【技术实现步骤摘要】
直拉法生长高纯锗单晶的单晶生长炉
本技术涉及一种单晶生长炉设备，尤其是直拉法生长高纯锗单晶的单晶炉设备。
技术介绍
直拉法（CZ）又称丘克拉斯基法，是J.丘克拉斯基在1916年首创。优点是晶体被拉出液面不与器壁接触，不受容器限制，因此晶体中应力较小，同时又能防止器壁沾污或接触所可能引起的杂乱晶核而形成多晶体。直拉法是以定向的籽晶为生长晶核，因而可以得到有一定晶向生长的单晶体。直拉法制成的单晶体完整性较好，直径和长度都可以很大，生长速率也较高，要求所用坩埚必须由不污染熔体的材料制成。目前直拉法（CZ）锗单晶生长的工艺可分为以下几个阶段：1、熔料，将坩埚内的锗多晶料全部熔化；2、引晶，将籽晶放下后预热，使之与锗熔体充分接触后，将籽晶向上提拉，控制炉内温度使锗熔体在籽晶上面结晶；3、缩颈，目的在于消除锗单晶生长过程中的热应力，减小晶体的位错密度；4、放肩：通过控制拉速与温度使锗晶体生长到所需直径的尺寸；5、等径：使锗单晶按所需直径保持圆柱形生长；6、收尾：将锗单晶直径逐渐缩小，最后呈圆锥形，以避免位错反向延伸。现有的13N超高纯锗单晶的单晶炉，石墨加热器是封装在石英管炉...
【技术保护点】
1.直拉法生长高纯锗单晶的单晶生长炉，包括石英炉管、石英坩埚、石墨件、石英保温圈及石英支撑件，其特征在于石墨件安装在石英炉管外面，并由石英保温圈包裹将其密封，再配置相应的高频感应线圈环绕于石英炉管外部；其中，石英炉管分为两段，上段空心圆柱内腔大于下段空心圆柱内腔；所述的石英支撑件分为两个部分，一部分设置于石英炉管内，另一部分设置于石英炉管外部，支撑石墨件及石英保温圈。
【技术特征摘要】
1.直拉法生长高纯锗单晶的单晶生长炉，包括石英炉管、石英坩埚、石墨件、石英保温圈及石英支撑件，其特征在于石墨件安装在石英炉管外面，并由石英保温圈包裹将其密封，再配置相应的高频感应线圈环...
【专利技术属性】
技术研发人员：董汝昆，惠峰，李学洋，普世坤，钟文，赵燕，陈代凤，张鹏，滕文，李长林，林作亮，
申请(专利权)人：云南临沧鑫圆锗业股份有限公司，云南中科鑫圆晶体材料有限公司，昆明云锗高新技术有限公司，
类型：新型
国别省市：云南,53
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