The invention discloses a device and a process for degumming large-size round silicon single crystal after multi-wire cutting. The device consists of two fixing plates, two supporting rods, two sliding rods and two removable inserts. The two fixing plates are supported by two supporting rods. Each fixing plate is symmetrically equipped with two arc-shaped sliding grooves. The circular dimensions of the two arc-shaped sliding grooves on the same fixing plate are the same as those of the wafer. The sliding rods are arranged parallel to each other between the two fixing plates, and the ends of the sliding rods are located in the arc chute and can slide along the arc chute. The inserts at both ends are used for the axial positioning of silicon wafers and can be adjusted according to the length of the crystal rods. The process includes: (1) solution configuration, (2) solution temperature control, (3) wafer and device fixing, (4) degumming and other processes. The invention can play the role of pre-cleaning the wafer surface, further simplify the manual degumming process, reduce the generation of edge collapse and cracks in the degumming process, and improve the yield of single crystal slices.
【技术实现步骤摘要】
一种用于大尺寸圆棒硅单晶多线切割后脱胶的装置及工艺
本专利技术涉及一种用于大尺寸圆棒硅单晶多线切割后脱胶的装置及工艺。
技术介绍
单晶在切割前使用的胶水一般为水煮胶,该胶水能够在热水中变软,利用胶水与硅片不同的热胀比来实现胶水与硅片的分离,但是一直存在以下几个缺点:脱胶的时间较长,硅片极易氧化;硅片中心位置由于脱胶剂很难渗入,切割用的PEG溶液在热水中与硅片表面的氧化膜共同作用,吸附在硅片表面很难进行后续的清洗;另外该方式要求操作人员手部和热水接触,存在一定的安全隐患。因此手动脱胶的方式已经很难适应大尺寸硅片(8英寸以上)的量产。SC-1广泛应用于半导体硅片的清洗技术中,其作用原理为硅片表面由于H2O2氧化作用生成一层氧化膜,该氧化膜又被NH4OH腐蚀,腐蚀后立即又发生氧化,氧化和腐蚀反复进行,通过该机理,悬浮液在高温下在硅片表面形成的粘连能够逐步的被剥离,起到预清洗的目的。
技术实现思路
本专利技术的目的是针对大尺寸硅片中间部位PEG悬浮液在热水中易氧化粘连在硅片表面、热水脱胶存在的环境恶劣以及安全隐患等问题,提供一种新的脱胶工装置及工艺。为实现上述目的,本专利技术采用以下技术方案:一种用于大尺寸圆棒硅单晶多线切割后脱胶的装置,包括两个固定板、两根支撑杆、两根滑动杆及两个可拆卸的插片,两个固定板之间通过两根支撑杆固定支撑,每个固定板上均对称的设有两个弧形滑槽,同一固定板上的两个弧形滑槽所在的圆的尺寸与晶圆尺寸相当;两根滑动杆相互平行的设置在两个固定板之间,其端部位于弧形滑槽内,并可沿弧形滑槽滑动;通过将两根滑动杆滑动至弧形滑槽的底部,来限制晶圆沿径向的移动; ...
【技术保护点】
1.一种用于大尺寸圆棒硅单晶多线切割后脱胶的装置,其特征在于,包括两个固定板、两根支撑杆、两根滑动杆及两个可拆卸的插片,两个固定板之间通过两根支撑杆固定支撑,每个固定板上均对称的设有两个弧形滑槽,同一固定板上的两个弧形滑槽所在的圆的尺寸与晶圆尺寸相当;两根滑动杆相互平行的设置在两个固定板之间,其端部位于弧形滑槽内,并可沿弧形滑槽滑动;通过将两根滑动杆滑动至弧形滑槽的底部,来限制晶圆沿径向的移动;两个插片的端部均具有用于连接支撑杆的开槽,通过将支撑杆插入开槽中,来限制晶圆沿轴向方向的移动。
【技术特征摘要】
1.一种用于大尺寸圆棒硅单晶多线切割后脱胶的装置,其特征在于,包括两个固定板、两根支撑杆、两根滑动杆及两个可拆卸的插片,两个固定板之间通过两根支撑杆固定支撑,每个固定板上均对称的设有两个弧形滑槽,同一固定板上的两个弧形滑槽所在的圆的尺寸与晶圆尺寸相当;两根滑动杆相互平行的设置在两个固定板之间,其端部位于弧形滑槽内,并可沿弧形滑槽滑动;通过将两根滑动杆滑动至弧形滑槽的底部,来限制晶圆沿径向的移动;两个插片的端部均具有用于连接支撑杆的开槽,通过将支撑杆插入开槽中,来限制晶圆沿轴向方向的移动。2.根据权利要求1所述的装置...
【专利技术属性】
技术研发人员:苏冰,安瑞阳,王新,曲翔,史训达,
申请(专利权)人:有研半导体材料有限公司,
类型:发明
国别省市:北京,11
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