电气过应力记录和/或采集制造技术

本发明专利技术涉及电气过应力记录和/或采集。本公开文本的方面涉及检测及记录与诸如静电释放(ESD)事件之类的电气过应力(EOS)事件关联的信息。例如，在一个实施例中，设备包括电气过应力保护装置、配置成检测EOS事件的发生的检测电路、以及配置成存储表示EOS事件的信息的存储器。

【技术实现步骤摘要】
电气过应力记录和/或采集本申请是中国申请号为201610177529.X、申请日为2016年03月25日、名称为“电气过应力记录和/或采集”的专利技术专利申请的分案申请。
公开的技术涉及电子系统，而且更具体地涉及响应于和/或预期到电气过应力事件而采取动作。
技术介绍
特定电子系统可能暴露至电气过应力事件。这种事件可能由于电子装置经历超过电子装置的规定极限的电流和/或电压，而导致诸如热损伤之类的损伤。例如，电子装置可经历瞬态信号事件、或者快速改变的电压和高功率的短持续时间电信号。例如，瞬态信号事件可包括由于电荷从物体或人向电子系统的突然释放、或来自电子装置的电源的电压/电流尖峰而导致的静电放电(ESD)事件。例如，诸如瞬态信号事件之类的电气过应力事件可由于过电压状态和相对小面积的集成电路(IC)中的高水平的功耗而损伤IC。高功耗可增大IC温度，并且可导致大量问题，例如栅氧化层击穿、结损伤、金属损伤、表面电荷累积等、或者它们的任意组合。
技术实现思路
本公开文本的一个方面是一种设备，其包括电气过应力保护装置、与电气过应力保护装置电耦接的检测电路、以及存储器。检测电路被配置成检测电气过应力事件的发生。存储器被配置成存储表示检测电路检测到的电气过应力事件的信息。本公开文本的另一个方面是一种设备，其包括电气过应力保护装置、电连接至电气过应力保护装置的检测电路、以及与检测电路通信的报告电路。检测电路被配置成检测电气过应力事件的发生。报告电路被配置成提供表示检测电路检测到的电气过应力事件的信息。本公开文本的另一个方面是一种记录与电气过应力事件关联的信息的电子实施方法。方法包括利用与电气过应力保护装置电连接的检测电路检测电气过应力事件的发生。方法还包括将与电气过应力事件的发生关联的信息记录至存储器。本公开文本的另一个方面是一种设备，其包括电气过应力转向装置以及存储元件，存储元件被配置成存储与电气过应力事件关联的电荷，其中电气过应力转向装置被配置成向存储元件提供与电气过应力事件关联的能量。电气过应力装置可被布置在电子装置的诸如引脚之类的接点和存储元件之间。电气过应力保护装置可电连接至触点提供电气过应力保护。例如，存储元件可包括电容器。电气过应力转向装置可以是静电释放转向装置，电气过应力事件可以是静电释放事件。本公开文本的另一个方面是一种设备，其包括接近度传感器、电气过应力配置电路和电气过应力保护电路。响应于接收到来自接近度传感器的接近的指示，电气过应力配置电路可配置电气过应力保护电路。例如，电气过应力配置电路可预触发和/或预准备电气过应力保护电路。本公开文本的另一个方面是一种设备，其包括接近度传感器、存储元件、存储元件配置电路和电气过应力转向装置。存储元件可存储与电气过应力事件关联的电荷，其中电气过应力转向装置被配置成向存储元件提供与电气过应力事件关联的能量。响应于接收到来自接近度传感器的接近的指示，存储元件配置电路可配置存储元件。为了总结本专利技术，此处已经描述了本专利技术的特定方面、优势和新颖特征。应该理解的是，并非可根据本专利技术的任意具体实施例实现所有优势。因此，可按照实现或优化此处指教的一个优势或优势组合而无需实现此处指教和建议的其它优势的方式实体化或执行本专利技术。附图说明图1A是根据实施例的包括电气过应力检测电路、能量采集电路和接近度传感器的电子系统的示意框图。图1B是根据实施例的包括电气过应力检测电路的示例电子装置的示意图。图2A至2D图示了可在一个或多个实施例中实施的示例电气过应力保护装置。图3是根据实施例的配置成在电子装置的引脚处检测电气过应力事件的示例电子装置的一部分的示意图。图4是根据实施例的配置成检测存储元件上的电气过应力事件的示例电子装置的一部分的示意图。图5是根据实施例的包括检测电路和电气过应力保护装置的示意图。图6是根据实施例的包括检测电路和电气过应力保护装置的示意图。图7是根据另一实施例的包括检测电路和电气过应力保护装置的示意图。图8是根据另一实施例的包括检测电路和电气过应力保护装置的示意图。图9是根据实施例的被配置成检测并存储与电气过应力事件关联的信息的示例电路的示意图。图10是根据实施例的具有电气过应力事件检测电路的电子装置的一部分的示意图。图11是根据实施例的包含了包括功能安全性电路的裸片的堆叠裸片的示图。图12是根据实施例的包括功能安全性电路的系统化封装的示图。图13是根据实施例的包括功能安全性电路的系统的示图。图14是根据实施例的被配置成存储与电气过应力事件关联的电荷的示例电子装置的示意图。图15是根据实施例的被配置成存储与电气过应力事件关联的电荷并且检测电气过应力事件的发生的示例电子装置的示意图。图16是根据实施例的配置成存储与电气过应力事件关联的电荷的示例电子装置的一部分的示意图。图17是根据实施例的被配置成在存储元件的存储组中存储与电气过应力事件关联的电荷的示例电子装置的一部分的示意图。图18是根据另一实施例的被配置成存储与电气过应力事件关联的电荷的电路的示意图。图19是根据另一实施例的被配置成存储与电气过应力事件关联的电荷的电路的示意图。图20是根据另一实施例的被配置成存储与电气过应力事件关联的电荷的电路的示意图。图21是根据另一实施例的被配置成存储与电气过应力事件关联的电荷的电路的示意图。图22是根据另一实施例的被配置成存储与电气过应力事件关联的电荷的电路的示意图。图23A是根据实施例的电气过应力保护装置的示例布局的平面图。图23B是根据实施例的电气过应力保护装置的另一示例布局的平面图。图23C是根据实施例的电气过应力保护装置的另一示例布局的平面图。图24图示了根据实施例的另一电气过应力保护装置，其中电流浪涌垂直穿过到达下面的层。图25图示了根据实施例的垂直集成系统的示例，其具有按比例增大的结构能够采集电气过应力事件用于存储电荷。图26是根据实施例的包括电气过应力保护和能量采集电路的垂直集成系统的示意图。图27是根据实施例的单个芯片上的包括电气过应力保护和能量采集电路的垂直集成系统的示意图。图28图示了根据实施例的具有电气过应力保护装置、存储元件和处理电路的裸片。图29图示了根据另一实施例的具有电气过应力保护装置、存储元件和处理电路的裸片。图30A和30B图示了根据实施例的包括具有嵌入外壳内的导管的外壳的移动装置的实施例。图30C图示了根据实施例的包括具有嵌入外壳内的导管的外壳的可穿戴装置的实施例。图31图示了根据各种实施例的可提供对ESD保护装置的电连接的封装件的开口中的导电结构的示例。图32图示了根据实施例的包括旋转轴和电荷采集系统的系统。图33A图示了根据实施例的具有用于增加旋转轴产生的静电电荷和/或场的一层材料的旋转轴以及电荷采集系统。图33B图示出在特定实施例中并入旋转轴上的该层材料可具有不均匀的宽度。图33C图示了根据实施例的能量采集系统的该层材料的选择的表面形貌。图33D图示了根据实施例的能量采集系统的该层材料上的表面抛光。图33E是其中可根据实施例实施能量采集的另一情况的框图。图34是根据实施例的可响应于接近度感测信息来调节或者启动电气过应力保护的示例电子装置的示意框图。图35是根据实施例的可利用接近度感测信息配置存储与电气过应力事件关联的能量的存储元件的示例本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有电气过应力检测的装置，所述装置包括：电气过应力保护器件；导电耦接至电气过应力保护器件的检测电路，所述检测电路被配置成检测电气过应力事件；存储器，所述存储器被配置成存储与由检测电路检测到的一个或者多个电气过应力事件相关的信息；报告电路，所述报告电路被配置为基于存储在所述存储器中的信息断言与功能安全性风险相关的警报信号。

【技术特征摘要】
2015.03.27 US 14/671,7671.一种具有电气过应力检测的装置，所述装置包括：电气过应力保护器件；导电耦接至电气过应力保护器件的检测电路，所述检测电路被配置成检测电气过应力事件；存储器，所述存储器被配置成存储与由检测电路检测到的一个或者多个电气过应力事件相关的信息；报告电路，所述报告电路被配置为基于存储在所述存储器中的信息断言与功能安全性风险相关的警报信号。2.根据权利要求1所述的装置，其中所述报告电路被配置以：响应于存储在存储器中的信息满足条件而断言警报信号；以及响应于存储在存储器中的信息不满足条件而不断言警报信号。3.根据权利要求1所述的装置，其中所述报告电路被配置为基于与存储在所述存储器中的与多个电气过应力事件相关的信息而断言警报信号。4.根据权利要求3所述的装置，其中所述报告电路被配置为基于多个电气过应力事件的强度而断言警报信号。5.根据权利要求1所述的装置，其中所述警报信号指示包括检测电路、存储器以及报告电路的管芯存在功能安全性问题。6.根据权利要求1所述的装置，其中所述警报信号指示包括检测电路、存储器以及报告电路的系统存在功能安全性问题。7.根据权利要求6所述的装置，其中所述管芯包括检测电路以及存储器。8.根据权利要求1所述的装置，其中所述报告电路被配置为无线地传输警报信号。9.根据权利要求1所述的装置，其中所述报告电路被配置为向装置外提供警报信号。10.一种监视与功能电子电路相关的功能安全性的方法，所述方法包括：检测与功能电子电路相关的电气过应力事件；在存储器中存储与电气过应力事件相关的信息；基于存储在存储器中的信息响应于与功能电子电路的功能安全性相关的计算，报告指示功能电子电路的功能安全性的信息；以及基于报告开始与包括功能电子电路的系统的维护相关的动作。11.根据权利要求10所述的方法，还包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·J·奥唐奈，D·埃亨，J·A·塞尔瑟多，D·J·克拉克，J·A·克利里，P·M·迈克古尼斯，A·C·奥格雷迪，
申请(专利权)人：亚德诺半导体集团，
类型：发明
国别省市：百慕大群岛,BM