表面接触一个所述第二焊块;第二芯片,其顶表面朝向所述第一基板上的一个第一绝缘块,其底表面和一个所述第二焊块接触;和至少三个间隔件,每个间隔件的顶端接触所述第一基板上的一个所述第一绝缘块,每个间隔件的底端接触所述第二基板上的一个所述第二绝缘块,所述间隔件的高度基于所述第一芯片的高度、所述第一焊块的高度、所述第二焊块的高度、所述第一绝缘块的高度和所述第二绝缘块的高度,使得所述功率电子封装的高度是通过改变所述间隔件的高度来控制的。2.根据权利要求1所述的三维全塑封功率电子模块,其中所述间隔件的高度是第一总高度和第二总高度的平均值,其中所述第一总高度等于所述多个第一芯片中的第一个芯片的第一高度加上将所述多个第一芯片中的第一个芯片连接到所述第一基板的一个所述第一焊块的高度,加上将所述多个第一芯片中的第一个芯片连接到所述第二基板的一个所述第二焊块的高度,并减去接触所述间隔件的第一和第二绝缘块的总高度;以及其中所述第二总高度等于所述多个第一芯片中的第二个芯片的第二高度加上将所述多个第一芯片中的第二个芯片连接到所述第一基板的一个所述第一焊块的高度,加上将所述多个第一芯片中的第二个芯片连接到所述第二基板的一个所述第二焊块的高度,并减去接触所述间隔件的第一和第二绝缘块的总高度;和其中所述第一总高度和所述第二总高度之间的差在0.0mm至0.1mm的范围内。3.根据权利要求1所述的三维全塑封功率电子模块,其中所述第一焊块是焊球,所述焊球的高度是其宽度的60%-80%。4.根据权利要求1所述的三维全塑封功率电子模块,其中所述第二焊块的高度是通过分析所述三维全塑封功率电子模块的热属性和可靠性来确定的。5.根据权利要求1所述的三维全塑封功率电子模块,还包括:多个第三焊块,每个所述第三焊块接触到所述第一基板的导电内表面和所述第二基板的导电内表面。6.根据权利要求1所述的三维全塑封功率电子模块,还包括:塑封料,其封装包括所述第一基板、所述第二基板、所述第一芯片和所...
【专利技术属性】
技术研发人员:高子阳,史训清,邹仕和,
申请(专利权)人:香港应用科技研究院有限公司,
类型:新型
国别省市:中国香港,81
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