一种通电离子源挡板制造技术

本发明专利技术公开了一种通电离子源挡板，包括金属挡板、高压电源、配重块和挡板旋转驱动装置；金属挡板同轴设置在离子源和晶圆之间的蚀刻腔体内，金属挡板面积大于离子源的离子束出口面积；金属挡板和高压电源电连接，金属挡板表面具有正电荷；配重块设置在金属挡板底部，邻近配重块的金属挡板与挡板旋转驱动装置相连接，并在挡板旋转驱动装置的驱动作用下，进行旋转转动；离子源包括射频、加速电场和中和器。本发明专利技术不仅可以阻挡不必要的离子束流对晶圆的损坏，而且使得挡板不受离子束的轰击产生不必要的颗粒，污染真空环境，使其更换周期极大限度的延长。同时，挡板材料可以使用普通金属，极大的降低了成本。

【技术实现步骤摘要】
一种通电离子源挡板
本专利技术涉及半导体器件及芯片等制造领域，特别是一种通电离子源挡板。
技术介绍
随着半导体器件的发展，晶片图形精度越来越高，常规的湿法腐蚀由于难以避免的横向钻蚀，已经不能满足高精度细线条图形刻蚀的要求，于是逐步发展了一系列干法刻蚀技术。应用比较普遍的有等离子刻蚀、反应离子刻蚀、二极溅射刻蚀、离子束刻蚀。等离子刻蚀和反应离子刻蚀都离不开反应气体，刻蚀不同材料需要不同的反应气体及组分，需要不同的激励方式和激励条件。反应气体一般是氯化物或氟化物，还有的材料很难找到合适的反应气体，如Pt，往往采用纯物理作用的二极溅射刻蚀或者离子束刻蚀。离子束刻蚀是由一个离子源提供离子，离子能量低密度大，对基片损伤小，刻蚀速率快。由于离子束刻蚀对材料无选择性，特别适用于一些对化学研磨、电介研磨难以减薄的材料的减薄。另外，离子束刻蚀是各向异性腐蚀，所以图形转移精度高，细线条的线宽损失小，离子束刻蚀只使用氩气即可，不需要反应气体，工艺安全，对环境污染小，运转成本低，尤其适于采用化学方法难以刻蚀的材料及精密的超薄膜刻蚀。离子束刻蚀机是一种高真空刻蚀设备，其采用物理刻蚀方式，利用专门的离子源产生离本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种通电离子源挡板，其特征在于：包括金属挡板、高压电源、配重块和挡板旋转驱动装置；金属挡板同轴设置在离子源和晶圆之间的蚀刻腔体内，金属挡板面积大于离子源的离子束出口面积；金属挡板和高压电源电连接，金属挡板表面具有正电荷；配重块设置在金属挡板底部，邻近配重块的金属挡板与挡板旋转驱动装置相连接，并在挡板旋转驱动装置的驱动作用下，进行旋转转动；离子源包括射频、加速电场和中和器；蚀刻过程为：金属挡板转动，离开离子源的离子束出口，离子源尾部通惰性气体，经过射频后电离出正离子，正离子通过加速电场加速并与中和器释放的电子中和成不带电荷的离子束进行蚀刻；蚀刻前，金属挡板转动并完全遮挡离子源的离子束出口，金...

【技术特征摘要】
1.一种通电离子源挡板，其特征在于：包括金属挡板、高压电源、配重块和挡板旋转驱动装置；金属挡板同轴设置在离子源和晶圆之间的蚀刻腔体内，金属挡板面积大于离子源的离子束出口面积；金属挡板和高压电源电连接，金属挡板表面具有正电荷；配重块设置在金属挡板底部，邻近配重块的金属挡板与挡板旋转驱动装置相连接，并在挡板旋转驱动装置的驱动作用下，进行旋转转动；离子源包括射频、加速电场和中和器；蚀刻过程为：金属挡板转动，离开离子源的离子束出口，离子源尾部通惰性气体，经过射频后电离出正离子，正离子通过加速电场加速并与中和器释放的电子中和成不带电荷的离子束进行蚀刻；蚀刻前，金属挡板转动并完全遮挡离子源的离子束出口，金属挡板连通高压电源，表面带正电荷；同时，中和器关闭，当正离子接近金属挡板表面时，由于电磁斥力，正离子被相斥并由真空泵抽走。2.根据权利要求1所述的通电离子...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘海洋，邱勇，刘小波，李娜，程实然，王铖熠，胡冬冬，许开东，
申请(专利权)人：江苏鲁汶仪器有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32